Kinetik der Stapelfehler in dünnen Schichten: Bildung, Ausheilung und Vermeidung

薄膜中堆垛层错的动力学：形成、退火和避免

• 批准号: 15519947
• 负责人: Professor Dr. Thomas Werner Michely
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentalphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/15519947?language=en
• 关键词: Kinetik; der; Stapelfehler; nnen; Schichten

Stapelfehler und mit ihnen verknüpfte innere Grenzflächen gehören zu den wichtigsten Defekten in polykristallinen und epitaktischen dünnen Schichten, die elektrische, optische und magnetische Schichteigenschaften maßgeblich bestimmen. Demgegenüber steht eine weitgehende Unkenntnis hinsichtlich der atomaren Prozesse bei der Bildung, Ausbreitung und Ausheilung von Stapelfehlern in dünnen Schichten. Diese Unkenntnis verhindert die Entwicklung wirksamer Strategien zur Vermeidung der Stapelfehlerbildung in dünnen Schichten. Beim Wachstum von Ir-Schichten auf Ir(111) können Stapelfehler in diesen Schichten sehr kontrolliert und unter reinsten Wachstumsbedingungen erzeugt werden. Für dieses Modellsystem soll daher durch detaillierte Rastertunnelmikroskopie-, Elektronenbeugungsexperimente und Röntgenbeugungsexperimente ein atomistisches Verständnis der Stapelfehlerkinetik beim Wachstum dünner Schichten mit Dicken bis zu einigen 100 atomaren Lagen erzielt werden. Auf Basis dieser Untersuchungen sollen breit einsetzbare Methoden zur Vermeidung der Bildung von Stapelfehlern in dünnen Schichten entwickelt werden.

Stapelfehler und mit ihnen verknüpfte innere Grenzflächen gehören zu den wichtigsten Defekten in polykristallinen und epitaktischen dünnen Schichten，die elektrische，optische und magnetische Schichteigenschaften maßgeblich bestimmen. Demgegenüber steht eine weitgehende Unkenntnis hinsichtlich der atomaren Prozesse bei der Bildung，Ausbreitung and Ausheilung von Stapelfehlern in dünen Schichten.这种不确定性阻碍了发展中国家在发展中国家的发展。Beim Wachstum von Ir-Schichten auf Ir（111）können Stapelfehler in diesen Schichten sehr kontrolliert and unter reinsten Wachstumsbedingungen erzeugt韦尔登. Für dieses Modellsystem soll daher durch detaillierte Rastertunnelmikroskopie-，Elektronenbeugungsexperimente und Röntgenbeugungsexperimente ein atomistisches Verständnis der Stapelfehlerkinetik beim Wachstum dünner Schichten mit Doppler bis zu einigen 100 atomaren Lagen erzielt韦尔登.在此基础上，我们提出了一种新的方法，用于在韦尔登中对森林动物进行教育。