Wellenleitergestützte MIR-Antimonid-Photodetektoren mit TYP II-Heteroübergängen

具有 II 型异质结的基于波导的中红外锑化物光电探测器

• 批准号: 5262312
• 负责人: Professor Dr. Henning Fouckhardt
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Integrierte Optoelektronik und Mikrooptik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5262312?language=en
• 关键词: Wellenleitergest; tzte; MIR; Antimonid; Photodetektoren

In der chemisch-analytischen Messtechnik wird vermehrt an miniaturisierte optische Sensoren und Detektormodule auf integrierten optoelektronischen Chips gedacht, die eine Lichtquelle, einen Fluidkanal oder ein Fluidreservoir sowie einen Photodetektor enthalten. Für diese Zwecke bieten sich wellenleitergestützte Interband-Übergangs-Photodetektoren für den mittleren infraroten Spektralbereich auf Basis des Materialsystems (Al)GaInAsSb mit Typ II-"broken gap"-InAs-Ga(In)Sb-Heteroübergängen konzipiert, mittels Molekularstrahlepitaxie und Photolithographie halbleitertechnologisch hergestellt, vermessen und optimiert werden.

在化学分析测量技术中，光传感器和光检测器模块是集成光电子芯片的重要组成部分，光检测器可以是一个光传感器、一个流体传感器或一个流体储存器。Für diese Zwecke bieten sich wellenleitergestützte Interband-Übergangs-Photodetektoren für den mittleren infraroten Spektränreich auf Basis des Materialsystems（Al）GaInAsSb mit Typ II-“broken gap”-InAs-Ga（In）Sb-Heteroübergängen konzipiert，mittels Molekularstrahlepitaxie und Photolithographie halbleitertechnologisch hergestellt，vermessen und optimiert韦尔登.