Innovation in atomically controlled engineering of plasma etching technology with builiding a collaborative environment for theory, computation, and measurement

等离子刻蚀技术原子控制工程创新,构建理论、计算和测量协作环境

基本信息

  • 批准号:
    21H01073
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

人類及び地球の繁栄のための持続的な開発を推進する上で,電子情報ナノシステムの発展は欠かせない.システムを構成する集積回路・センサ・アクチュエータなどの素子の作製は,微細加工・プラズマエッチングが基盤技術となり,現在1原子1分子レベルの反応プロセス制御『アトミックスケールエンジニアリング』が要求されるにもかかわらず,プラズマエッチング技術の開発には,試行錯誤が繰り返され,理論に基づく予測や原理に則した革新的な技術が創出されているとは言い難い.このような背景から,エッチング反応の原理的な解明が必要である.本研究では,この解明を達成する為,反応過程をⅠ)気相中反応,Ⅱ)活性種輸送,Ⅲ)表面反応の3段階に階層化し,階層的に解析スキームを構築することを目指す.それぞれ,原理的な理論構築から計算科学を活用したシミュレーション予測,反応を素過程に細分化した実証・検証実験,さらに大量生産に対応できるエッチング装置での実験,プラズマと表面の相互作用の進展を動力学解析等で実施する.すなわち,理論-計算-実験を統合した研究基盤を構築するアプローチを探索しながら,プラズマと表面の相互作用の『アトミックスケールエンジニアリング』を学問体系化し,次代イノベーション電子情報デバイスの創出に貢献する基盤技術を開拓する.今年度は,バーチャル実験環境の構築に,高アスペクト比構造の高材料選択比プラズマエッチング加工を取り上げた.そこで,過去においてもエッチング使用の経験のないハイドロフルオロカーボンのガスに着目し,数々の分子について量子化学計算を進め,電子衝突が及ぼす励起解離の予測に取り組んだ.
The operation of the human and the earth system has been promoted to the market, and the electronic information system has been used to improve the performance of the exhibition. The application of the integrated circuit has been completed, and the basic technology of the micromachining system has been improved. At present, one atom and one molecule counteract each other, and the technology is required to operate in the same way as in the first atom and molecule in the first place. Now, in the case of one atom and one molecule, the technology of one atom and one molecule does not change. In this study, it is necessary to understand the principle of reflection. In this study, the results show that the process of reflection is: I) in the phase, II) active transport, III) Surface reflection. The analysis of the principle is not accurate. The theory of the principle, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the theory, the calculation of the principle, the calculation of the principle, the calculation of the principle, In the process of differentiation, a large number of experiments have been carried out, such as the development of equipment, the analysis of dynamics, and so on. Theory-calculation-integrated research basis theory-calculation-integrated research basis for the study of experimental data. In order to improve the quality of the environment, high quality materials are selected for the construction of high-quality materials for the purpose of improving the quality of the environment, environmental protection, environmental protection and environmental protection. In the past, the quantum chemical calculation of quantum chemistry has been carried out in the presence of high temperature, low temperature, high temperature, high temperature

项目成果

期刊论文数量(76)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Highly efficient exosome capture by carbon nanowalls template
碳纳米墙模板高效捕获外泌体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takumi Hashimoto;Hiroki Kondo;Hiromasa Tanaka;Kenji Ishikawa;Takayoshi Tsutsumi;Makoto Sekine;Takao Yasui;Yoshinobu Baba;Mineo Hiramatsu;Masaru Hori
  • 通讯作者:
    Masaru Hori
低温プラズマ科学研究センター
低温等离子体科学研究中心
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
On the Etching Mechanism of Highly Hydrogenated SiN Films by CF4/D2 Plasma: Comparison with CF4/H2
CF4/D2等离子体刻蚀高度氢化SiN薄膜的机理:与CF4/H2的比较
  • DOI:
    10.3390/coatings11121535
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Shih-Nan Hsiao;Thi-Thuy-Nga Nguyen;Takayoshi Tsutsumi;Kenji Ishikawa;Makoto Sekine;Masaru Hori
  • 通讯作者:
    Masaru Hori
Nanoscale Dry Processes for Controlling Atomic Layer Reactions and Fabrication of High-Aspect-Ratio Features
用于控制原子层反应和制造高纵横比特征的纳米级干法工艺
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kenji Ishikawa;Thi-Thuy-Nga Nguye;Takayoshi Tsutsumi;S-N Hsaio;Makoto Sekine;and Masaru Hori
  • 通讯作者:
    and Masaru Hori
高アスペクトホールエッチングにおけるストライエーションの形成メカニズム
高深宽孔刻蚀条纹形成机理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大村 光広;橋本 惇一;足立 昂拓;近藤 祐介;石川 勝朗;阿部 淳子;酒井 伊都子;林 久貴;関根 誠;堀 勝
  • 通讯作者:
    堀 勝
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

