High-quality hetero-epitaxial AlN research by newly proposed high temperature metalorganic vapor phase epitaxy

通过新提出的高温有机金属气相外延进行高质量异质外延AlN研究

• 批准号: 20H02643
• 负责人: SHEN XUQIANG
• 金额: $ 6.07万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02643/
• 关键词: 窒化物; ヘテロエピタキシャル成長; アンモニアフリー; 窒化アルミニウム; AlN薄膜; 高温成長; 微細構造; AlN; 高温結晶成長; 不純物; 有機金属気相成長; 高温

项目成果

High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD

采用无 NH3 高温 MOCVD 在 m 面蓝宝石衬底上生长高质量半极性 (10-13) AlN 外延层

• 发表时间: 2022
• 作者: X.Q. Shen and K. Kojima

Heteroepitaxial growth of AlN by ammonia-free high-temperature metalorganic chemical vapor deposition (AFHT-MOCVD)

无氨高温金属有机化学气相沉积 (AFHT-MOCVD) 异质外延生长 AlN

• 发表时间: 2022
• 作者: M. Suzuki;K. Yamane;T. Omatsu;R. Morita;X.Q. Shen and K. Kojima
• 通讯作者: X.Q. Shen and K. Kojima

半極性(10-13)面AlNエピ膜中の微細構造の評価

半极性(10-13)面AlN外延薄膜微观结构评价

• 发表时间: 2022
• 作者: 沈旭強;児島一聡
• 通讯作者: 児島一聡

Behaviours of the lattice-polarity inversion in AlN growth on c-Al2O3 (0001) substrates by ammonia-free high temperature metalorganic chemical vapor deposition

• DOI: 10.1039/d2ce00652a
• 发表时间: 2022-07-19
• 期刊: CRYSTENGCOMM
• 影响因子: 3.1
• 作者: Shen, Xuqiang;Matsuhata, Hirofumi;Kojima, Kazutoshi
• 通讯作者: Kojima, Kazutoshi

Lattice-polarity and microstructures in AlN films grown on c-Al2O3 (0001) substrates by NH3-free high-temperature MOCVD

无 NH3 高温 MOCVD 在 c-Al2O3 (0001) 衬底上生长的 AlN 薄膜的晶格极性和微观结构

• 发表时间: 2022
• 作者: X.Q. Shen;H. Matsuhata and K. Kojima
• 通讯作者: H. Matsuhata and K. Kojima