Transversal monomodige Ga(As)Sb-Quantenpunkt-Antimonid-Breitstreifenlaser

横向单模 Ga(As)Sb 量子点锑化物宽带激光器

• 批准号: 200427768
• 负责人: Professor Dr. Henning Fouckhardt
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Integrierte Optoelektronik und Mikrooptik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2015-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/200427768?language=en
• 关键词: Transversal; monomodige; Ga; Sb; Quantenpunkt

Quantenpunkt-Laser im Materialsystem InAs/GaAs sind seit etwa 12 Jahren bekannt. Im Materialsystem Ga(As)Sb/GaAs hingegen gibt es bisher wenige entsprechende Bemühungen. Diejenigen der Arbeitsgruppe des Antragstellers haben zu sehr dichten Quantenpunkten sowie elektrisch gepumpt bei Raumtemperatur gepulst emittierenden Quantenpunkt-Lasern geführt (dazu sind zwei Veröffentlichungen in Vorbereitung). Durch Variation der Molekularstrahlepitaxie-Parameter im Stranski-Krastanov-Modus können die Quantenpunkt-Eigenschaften variiert und die Emissionswellenlängen bisher zwischen 0,876 und 1,035 µm eingestellt werden. Eine andere erfolgreiche Aktivität der Gruppe dreht sich um Quantenfilm-Antimonid-Breitstreifenlaser (´broad area laser, BAL), in die Fourier-optische Transversalmodenselektoren (TMS) monolithisch integriert sind. Solche Strukturen sind geeignet, hohe optische Leistungen in der transversalen Grundmode zu emittieren. Die Kombination aus beiden Forschungsthemen, i. e. Antimonid-Quantenpunktlaser und BAL-TMS-Laser, ist Kern des hier beantragten Vorhabens. Die Bemühungen sollten effiziente Ga(As)Sb-Hochleistungslaser ermöglichen, unter anderem auch um 1,3 µm Emissionswellenlänge. Dies ist für Anwendungen in der Nah-/Mittelinfrarot-Spektroskopie wichtig, könnte zum Beispiel aber auch relevant sein, um die nachteilbehafteten InGaAsP/ InP-Laser der optischen Nachrichtentechnik mittelfristig ersetzen zu können.

InAs/GaAs材料系统中的量子点激光器已问世12年。在Ga（As）Sb/GaAs材料体系中，Diejenigen der Arbeitsgruppe des Antragstellers haben zu sehr Quantenpunkten sowie elektrisch gepump bei Raumtemperatur gepulst emitten Quantenpunkt-Lasern geführt（dazu sind zwei Veröffentlichungen in Vorbereitung）.在Stranski-Krastanov-Modus模型中，量子点-本征值随时间的变化而变化，辐射强度为0，876和1，035 μm，分别为韦尔登。在傅里叶光学横向调制解调器（TMS）单片集成电路中，一个和其他一些实验性的活动组使用了宽域激光器（BAL）。Solche Strukturen sind geeignet，hohe optische Leistungen in der transversalen Grundmode zu emittieren. Die Kombination aus beiden Forschungsthemen，i. e.锑量子点激光器和BAL-TMS激光器是生物医学的克恩。在1.3 µm的辐射强度下，可以有效地吸收Ga（As）Sb离子。Dies ist für Anwendungen in der Nah-/Mittelinfrarot-Spektroskopie wichtig，könnte zum Beispiel aber auch relevant sein，um die nachteilfteten InGaAsP/InP-Laser der optischen Nachrichtentechnik mittelfristig ersetzen können.

项目成果

GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 µm

GaAs 上的 GaSb 量子点具有 710 meV 的高局域化能量和 1 3 µm 的发射波长

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.045
• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: J. Richter;J. Strassner;Th.H. Loeber;H. Fouckhardt;T. Nowozin;L. Bonato;D. Bimberg;D. Braam;A. Lorke
• 通讯作者: A. Lorke

Monitoring of (reactive) ion etching (RIE) with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment

• DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.12.038
• 发表时间: 2015-02-15
• 期刊: APPLIED SURFACE SCIENCE
• 影响因子: 6.7
• 作者: Barzen, Lars;Richter, Johannes;Kopnarsk, Michael
• 通讯作者: Kopnarsk, Michael