Spektral breitbandige Antimonid-Übergitter-Photodetektoren mit Photoleitungsverstärkung

In dem abgeschlossenen DFG-Projekt (fo157 /13) konnte die Arbeitsgruppe wellenleitergest<s:1> tzte，光谱sehr breitbandige Antimonid-Übergitter-pn-Photodioden auf GaSb- and inas - substrate realisieren， welche - obwohlnoch - optimiert - selbst bei Raumtemperatur hohe Photoempfindlichkeiten zeigen, die die stark gekhlter Detektoren anderer Gruppen bertreffen und die im Vis/NIR numithohen Photoleitungsverstärkungen (auch ohne Vorspannung) erklärt werden können。Nun soll die Detektivität im MIR-Bereich noch weiter erhöht and dadurch insgesamt光谱均质分析werden， durch des MIR-absorbierenden InAs(Sb)/Ga(InAs)Sb-Übergitters and Variation z.B. der Einzelschichtdicken im Übergitter。gleichzeittig soll die Ursache f<e:1> r die hohe Photoleitungsverstärkung ohne Vorspannung geklärt werden, durch schrittweise Veränderung der Zusammensetzung der Quantenfilme （Veränderung ihrer Kopplung）和des Wellenleiterkerns， desessen been Teile f<e:1> r die eingebetteten Quantenfilme als Ladungsträger-Barrieren wirken。[2] [2] [2] [6] [3]另一种选择是光电二极管sollen，即光电二极管sollen。本文介绍了一种新型分子结构的制备方法。

In dem abgeschlossenen DFG-Projekt (Fo 157/13) konnte die Arbeitsgruppe wellenleitergestützte, spektral sehr breitbandige Antimonid-Übergitter-pn-Photodioden auf GaSb- und InAs-Substrat realisieren, welche - obwohl noch nicht optimiert - selbst bei Raumtemperatur hohe Photoempfindlichkeiten zeigen, die die stark gekühlter Detektoren anderer Gruppen übertreffen und die im Vis/NIR nur mit hohen Photoleitungsverstärkungen (auch ohne Vorspannung) erklärt werden können. Nun soll die Detektivität im MIR-Bereich noch weiter erhöht und dadurch insgesamt spektral homogenisiert werden, durch Verdickung des MIR-absorbierenden InAs(Sb)/Ga(InAs)Sb-Übergitters und Variation z.B. der Einzelschichtdicken im Übergitter. Gleichzeitig soll die Ursache für die hohe Photoleitungsverstärkung ohne Vorspannung geklärt werden, durch schrittweise Veränderung der Zusammensetzung der Quantenfilme (Veränderung ihrer Kopplung) und des Wellenleiterkerns, dessen beiden Teile für die eingebetteten Quantenfilme als Ladungsträger-Barrieren wirken. Die Erkenntnisse sollen zur weiteren Bauelement-Optimierung genutzt werden. Alternativ zu den Photodioden sollen auch entsprechende Photoleiter betrachtet werden. Alle Strukturen werden auf GaSb- und InAs-Substraten molekularstrahlepitaktisch gewachsen.