High-quality hetero-epitaxial AlN research by newly proposed high temperature metalorganic vapor phase epitaxy
High-quality hetero-epitaxial AlN research by newly proposed high temperature metalorganic vapor phase epitaxy
通过新提出的高温有机金属气相外延进行高质量异质外延AlN研究
批准号：
20H02643
负责人：
SHEN XUQIANG
金额：
$6.07万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD
采用无 NH3 高温 MOCVD 在 m 面蓝宝石衬底上生长高质量半极性 (10-13) AlN 外延层
采用无 NH3 高温 MOCVD 在 m 面蓝宝石衬底上生长高质量半极性 (10-13) AlN 外延层
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X.Q. Shen and K. Kojima]
通讯作者：
X.Q. Shen and K. Kojima
Heteroepitaxial growth of AlN by ammonia-free high-temperature metalorganic chemical vapor deposition (AFHT-MOCVD)
无氨高温金属有机化学气相沉积 (AFHT-MOCVD) 异质外延生长 AlN
无氨高温金属有机化学气相沉积 (AFHT-MOCVD) 异质外延生长 AlN
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Suzuki, K. Yamane, T. Omatsu, R. Morita, X.Q. Shen and K. Kojima]
通讯作者：
X.Q. Shen and K. Kojima
半極性(10-13)面AlNエピ膜中の微細構造の評価
半极性(10-13)面AlN外延薄膜微观结构评价
半极性(10-13)面AlN外延薄膜微观结构评价
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[沈旭強, 児島一聡]
通讯作者：
児島一聡
DOI：
10.1039/d2ce00652a
发表时间：
2022-07-19
期刊：
CRYSTENGCOMM
影响因子：
3.1
作者：
[Shen, Xuqiang, Matsuhata, Hirofumi, Kojima, Kazutoshi]
通讯作者：
Kojima, Kazutoshi
Lattice-polarity and microstructures in AlN films grown on c-Al2O3 (0001) substrates by NH3-free high-temperature MOCVD
无 NH3 高温 MOCVD 在 c-Al2O3 (0001) 衬底上生长的 AlN 薄膜的晶格极性和微观结构
无 NH3 高温 MOCVD 在 c-Al2O3 (0001) 衬底上生长的 AlN 薄膜的晶格极性和微观结构
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X.Q. Shen, H. Matsuhata and K. Kojima]
通讯作者：
H. Matsuhata and K. Kojima
共 8 条
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