权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Development of low temperature Ge atomic layer etching for 3D integration

开发用于 3D 集成的低温 Ge 原子层蚀刻

基本信息

批准号：
19K15053
负责人：
Chang Wen Hsin
金额：
$ 2.75万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（2）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

HIプラズマ処理によるGe MOS界面特性の改善

通过HI等离子体处理改善Ge MOS界面特性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
張文馨;入沢寿史;石井裕之;前田辰郎
通讯作者：
前田辰郎

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Chang Wen Hsin其他文献

Chang Wen Hsin的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

立即体验

相似海外基金

原子层磁电中磁激子的互相关光学响应

批准号：
24K17019
财政年份：
2024
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

超音速分子線照射による遷移金属材料に対する原子層エッチング表面反応機構の解明

超声分子束辐照阐明过渡金属材料原子层刻蚀表面反应机理

批准号：
24K08246
财政年份：
2024
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

クラスタービーム原子層エッチングと照射位置制御を用いた超高精度形状創成

使用簇束原子层蚀刻和照射位置控制进行超高精度形状创建

批准号：
23K22649
财政年份：
2024
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Collaborative Research: Scalable Nanomanufacturing Platform for Area-Selective Atomic Layer Deposition of Components for Ultra-Efficient Functional Devices

合作研究：用于超高效功能器件组件的区域选择性原子层沉积的可扩展纳米制造平台

批准号：
2225900
财政年份：
2023
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Standard Grant

Elucidation and control of excitonic potentials in atomic layer materials

原子层材料中激子势的阐明和控制

批准号：
23K13043
财政年份：
2023
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

Electronic states of artificially-stacked atomic-layer thinfilms with Rashba effect and topological electronic states

具有Rashba效应的人工堆叠原子层薄膜的电子态和拓扑电子态

批准号：
23H01853
财政年份：
2023
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Atomic-Layer Dependent Adhesion of Two-Dimensional Transitional Metal Carbides (MXenes)

二维过渡金属碳化物 (MXenes) 的原子层依赖性粘附

批准号：
2414708
财政年份：
2023
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Standard Grant

Ultra Fast X-ray absorption study on photo-excited electron in Pt / one-atomic layer ox ide systems

Pt/单原子层氧化物体系中光激发电子的超快X射线吸收研究

批准号：
22KF0009
财政年份：
2023
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Microscopic study of quantum phase transition on atomic-layer superconductors

原子层超导体量子相变的微观研究

批准号：
22KJ0920
财政年份：
2023
资助金额：
$ 2.75万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows