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Innovation in atomically controlled engineering of plasma etching technology with builiding a collaborative environment for theory, computation, and measurement

等离子刻蚀技术原子控制工程创新，构建理论、计算和测量协作环境

基本信息

批准号：
21H01073
负责人：
関根誠
金额：
$ 11.65万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21H01073/
关键词：
プラズマエッチング電子衝突反応電子衝突解離

项目摘要

人類及び地球の繁栄のための持続的な開発を推進する上で，電子情報ナノシステムの発展は欠かせない．システムを構成する集積回路・センサ・アクチュエータなどの素子の作製は，微細加工・プラズマエッチングが基盤技術となり，現在１原子１分子レベルの反応プロセス制御『アトミックスケールエンジニアリング』が要求されるにもかかわらず，プラズマエッチング技術の開発には，試行錯誤が繰り返され，理論に基づく予測や原理に則した革新的な技術が創出されているとは言い難い．このような背景から，エッチング反応の原理的な解明が必要である．本研究では，この解明を達成する為，反応過程をⅠ）気相中反応，Ⅱ）活性種輸送，Ⅲ）表面反応の３段階に階層化し，階層的に解析スキームを構築することを目指す．それぞれ，原理的な理論構築から計算科学を活用したシミュレーション予測，反応を素過程に細分化した実証・検証実験，さらに大量生産に対応できるエッチング装置での実験，プラズマと表面の相互作用の進展を動力学解析等で実施する．すなわち，理論－計算－実験を統合した研究基盤を構築するアプローチを探索しながら，プラズマと表面の相互作用の『アトミックスケールエンジニアリング』を学問体系化し，次代イノベーション電子情報デバイスの創出に貢献する基盤技術を開拓する．今年度は，バーチャル実験環境の構築に，高アスペクト比構造の高材料選択比プラズマエッチング加工を取り上げた．そこで，過去においてもエッチング使用の経験のないハイドロフルオロカーボンのガスに着目し，数々の分子について量子化学計算を進め，電子衝突が及ぼす励起解離の予測に取り組んだ．

The operation of the human and the earth system has been promoted to the market, and the electronic information system has been used to improve the performance of the exhibition. The application of the integrated circuit has been completed, and the basic technology of the micromachining system has been improved. At present, one atom and one molecule counteract each other, and the technology is required to operate in the same way as in the first atom and molecule in the first place. Now, in the case of one atom and one molecule, the technology of one atom and one molecule does not change. In this study, it is necessary to understand the principle of reflection. In this study, the results show that the process of reflection is: I) in the phase, II) active transport, III) Surface reflection. The analysis of the principle is not accurate. The theory of the principle, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the principle, the calculation of the principle, In the process of differentiation, a large number of experiments have been carried out, such as the development of equipment, the analysis of dynamics, and so on. Theory-calculation-integrated research basis theory-calculation-integrated research basis for the study of experimental data. In order to improve the quality of the environment, high quality materials are selected for the construction of high-quality materials for the purpose of improving the quality of the environment, environmental protection, environmental protection and environmental protection. In the past, the quantum chemical calculation of quantum chemistry has been carried out in the presence of high temperature, low temperature, high temperature, high temperature

项目成果

期刊论文数量（76）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Highly efficient exosome capture by carbon nanowalls template

碳纳米墙模板高效捕获外泌体

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takumi Hashimoto;Hiroki Kondo;Hiromasa Tanaka;Kenji Ishikawa;Takayoshi Tsutsumi;Makoto Sekine;Takao Yasui;Yoshinobu Baba;Mineo Hiramatsu;Masaru Hori
通讯作者：
Masaru Hori

低温プラズマ科学研究センター

低温等离子体科学研究中心

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

On the Etching Mechanism of Highly Hydrogenated SiN Films by CF4/D2 Plasma: Comparison with CF4/H2

CF4/D2等离子体刻蚀高度氢化SiN薄膜的机理：与CF4/H2的比较

DOI：
10.3390/coatings11121535
发表时间：
2021
期刊：
Coatings
影响因子：
3.4
作者：
Shih-Nan Hsiao;Thi-Thuy-Nga Nguyen;Takayoshi Tsutsumi;Kenji Ishikawa;Makoto Sekine;Masaru Hori
通讯作者：
Masaru Hori

Nanoscale Dry Processes for Controlling Atomic Layer Reactions and Fabrication of High-Aspect-Ratio Features

用于控制原子层反应和制造高纵横比特征的纳米级干法工艺