Entwicklung von monolitischen Pixeldetektoren auf verarmtem Silizium (DMAPS)

开发贫硅单片像素探测器 (DMAPS)

• 批准号: 237333540
• 负责人: Professor Dr. Norbert Wermes
• 金额: --
• 依托单位: Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2012-12-31 至 2017-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/237333540?language=en
• 关键词: Entwicklung; von; monolitischen; Pixeldetektoren; auf

Neue Wege zur Entwicklung monolithischer Pixeldetektoren, bei denen, im Gegensatz zu konventionellen, hybriden Pixeldetektoren, Chip und Sensor eine Einheit bilden, sollen in diesem Projekt beschritten werden. Ziel ist insbesondere der Teilchennachweis in ladungträgerverarmtem Substrat bei gleichzeitiger Verwendung vollständiger CMOS Elektronik. Dies wurde bis jetzt nicht erreicht. Schlüssel zu diesem Projekt ist neben veränderten Entwürfen nicht zuletzt auch der direktere Zugang und die Zusammenarbeit mit zwei Herstellern von CMOS Elektronik.

Neue Wege zur Entwicklung monooliticher pixeldektoren, bei denen, im Gegensatz zu conventionellen, hybriden pixeldektoren, Chip and Sensor eine inheit bilden, sollen in diesem project beschritlewerden。Ziel ist inbesonere der Teilchennachweis in ladungträgerverarmtem substrate bei gleichzeitiger Verwendung vollständiger CMOS electronics。他的飞机在晚上起飞了。Schlussel祖茂堂diesem Projekt是neben veranderten Entwurfen不zuletzt der direktere Zugang和目前麻省理工学院请来两Herstellern冯CMOS Elektronik死去。

项目成果

Neutron irradiation test of depleted CMOS pixel detector prototypes

贫化 CMOS 像素探测器原型的中子辐照测试

• DOI: 10.1088/1748-0221/12/02/p02021
• 发表时间: 2017
• 期刊: Journal of Instrumentation
• 影响因子: 1.3
• 作者: I. Mandic;T. Hemperek;M. Daas;F. Hügging H. Krüger;D.-L. Pohl;N. Wermes
• 通讯作者: N. Wermes

From hybrid to CMOS pixels ... a possibility for LHC's pixel future?

从混合像素到 CMOS 像素，LHC 像素的未来有可能吗？

• DOI: 10.1088/1748-0221/10/12/c12023
• 发表时间: 2015
• 期刊: Journal of Instrumentation
• 影响因子: 1.3
• 作者: N. Wermes

A Monolithic Active Pixel Sensor for ionizing radiation using a 180 nm HV-SOI process

• DOI: 10.1016/j.nima.2015.02.052
• 发表时间: 2014-12
• 期刊: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A-accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment
• 影响因子: 1.4
• 作者: T. Hemperek;T. Kishishita;H. Kruger;N. Wermes

Radiation hard pixel sensors using high-resistive wafers in a 150 nm CMOS processing line

在 150 nm CMOS 加工线上使用高阻晶圆的辐射硬像素传感器

• DOI: 10.1088/1748-0221/12/06/p06020
• 发表时间: 2017
• 期刊: Journal of Instrumentation
• 影响因子: 1.3
• 作者: D. -L. Pohl;T. Hemperek;F. Hügging;J. Janssen;H. Krüger;A. Macchiolo;N. Owtscharenko;I. Caicedo Sierra;L. Vigani;N. Wermes
• 通讯作者: N. Wermes

Characterization of Depleted Monolithic Active Pixel detectors implemented with a high-resistive CMOS technology

• DOI: 10.1016/j.nima.2015.09.048
• 发表时间: 2016-07-11
• 期刊: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
• 影响因子: 1.4
• 作者: Kishishita, T.;Hemperek, T.;Wermes, N.
• 通讯作者: Wermes, N.