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Understanding Channel Conductance Mechanism of Hf-based Ferroelectric-gate FETs Toward the Artificial Neural Network Application

Understanding Channel Conductance Mechanism of Hf-based Ferroelectric-gate FETs Toward the Artificial Neural Network Application
了解铪基铁电栅 FET 的沟道电导机制以实现人工神经网络应用
批准号：
19K15021
负责人：
Toprasertpong Kasidit
金额：
$2.75万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15021/
关键词：
強誘電体FETFeFETAI計算HZO界面デバイス物理強誘電体ゲートトランジスタ人工神経回路網酸化ハフニウム

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基材类型对TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si MFS电容器电特性的影响
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, トープラサートポン カシディット，田原建人，福井太一郎，竹中充，高木信一]
通讯作者： トープラサートポン カシディット，田原建人，福井太一郎，竹中充，高木信一
Researchmap
研究地图
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Advanced CMOS technologies for ultra-low power logic and AI applications
DOI： 10.1109/edtm50988.2021.9420870
发表时间： 2021-04
期刊： 2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)
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作者： [S. Takagi;Kasidit Toprascrtpong;Kimihiko Kato;K. Sumita;E. Nako;R. Nakane;K. Jo;M. Takenaka]
通讯作者： S. Takagi;Kasidit Toprascrtpong;Kimihiko Kato;K. Sumita;E. Nako;R. Nakane;K. Jo;M. Takenaka
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发表时间： 2020
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影响因子： --
作者： [Heiji Watanabe, Takuji Hosoi, Mikito Nozaki, Hidetoshi Mizobata, Takayoshi Shimura, トープラサートポン カシディット，林ザオヤーン，李宗恩，竹中充，高木信一]
通讯作者： トープラサートポン カシディット，林ザオヤーン，李宗恩，竹中充，高木信一
共 15 条
    国内基金
    海外基金
    多栅 2D-FeFET 存算一体器件研究
    原子尺度下HfO2基FeFET唤醒效应的微观机理研究
    • 批准号：
      12374093
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      53万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      郑帅至
    • 依托单位：
      湘潭大学
    基于多栅 2D-FeFET 的存算一体芯片设计与集成关键技术
    • 批准号：
      LDT23F0402
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      夏银水
    • 依托单位：
      宁波大学
    三维异质异构FeFET 存算一体芯片集成技术