Heterojunction formation of conductive diamond and GaN, Ga2O3 for vertical device applications
用于垂直器件应用的导电金刚石和 GaN、Ga2O3 异质结形成
基本信息
- 批准号:20K04581
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ダイヤモンドと異種材料の直接接合による超耐熱マテリアルの開発とその応用について
金刚石与异种材料直接结合超耐热材料的研制及其应用
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:梁剣波;重川直輝
- 通讯作者:重川直輝
High Performance GaN-on-Diamond Devices Fabrication using Diamond Wafer Bonding Technology
使用金刚石晶圆键合技术制造高性能金刚石基氮化镓器件
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Jianbo Liang;Yutaka Ohno;Naoteru Shigekawa
- 通讯作者:Naoteru Shigekawa
ラマン分光 スペクトルデータ解析事例集
拉曼光谱光谱数据分析案例集
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:今園孝志;西原弘晃;浮田龍一;林 信和;笹井浩行;長野哲也;田中耕平 他
- 通讯作者:田中耕平 他
High Temperature Stability of p+-Si/p-Diamond Heterojunction diodes
p-Si/p-金刚石异质结二极管的高温稳定性
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yota Uehigashi;Shinya Ohmagari;Hitoshi Umezawa;Hideaki Yamada;Jianbo Liang;and Naoteru Shigekawa
- 通讯作者:and Naoteru Shigekawa
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Liang Jianbo其他文献
Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high power device applications
高功率器件应用的 β-Ga2O3/Si 异质界面的制备和界面结构的表征
- DOI:
10.35848/1347-4065/ac4c6c - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru - 通讯作者:
Shigekawa Naoteru
Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam
使用聚焦离子束对 SAB 制造的界面进行结构分析中的伪影
- DOI:
10.23919/ltb-3d.2019.8735379 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Ohno Yutaka;Yoshida Hideto;Kamiuchi Naoto;Aso Ryotaro;Takeda Seiji;Shimizu Yasuo;Ebisawa Naoki;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru - 通讯作者:
Shigekawa Naoteru
センサ技術を用いた細菌の検出・同定
使用传感器技术检测和识别细菌
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru;嶋田泰佑 - 通讯作者:
嶋田泰佑
Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding
聚焦离子束对表面活化粘合制造的界面的结构和成分分析的影响
- DOI:
10.7567/1347-4065/ab4b15 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Ohno Yutaka;Yoshida Hideto;Kamiuchi Naoto;Aso Ryotaro;Takeda Seiji;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru - 通讯作者:
Shigekawa Naoteru
AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process
采用先键合工艺制备的具有厚氮化物层的金刚石 HEMT 上的 AlGaN/GaN/3C-SiC
- DOI:
10.35848/1882-0786/ac5ba7 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Kagawa Ryo;Kawamura Keisuke;Sakaida Yoshiki;Ouchi Sumito;Uratani Hiroki;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru - 通讯作者:
Shigekawa Naoteru
Liang Jianbo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似国自然基金
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑
金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础
研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
新型自支撑GaN/二维GaSe范德华异质结垂直结构紫外光电探测器研究
- 批准号:QZQN25F050009
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
GaN功率器件动态阈值不稳定诱导退化机理研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
面向无人机应用的增强型p-gate
AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及
机理研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
GaN基电子器件界面热输运机理研究
- 批准号:2025JJ50045
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
免造影剂增强心脏CT技术:深度学习GAN与U-Net架构的融合应用
- 批准号:2025JJ80644
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
基于GAN-PSO智能算法的高性能Mg-Mn系变形镁合金设计
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
大尺寸 Si 基 GaN 材料外延及功率器件开发关键技术
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
相似海外基金
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号:
24K08270 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Highly integrated GaN power converter to calm the interference
高集成GaN功率转换器,平息干扰
- 批准号:
EP/Y002261/1 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Research Grant
高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究
高Al组分GaN-HEMT漏极电流传导机制的基础研究
- 批准号:
24K07598 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
- 批准号:
23K26158 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC
- 批准号:
23K26163 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現
高效可靠垂直GaN结型场效应晶体管的实现
- 批准号:
24KJ1270 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
- 批准号:
24KJ0142 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Vertical GaN-on-Si membrane power transistors: Efficient power electronics for mass-market applications (VertiGaN)`
垂直硅基氮化镓薄膜功率晶体管:面向大众市场应用的高效电力电子器件 (VertiGaN)`
- 批准号:
EP/X014924/1 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Research Grant














{{item.name}}会员




