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Heterojunction formation of conductive diamond and GaN, Ga2O3 for vertical device applications

Heterojunction formation of conductive diamond and GaN, Ga2O3 for vertical device applications
用于垂直器件应用的导电金刚石和 GaN、Ga2O3 异质结形成
批准号：
20K04581
负责人：
Liang Jianbo
金额：
$2.75万
依托单位：
Osaka Metropolitan University (2022)Osaka City University (2020-2021)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04581/
关键词：
ダイヤモンドGaN放熱問題Ga2O3直接接合高耐熱性ヘテロ接合GaN/ダイヤモンド直接接合高温耐熱性接合界面構造ダイヤモンドの再結晶中間層Si/ダイヤモンドヘテロ接合電流－電圧特性ヘテロ構造結合状態界面構造耐熱性直接接合界面導電性ダイヤモンド

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GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価
GaN/金刚石结界面的表征
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝]
通讯作者： 重川直輝
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DOI： --
发表时间： 2022
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影响因子： --
作者： [梁剣波, 重川直輝]
通讯作者： 重川直輝
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DOI： --
发表时间： 2023
期刊：
影响因子： --
作者： [Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Naoteru Shigekawa]
通讯作者： Naoteru Shigekawa
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DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [今園孝志, 西原弘晃, 浮田龍一, 林 信和, 笹井浩行, 長野哲也, 田中耕平 他]
通讯作者： 田中耕平 他
共 9 条
    国内基金
    海外基金
    垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘梦涵
    • 依托单位：
      南京信息职业技术学院
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
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    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      戴厚富
    • 依托单位：
      汕头大学