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Wellenleitergestützte MIR-Antimonid-Photodetektoren mit TYP II-Heteroübergängen

Wellenleitergestützte MIR-Antimonid-Photodetektoren mit TYP II-Heteroübergängen
具有 II 型异质结的基于波导的中红外锑化物光电探测器
批准号：
5262312
负责人：
Professor Dr. Henning Fouckhardt
金额：
$0.0万
依托单位：
Arbeitsgruppe Integrierte Optoelektronik und Mikrooptik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2000
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
1999-12-31 至 2003-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5262312?language=en
关键词：
WellenleitergesttzteMIRAntimonidPhotodetektoren

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在化学分析技术中，我们需要一种小型的光学传感器和探测器模块来集成光电芯片，使其成为一种新型的光敏元件。Für diese Zwecke bieten sich well eniterestützte interband-uberangs-Photodektoren für den mittleren für den mittleren auf base des MaterialSystems(Al)GaInAsSb MIT Typ II-“Break Gap”-InAs-Ga(In)Sb-Heteroübergängen konzipiert，Mittels Molekularstrahleppaxie and Phottektoren ie halblite Technogelt，VerMessen Optimiert den。
英文摘要
In der chemisch-analytischen Messtechnik wird vermehrt an miniaturisierte optische Sensoren und Detektormodule auf integrierten optoelektronischen Chips gedacht, die eine Lichtquelle, einen Fluidkanal oder ein Fluidreservoir sowie einen Photodetektor enthalten. Für diese Zwecke bieten sich wellenleitergestützte Interband-Übergangs-Photodetektoren für den mittleren infraroten Spektralbereich auf Basis des Materialsystems (Al)GaInAsSb mit Typ II-"broken gap"-InAs-Ga(In)Sb-Heteroübergängen konzipiert, mittels Molekularstrahlepitaxie und Photolithographie halbleitertechnologisch hergestellt, vermessen und optimiert werden.
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