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Understanding Channel Conductance Mechanism of Hf-based Ferroelectric-gate FETs Toward the Artificial Neural Network Application

了解铪基铁电栅 FET 的沟道电导机制以实现人工神经网络应用

基本信息

批准号：
19K15021
负责人：
Toprasertpong Kasidit
金额：
$ 2.75万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（14）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si MFSキャパシタの電気特性に与える基板タイプの影響

基材类型对TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si MFS电容器电特性的影响

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Toprasertpong;M. Takenaka;and S. Takagi;トープラサートポンカシディット，田原建人，福井太一郎，竹中充，高木信一
通讯作者：
トープラサートポンカシディット，田原建人，福井太一郎，竹中充，高木信一

Researchmap

研究地图

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Advanced CMOS technologies for ultra-low power logic and AI applications

DOI：
10.1109/edtm50988.2021.9420870
发表时间：
2021-04
期刊：
2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)
影响因子：
0
作者：
S. Takagi;Kasidit Toprascrtpong;Kimihiko Kato;K. Sumita;E. Nako;R. Nakane;K. Jo;M. Takenaka
通讯作者：
S. Takagi;Kasidit Toprascrtpong;Kimihiko Kato;K. Sumita;E. Nako;R. Nakane;K. Jo;M. Takenaka

Si強誘電体FETにおける強誘電分極・反転層電荷・トラップ電荷のカップリングとメモリ特性への影響

Si铁电FET中铁电极化、反型层电荷和俘获电荷的耦合及其对存储特性的影响

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Heiji Watanabe;Takuji Hosoi;Mikito Nozaki;Hidetoshi Mizobata;Takayoshi Shimura;トープラサートポンカシディット，林ザオヤーン，李宗恩，竹中充，高木信一
通讯作者：
トープラサートポンカシディット，林ザオヤーン，李宗恩，竹中充，高木信一

Si強誘電体FETにおける強誘電分極に誘起される反転層電荷の振る舞い

Si铁电FET中铁电极化诱导的反型层电荷行为

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Nozaki;D. Terashima;A. Yoshigoe;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;トープラサートポンカシディット，林ザオヤーン，李宗恩，竹中充，高木信一
通讯作者：
トープラサートポンカシディット，林ザオヤーン，李宗恩，竹中充，高木信一

DOI：
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作者：
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Toprasertpong Kasidit其他文献

Accurate evaluation of specific contact resistivity between InAs/Ni?InAs alloy using a multi-sidewall transmission line method

采用多侧壁传输线法准确评估InAs/Ni?InAs合金之间的比接触电阻率

DOI：
10.35848/1347-4065/ab6cb3
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sumita Kei;Kato Kimihiko;Takeyasu Jun;Toprasertpong Kasidit;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits

用于中红外光子集成电路的绝缘体上Ge平台

DOI：
10.1149/10904.0047ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Takenaka Mitsuru;Zhao Ziqiang;Ho Chong Pei;Fujigaki Takumi;Piyapatarakul Tipat;Miyatake Yuto;Tang Rui;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

カテキズムの改変―ホプトン・ホール写本の『一般信徒のための教理問答』と読者層

教义问答的修改：霍普顿霍尔手稿的教义问答为外行人士和读者提供

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sumita Kei;Min-Soo Kang;Toprasertpong Kasidit;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi;森祥仁;西川　雄太
通讯作者：
西川　雄太

Proposal of Low-Loss Non-Volatile Mid-Infrared Optical Phase Shifter Based on Ge2Sb2Te3S2

基于Ge2Sb2Te3S2</的低损耗非易失性中红外光学移相器的提出

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10.1109/ted.2023.3235865
发表时间：
2023
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
Miyatake Yuto;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Okano Makoto;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru

InGaAs/GaAsP quantum wells and wires for high-efficiency photovoltaic applications

用于高效光伏应用的 InGaAs/GaAsP 量子阱和线

DOI：
10.1109/nano.2016.7751576
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO)
影响因子：
0
作者：
M. Sugiyama;H. Cho;Toprasertpong Kasidit;H. Sodabanlu;Kentaroh Watanabe;Y. Nakano
通讯作者：
Y. Nakano