Mechanismen und Manipulation der Musterbildung auf Si(001)

通过对硅（001）纳米结构的三个方面的实验研究，确定了在韦尔登下75°的温克尔边界条件下的温度分布、温度分布和温度分布。温度、电离能和流场的动态变化将使测量结果和稳定性机制得到定性评估。温度变化对Si（001）晶体生长的影响是一个重要的影响因素，在一个温度变化的实验中，我们可以看到两种不同的化学成分对韦尔登生长的影响。腐蚀韦尔登主要是由反应性（硅化物）和非反应性（N2 +，O2 +）和非反应性（Kr+）离子辐射腐蚀引起的。由于结晶体的各向异性效应会对结晶体产生很大的影响，因此，在结晶体的侵蚀、二次结构和弹性效应的影响下，结晶体的各向异性效应会对结晶体的温度产生很大的影响。

Bedingt durch die spezifischen Möglichkeiten zu mikroskopisch hochauflösenden, hochreinen und temperaturabhängigen Experimenten stehen in diesem Teilprojekt drei Aspekte der Nanostrukturierung von Si(001) im Vordergrund:Auf Basis der bereits erzielten Ergebnisse soll die Musterbildung im Winkelbereich um 75° unter reinen Bedingungen untersucht werden. Durch Variation von Temperatur, Ionenenergie und -fluenz soll ein besseres Verständnis der Facettierung erzielt und die stabilisierenden Mechanismen werden qualitativ bestimmt. Von besonderem Interesse ist dabei der Effekt der temperaturabhängigen Kristallinität von Si(001) auf die Musterbildung.In einer vergleichenden temperaturabhängigen Untersuchung soll exemplarisch der Einfluss einer zweiten kodeponierten chemischen Komponente auf die Musterbildung ermittelt werden. Verglichen werden dabei Erosion mit Ko-Verdampfung eines reaktiven (silizidbildenden) und eines nichtreaktiven und unlöslichen Metalls ähnlicher Masse, sowie reaktive (N2 +,O2 +) und nichtreaktive (Kr+) Ionenstrahlerosion. Da für streifenden Ionenbeschusses die Anisotropieeffekte des Kristalls einen besonders großen Einfluss besitzen, soll bei einer erhöhten Temperatur im Bereich der kristallinen Erosion der Einfluss der Kristallorientierung, der Dimerrekonstruktion und mögliche Effekte des Channeling untersucht und mit dem atomaren Beschussschaden einzelner Ionen bei tiefen Temperaturen verknüpft werden.