Development of low temperature Ge atomic layer etching for 3D integration

开发用于 3D 集成的低温 Ge 原子层蚀刻

基本信息

批准号：
19K15053
负责人：
Chang Wen Hsin
金额：
$ 2.75万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（2）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

HIプラズマ処理によるGe MOS界面特性の改善

通过HI等离子体处理改善Ge MOS界面特性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
張文馨;入沢寿史;石井裕之;前田辰郎
通讯作者：
前田辰郎

DOI：
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作者：
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作者：
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Chang Wen Hsin其他文献

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作者：
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