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Room-temperature solid-phase epitaxial crystallization of wide-gap semiconducting Ga2O3 thin films

Room-temperature solid-phase epitaxial crystallization of wide-gap semiconducting Ga2O3 thin films
宽带隙半导体Ga2O3薄膜的室温固相外延结晶
批准号：
26630306
负责人：
Yoshimoto Mamoru
金额：
$2.25万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630306/
关键词：
Ga2O3ワイドギャップ半導体レーザーアニールエピタキシャル成長低温結晶成長酸化物薄膜固相結晶化パルスレーザー堆積低温成長セラミックス薄膜エピタキシャル薄膜室温合成セラミックス酸化ガリウム薄膜成長単結晶性薄膜

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Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing
准分子激光退火缓冲液诱导 β-Ga2O3 薄膜室温外延
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Matsuda, D. Shiojiri, H. Uchida, K. Nakamura, N. Tsuchimine, S. Kaneko and M. Yoshimoto]
通讯作者： S. Kaneko and M. Yoshimoto
PLD 法を用いたβ-Ga2O3 エピタキシャル薄膜成長NiO バッファー層導入による低温化
使用 PLD 方法生长 β-Ga2O3 外延薄膜 通过引入 NiO 缓冲层降低温度
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [福田大二, 塩尻大士，山内涼輔, 土嶺信男, 金子 智, 松田晃史, 吉本 護]
通讯作者： 吉本 護
室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響
NiO缓冲层对室温激光退火β-Ga2O3薄膜固相外延的影响
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [中村稀星, 内田啓貴, 土嶺信男, 小山浩司, 金子 智, 松田晃史, 吉本 護]
通讯作者： 吉本 護
吉本・松田研究室ホームページ
吉本松田实验室主页
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 16 条
    Room-temperature laser-induced fabrication of novel functional oxide thin films
    • 批准号：
      18H01702
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.74万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Yoshimoto Mamoru
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Construction of nano-structured functional thin films on flexible nanoimprinted polymer substrates with atomically patterned surfaces
    • 批准号：
      18K18995
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.91万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Yoshimoto Mamoru
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Fabrication of nano-patterned organic polymer substrates with atomic steps for creation of functional nanostructures
    • 批准号：
      16K13636
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Yoshimoto Mamoru
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Solid-phase crystallization of oxide thin films on nanoscale-controlled substrates via post-annealing under uniaxial compression for exploring the novel functionalities
    • 批准号：
      24360269
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.57万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      Yoshimoto Mamoru
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金