Development of low temperature Ge atomic layer etching for 3D integration
Development of low temperature Ge atomic layer etching for 3D integration
开发用于 3D 集成的低温 Ge 原子层蚀刻
批准号：
19K15053
负责人：
Chang Wen Hsin
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
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HIプラズマ処理によるGe MOS界面特性の改善
通过HI等离子体处理改善Ge MOS界面特性
通过HI等离子体处理改善Ge MOS界面特性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 前田辰郎]
通讯作者：
前田辰郎
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