Growth of 2D semiconductors-based lateral homojunctions
Growth of 2D semiconductors-based lateral homojunctions
批准号:
19K15403
负责人:
Okada Mitsuhiro
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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DOI:
10.35848/1347-4065/abd6d6
发表时间:
2021-01
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Mitsuhiro Okada;N. Okada;W. Chang;Tetsuo Shimizu;T. Kubo;M. Ishihara;T. Irisawa]
通讯作者:
Mitsuhiro Okada;N. Okada;W. Chang;Tetsuo Shimizu;T. Kubo;M. Ishihara;T. Irisawa
Gas-source chemical vapor deposition growth of tungsten disulphide atomic layers with high grain size uniformity
高晶粒尺寸均匀性二硫化钨原子层的气源化学气相沉积生长
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[岡田 光博, 岡田 直也, 張 文馨, 清水 哲夫, 久保 利隆, 入沢 寿史]
通讯作者:
入沢 寿史
University of Texas at Austin(米国)
德克萨斯大学奥斯汀分校(美国)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Growth of MoS2-Nb-doped MoS2 lateral homojunctions: A monolayer p-n diode by substitutional doping
MoS2-Nb 掺杂 MoS2 横向同质结的生长:通过替代掺杂的单层 p-n 二极管
DOI:
10.1063/5.0070333
发表时间:
2021
期刊:
APL Materials
影响因子:
6.1
作者:
[Mitsuhiro Okada, Naoka Nagamura, Tarojiro Matsumura, Yasunobu Ando, Anh Khoa Augustin Lu, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Takeshi Nakanishi, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Toshifumi Irisawa, Takatoshi Yamada]
通讯作者:
Takatoshi Yamada
元素置換ドープによるMoS2ラテラルホモp-n接合の実現
通过元素替代掺杂实现MoS2横向同质p-n结
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[岡田 光博, 入沢 寿史, 岡田 直也, 張 文馨, 清水 哲夫, 久保 利隆]
通讯作者:
久保 利隆
共 15 条
"Philosophy of Proofs" - Towards New Developments of Philosophy of Logic and Mathematics
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批准号:17H02265
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.48万
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财政年份:2017
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负责人:Okada Mitsuhiro
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依托单位:
Interdisciplinary study on logic, with a special focus on intuitionistic logic
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批准号:26284005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$3.58万
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财政年份:2014
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负责人:Okada Mitsuhiro
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依托单位:
海外基金