Rastersondenmikroskop

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Ein zentrales Merkmal nanostrukturierter Materialien für Anwendungen in der Optoelektronik, Energietechnik oder (Spin-)Elektronik ist das inhärente Auftreten von Grenzflächen, wie z.B. Hetero-Übergänge, Dotierübergänge, Metallkontakte, Partikel-Partikel Grenzfläche etc. Dies hat zur Konsequenz, dass sich die elektronischen, optischen und thermischen Eigenschaften der Materialien und der Bauelemente lokal ändern - auf einer Skala im 10Onm Bereich und darunter. Dadurch werden auf der einen Seite neuartige Funktionalitäten möglich, auf der anderen Seite wird aber ein experimenteller Zugang zu den genannten Eigenschaften auf einer Sub-100nm Skala notwendig. Dies erfordert eine neue Art der Informationsgewinnung, die sich aus einer teilweise gleichzeitigen Verwendung der elektrischen Raster-Kraft-Mikroskopie, der optischen Nahfeld- Mikroskopie und der thermischen Raster-Sondentechnik ergibt. Das favorisierte System vereint elektrische (Kelvin probe force microscopy KPFM) und thermische Raster-Kraft-Mikroskopie (scanning thermal microscopy SThM) mit konfokaler Fluoreszenz-Spektroskopie und optischer Nahfeld-Mikroskopie (scanning near field optical microscopy SNOM) auf einer Plattform und erfüllt daher in geradezu idealer Weise die genannten Anforderungen. Die Beschaffung dieses Gerätes ist Gegenstand dieses Antrages.