Transversal monomodige Ga(As)Sb-Quantenpunkt-Antimonid-Breitstreifenlaser

InAs/GaAs材料系统中的量子点激光器已问世12年。在Ga（As）Sb/GaAs材料体系中，Diejenigen der Arbeitsgruppe des Antragstellers haben zu sehr Quantenpunkten sowie elektrisch gepump bei Raumtemperatur gepulst emitten Quantenpunkt-Lasern geführt（dazu sind zwei Veröffentlichungen in Vorbereitung）.在Stranski-Krastanov-Modus模型中，量子点-本征值随时间的变化而变化，辐射强度为0，876和1，035 μm，分别为韦尔登。在傅里叶光学横向调制解调器（TMS）单片集成电路中，一个和其他一些实验性的活动组使用了宽域激光器（BAL）。Solche Strukturen sind geeignet，hohe optische Leistungen in der transversalen Grundmode zu emittieren. Die Combination aus beiden Forschungsthemen，i. e.锑量子点激光器和BAL-TMS激光器是生物医学的克恩。在1.3 µm的辐射强度下，可以有效地吸收Ga（As）Sb离子。Dies ist für Anwendungen in der Nah-/Mittelinfrarot-Spektroskopie wichtig，könnte zum Beispiel aber auch relevant sein，um die nachteilfteten InGaAsP/InP-Laser der optischen Nachrichtentechnik mittelfristig ersetzen können.

Quantenpunkt-Laser im Materialsystem InAs/GaAs sind seit etwa 12 Jahren bekannt. Im Materialsystem Ga(As)Sb/GaAs hingegen gibt es bisher wenige entsprechende Bemühungen. Diejenigen der Arbeitsgruppe des Antragstellers haben zu sehr dichten Quantenpunkten sowie elektrisch gepumpt bei Raumtemperatur gepulst emittierenden Quantenpunkt-Lasern geführt (dazu sind zwei Veröffentlichungen in Vorbereitung). Durch Variation der Molekularstrahlepitaxie-Parameter im Stranski-Krastanov-Modus können die Quantenpunkt-Eigenschaften variiert und die Emissionswellenlängen bisher zwischen 0,876 und 1,035 µm eingestellt werden. Eine andere erfolgreiche Aktivität der Gruppe dreht sich um Quantenfilm-Antimonid-Breitstreifenlaser (´broad area laser, BAL), in die Fourier-optische Transversalmodenselektoren (TMS) monolithisch integriert sind. Solche Strukturen sind geeignet, hohe optische Leistungen in der transversalen Grundmode zu emittieren. Die Kombination aus beiden Forschungsthemen, i. e. Antimonid-Quantenpunktlaser und BAL-TMS-Laser, ist Kern des hier beantragten Vorhabens. Die Bemühungen sollten effiziente Ga(As)Sb-Hochleistungslaser ermöglichen, unter anderem auch um 1,3 µm Emissionswellenlänge. Dies ist für Anwendungen in der Nah-/Mittelinfrarot-Spektroskopie wichtig, könnte zum Beispiel aber auch relevant sein, um die nachteilbehafteten InGaAsP/ InP-Laser der optischen Nachrichtentechnik mittelfristig ersetzen zu können.