High-quality hetero-epitaxial AlN research by newly proposed high temperature metalorganic vapor phase epitaxy
通过新提出的高温有机金属气相外延进行高质量异质外延AlN研究
基本信息
- 批准号:20H02643
- 负责人:
- 金额:$ 6.07万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD
采用无 NH3 高温 MOCVD 在 m 面蓝宝石衬底上生长高质量半极性 (10-13) AlN 外延层
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:X.Q. Shen and K. Kojima
- 通讯作者:X.Q. Shen and K. Kojima
Heteroepitaxial growth of AlN by ammonia-free high-temperature metalorganic chemical vapor deposition (AFHT-MOCVD)
无氨高温金属有机化学气相沉积 (AFHT-MOCVD) 异质外延生长 AlN
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Suzuki;K. Yamane;T. Omatsu;R. Morita;X.Q. Shen and K. Kojima
- 通讯作者:X.Q. Shen and K. Kojima
Behaviours of the lattice-polarity inversion in AlN growth on c-Al2O3 (0001) substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition
- DOI:10.1039/d2ce00652a
- 发表时间:2022-07-19
- 期刊:
- 影响因子:3.1
- 作者:Shen, Xuqiang;Matsuhata, Hirofumi;Kojima, Kazutoshi
- 通讯作者:Kojima, Kazutoshi
Lattice-polarity and microstructures in AlN films grown on c-Al2O3 (0001) substrates by NH3-free high-temperature MOCVD
无 NH3 高温 MOCVD 在 c-Al2O3 (0001) 衬底上生长的 AlN 薄膜的晶格极性和微观结构
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:X.Q. Shen;H. Matsuhata and K. Kojima
- 通讯作者:H. Matsuhata and K. Kojima
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