関根 誠其他文献

非平衡大気圧プラズマ照射培養液中の酸窒化活性種の計測と抗腫瘍効果
非平衡大气压等离子体辐照培养液中氧氮化活性物质的测定及抗肿瘤作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石川 健治   倉家 尚之;田中 宏昌;近藤 隆;水野 寛子; 大沼 章子;加藤 昌志;中村 香江;梶山 広明; 竹田 圭吾;近藤 博基;関根 誠; 吉川 史隆;水野 正明;堀 勝
  • 通讯作者:
    堀 勝
CTA prospects for new physics at the galactic center.
CTA 对银河系中心新物理学的展望。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    胡 留剛;堤 隆嘉;蕭 世男;近藤 博基;石川 健治;関根 誠;堀 勝;Oscar Macias
  • 通讯作者:
    Oscar Macias
フレキシブルデバイス創製に向けたプラズマ-ソフトマテリアル相互作用の解析
分析等离子体-软材料相互作用以创建柔性设备
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    趙 研;節原 裕一;竹中 弘祐;白谷 正治;関根 誠;堀 勝
  • 通讯作者:
    堀 勝
高効率エクソソーム解析に向けたカーボンナノウォール テンプレートの 表面電位制御
碳纳米墙模板的表面电位控制用于高效外泌体分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    橋本 拓海;近藤 博基;田中 宏昌;石川 健治;堤 隆嘉;関根 誠;安井 隆雄;馬場 嘉信;平松 美根男;堀 勝
  • 通讯作者:
    堀 勝
Novel Mechanochemical Synthesis of Carbon Nanomaterials by a High Speed Ball-Milling Process
通过高速球磨工艺新型机械化学合成碳纳米材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    趙 研;節原 裕一;竹中 弘祐;白谷 正治;関根 誠;堀 勝;S. Ohara
  • 通讯作者:
    S. Ohara

関根 誠的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

10nm解像・極紫外(EUV)顕微鏡を実現するLayer by layerエッチング波面制御法の開発
开发逐层蚀刻波前控制方法实现10nm分辨率极紫外(EUV)显微镜
  • 批准号:
    24H00434
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
局在光を活用したエッチングによる完全平滑表面創製技術の確立
建立通过局部光蚀刻实现完全光滑表面的技术
  • 批准号:
    24KJ0524
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
レーザ援用光電気化学エッチング法による可視帯光回路光源の開発
激光辅助光电化学刻蚀法可见光波段光路光源的研制
  • 批准号:
    24K17318
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
新しい基板主面と新しいエッチング手法による酸化ガリウム微細加工デバイスの開発
使用新衬底主表面和新蚀刻方法开发氧化镓微加工器件
  • 批准号:
    24K01368
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超音速分子線照射による遷移金属材料に対する原子層エッチング表面反応機構の解明
超声分子束辐照阐明过渡金属材料原子层刻蚀表面反应机理
  • 批准号:
    24K08246
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
クラスタービーム原子層エッチングと照射位置制御を用いた超高精度形状創成
使用簇束原子层蚀刻和照射位置控制进行超高精度形状创建
  • 批准号:
    23K22649
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ジケトン分子吸着過程およびガスクラスターイオンビーム照射による表面反応過程の解明
通过气体团簇离子束照射阐明二酮分子的吸附过程和表面反应过程
  • 批准号:
    23K13236
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
MIR-laser assisted near-field etching ~ contactless super-planarization of compound semiconductors
中红外激光辅助近场蚀刻 ~ 化合物半导体的非接触超平坦化
  • 批准号:
    23K03616
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
トライボプラズマを援用したダイヤモンド基板の高能率ドライエッチング法の開発
利用摩擦等离子体开发金刚石基底的高效干法蚀刻方法
  • 批准号:
    23K03621
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Ultra-precise fabrication technology by location specific atomic layer etching with cluster beam
利用簇束进行位置特定原子层蚀刻的超精密制造技术
  • 批准号:
    22H01378
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了