Heterojunction formation of conductive diamond and GaN, Ga2O3 for vertical device applications

用于垂直器件应用的导电金刚石和 GaN、Ga2O3 异质结形成

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GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価
GaN/金刚石结界面的表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    梁剣波;清水康雄;大野裕;永井康介;重川直輝
  • 通讯作者：
    重川直輝
High Temperature Stability of p+-Si/p-Diamond Heterojunction diodes
p-Si/p-金刚石异质结二极管的高温稳定性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yota Uehigashi;Shinya Ohmagari;Hitoshi Umezawa;Hideaki Yamada;Jianbo Liang;and Naoteru Shigekawa
  • 通讯作者：
    and Naoteru Shigekawa
ダイヤモンドと異種材料の直接接合による超耐熱マテリアルの開発とその応用について
金刚石与异种材料直接结合超耐热材料的研制及其应用
High Performance GaN-on-Diamond Devices Fabrication using Diamond Wafer Bonding Technology
使用金刚石晶圆键合技术制造高性能金刚石基氮化镓器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Jianbo Liang;Yutaka Ohno;Naoteru Shigekawa
  • 通讯作者：
    Naoteru Shigekawa
GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価
金刚石上 GaN HEMT 结构的制造和表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    早川 譲稀 ;大野 裕 ;永井 康介 ;重川 直輝 ;梁 剣波
  • 通讯作者：
    梁 剣波
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
  • 通讯作者：
    Shigekawa Naoteru
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  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Ohno Yutaka;Yoshida Hideto;Kamiuchi Naoto;Aso Ryotaro;Takeda Seiji;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru
  • 通讯作者：
    Shigekawa Naoteru
センサ技術を用いた細菌の検出・同定
使用传感器技术检测和识别细菌
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru;嶋田泰佑
  • 通讯作者：
    嶋田泰佑
Heterojunctions fabricated by surface activated bonding?dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process
通过表面活化键合制造的异质结？其纳米结构和电特性对热处理的依赖性
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ac993f
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
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  • 作者：
    Shigekawa Naoteru;Liang Jianbo;Ohno Yutaka
  • 通讯作者：
    Ohno Yutaka

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