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ファンデアワールス相互作用によるヘテロエピタキシャル成長と界面構造の解明

阐明范德华相互作用引起的异质外延生长和界面结构

基本信息

批准号：
05211206
负责人：
小間篤
金额：
$ 1.98万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は,ファンデアワールスで結合界面を利用した単結晶ヘテロエピタキシャル成長における初期過程を,走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて解明することを目的としている。我々は層状物質の劈開面の様に,活性なダングリングボンドが現れないファンデアワールス表面上に,別の層状物質をヘテロ成長させるときには,50%以上の格子不整合があっても良好なエピタキシャルが可能であることを明らかにしてきた。このような系では極めて急峻なファンデアワールス界面を介して,格子間隔の異なる2種の物質が接した構造が実現できるため,走査トンネル顕微鏡像には,モアレタイプの変調構造が明瞭に現れる。モアレ変調構造には,エピタキシャル超薄膜の格子間隔の微小なずれや,基板結晶に対する結晶軸の微小な回転が著しく強調されて現れるので,これを利用することにより,エピタキシャル超薄膜中の局所歪みに関する知見を得ることができる。本研究では,2H-MoS_2基板上に,成長温度を種々に変えてMoSe_2超薄膜をエピタキシャル成長させ,STMの変調構造の観測を行った。その結果,温度520℃で成長したエピタキシャルでは,0.71%の格子間隔の局所的変動が15.8%に,また,0.24°の結晶軸の局所的回転が6°にそれぞれ強調されてモアレ変調に見えることが判明した。モデル計算との比較により,上述のモアレ変調構造を利用した評価法を用いれば,エピタキシャル膜中の格子間隔並びに結晶軸の,約10nmごとの超局所的変動を,それぞれ0.1%,0.01°の精度で調べられることが明らかになった。

In this study, the use of した単crystallization ヘテロエピタキシャルにおIn the early stages of the process, the purpose of the walk-through of the STM Microscope was explained. I am a cleavage surface of the layered material, an active material The surface of the surface is different, the layered material is differentさせるときにはロGrowth, more than 50% of the grid is not integrated があってもGood なエピタキシャルがpossibleであることを明らかにしてきた.このような System では Extreme めて sharp なファンデアワールスInterface を Introduction して, lattice interval のdifferent なる 2 kinds of materials が connectionしたstructuringが実appearsできるため,walking through the トンネル顕micromirror には,モアレタイプの変adjusting structure がclearly showing れる. The structure of the モアレ変devida is adjusted, the lattice spacing of the エピタキシャル ultra-thin film is very small, the substrate crystallization is very small, the crystal axis is very small, and the thickness is strong. Adjustment of the situation What's wrong with the シャルUltra-thin film? In this study, the growth temperature of the MoSe_2 ultra-thin film on the 2H-MoS_2 substrate was measured, and the STM structure was measured. As a result, the temperature is 520℃, the growth rate is 15.8%, and the growth rate is 0.71%. , また, the 0.24° crystal axis of the bureau's return to the 6° にそれぞれ emphasizes the されてモアレ変调に见えることが clarifies the した. The calculation and comparison of the モデルとの comparison method, the above-mentioned のモアレ変変adjusted structure をutilizes the した evaluation 価 method を uses いれば, and the lattice intervals in the エピタキシャル film are combined. The crystallization axis is about 10nm, and the ultra-local vibration is 0.1%, and the precision is 0.01°.