Innovation in atomically controlled engineering of plasma etching technology with builiding a collaborative environment for theory, computation, and measurement
等离子刻蚀技术原子控制工程创新,构建理论、计算和测量协作环境
基本信息
- 批准号:21H01073
- 负责人:
- 金额:$ 11.65万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
人類及び地球の繁栄のための持続的な開発を推進する上で,電子情報ナノシステムの発展は欠かせない.システムを構成する集積回路・センサ・アクチュエータなどの素子の作製は,微細加工・プラズマエッチングが基盤技術となり,現在1原子1分子レベルの反応プロセス制御『アトミックスケールエンジニアリング』が要求されるにもかかわらず,プラズマエッチング技術の開発には,試行錯誤が繰り返され,理論に基づく予測や原理に則した革新的な技術が創出されているとは言い難い.このような背景から,エッチング反応の原理的な解明が必要である.本研究では,この解明を達成する為,反応過程をⅠ)気相中反応,Ⅱ)活性種輸送,Ⅲ)表面反応の3段階に階層化し,階層的に解析スキームを構築することを目指す.それぞれ,原理的な理論構築から計算科学を活用したシミュレーション予測,反応を素過程に細分化した実証・検証実験,さらに大量生産に対応できるエッチング装置での実験,プラズマと表面の相互作用の進展を動力学解析等で実施する.すなわち,理論-計算-実験を統合した研究基盤を構築するアプローチを探索しながら,プラズマと表面の相互作用の『アトミックスケールエンジニアリング』を学問体系化し,次代イノベーション電子情報デバイスの創出に貢献する基盤技術を開拓する.今年度は,バーチャル実験環境の構築に,高アスペクト比構造の高材料選択比プラズマエッチング加工を取り上げた.そこで,過去においてもエッチング使用の経験のないハイドロフルオロカーボンのガスに着目し,数々の分子について量子化学計算を進め,電子衝突が及ぼす励起解離の予測に取り組んだ.
The development of mankind and the earth's prosperity and prosperity will continue to advance. The development of electronic information technology will continue to advance. In order to improve the quality of the products, we should pay attention to the quality of the products. We should pay attention to the quality of the products. We should pay attention to the quality of the products. Theory is based on prediction, principle is innovative, technology is innovative and difficult to create. The explanation of the principle of anti-corruption is necessary. In this study, we found that the reaction process is composed of Ⅰ) reaction in gaseous phase, Ⅱ) transport of active species, Ⅲ) three-stage stratification of surface reaction, and the structure of hierarchical analysis. The theoretical construction of the principle, the application of computational science, the prediction, the subdivision, the verification, the implementation of mass production, the development of surface interaction dynamics, etc. We will explore the construction of a research foundation that integrates theory, calculation, and practice, systematize the knowledge of the interaction between surface and surface, and pioneer the foundation technology that contributes to the creation of the next generation of electronic information devices. This year, the construction of the environment, high quality ratio structure of high material selection ratio, high quality processing. In the past, quantum chemistry calculations, electron collisions and excitation dissociation predictions were developed for molecular systems.
项目成果
期刊论文数量(76)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Highly efficient exosome capture by carbon nanowalls template
碳纳米墙模板高效捕获外泌体
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takumi Hashimoto;Hiroki Kondo;Hiromasa Tanaka;Kenji Ishikawa;Takayoshi Tsutsumi;Makoto Sekine;Takao Yasui;Yoshinobu Baba;Mineo Hiramatsu;Masaru Hori
- 通讯作者:Masaru Hori
On the Etching Mechanism of Highly Hydrogenated SiN Films by CF4/D2 Plasma: Comparison with CF4/H2
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- DOI:10.3390/coatings11121535
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:3.4
- 作者:Shih-Nan Hsiao;Thi-Thuy-Nga Nguyen;Takayoshi Tsutsumi;Kenji Ishikawa;Makoto Sekine;Masaru Hori
- 通讯作者:Masaru Hori
Nanoscale Dry Processes for Controlling Atomic Layer Reactions and Fabrication of High-Aspect-Ratio Features
用于控制原子层反应和制造高纵横比特征的纳米级干法工艺
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kenji Ishikawa;Thi-Thuy-Nga Nguye;Takayoshi Tsutsumi;S-N Hsaio;Makoto Sekine;and Masaru Hori
- 通讯作者:and Masaru Hori
高アスペクトホールエッチングにおけるストライエーションの形成メカニズム
高深宽孔刻蚀条纹形成机理
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大村 光広;橋本 惇一;足立 昂拓;近藤 祐介;石川 勝朗;阿部 淳子;酒井 伊都子;林 久貴;関根 誠;堀 勝
- 通讯作者:堀 勝
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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S. Ohara
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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