Silicon LPCVD Facility for Nanoelectronics, Quantum Computing & Solar Cells

用于纳米电子学、量子计算的硅 LPCVD 设施

基本信息

  • 批准号:
    LE160100062
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 46.68万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    澳大利亚
  • 项目类别:
    Linkage Infrastructure, Equipment and Facilities
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    澳大利亚
  • 起止时间:
    2016-01-01 至 2019-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Silicon low-pressure chemical vapor deposition facility: This project aims to complete Australia’s first manufacturing line for nanoscale devices. It aims to establish a low-pressure chemical vapour deposition system to complete the existing silicon complementary metal-oxide semiconductor process line. It is currently impossible to fabricate many devices compatible with industrial manufacture, limiting device reliability and path to commercialisation. The tool is designed to incorporate four furnace tubes for growing thin layers of electronic materials, including polycrystalline-silicon, epitaxial silicon, and silicon-nitride. One unique aspect will be growth of isotopically-enriched silicon-28 that is essential for spin-based quantum computing. The tool would support a wide range of projects nationally in silicon micro/nano-systems, advanced photovoltaics, and quantum technologies.
硅低压化学气相沉积装置: 该项目旨在完成澳大利亚第一条纳米设备生产线。它旨在建立一套低压化学气相沉积系统,以完成现有的硅互补金属氧化物半导体生产线。目前不可能制造许多与工业制造兼容的设备,这限制了设备的可靠性和商业化道路。该工具设计为包括四个炉管,用于生长薄层电子材料,包括多晶硅、外延硅和氮化硅。一个独特的方面将是富含同位素的硅-28的增长,这对基于自旋的量子计算至关重要。该工具将在全国范围内支持硅微/纳米系统、先进光伏和量子技术方面的广泛项目。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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