课题基金 / 基金详情

Development of large-area dislocation detection and classification techniques for next-generation power semiconductor beta-Ga2O3

Development of large-area dislocation detection and classification techniques for next-generation power semiconductor beta-Ga2O3
下一代功率半导体β-Ga2O3大面积位错检测和分类技术开发
批准号:
20K05355
负责人:
Yao Yongzhao
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31

项目摘要

项目成果

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(19)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Operando and ex-situ XRT observation of dislocations in β-Ga2O3 SBDs and their glide and multiplication under device operation
β-Ga2O3 SBD 中位错的原位和异位 XRT 观察及其在器件操作下的滑移和倍增
DOI: --
发表时间: 2022
期刊:
影响因子: --
作者: [Y. Yao, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, A. Kuramata, K. Hirano, Y. Sugawara, Y. Ishikawa]
通讯作者: Y. Ishikawa
Domain boundaries in ScAlMgO<sub>4</sub> single crystal observed by synchrotron radiation x-ray topography and reticulography
同步辐射X射线形貌和网状成像观察ScAlMgO<sub>4</sub>单晶晶畴边界
DOI: 10.1088/1361-6641/ac974b
发表时间: 2022
期刊: Semiconductor Science and Technology
影响因子: 1.9
作者: [Yao Yongzhao, Hirano Keiichi, Sugawara Yoshihiro, Ishikawa Yukari]
通讯作者: Ishikawa Yukari
X-ray topography of crystallographic defects in wide-bandgap semiconductors using a high-resolution digital camera
使用高分辨率数码相机对宽带隙半导体中的晶体缺陷进行 X 射线形貌分析
DOI: 10.35848/1347-4065/abd2dd
发表时间: 2021
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [Yao Yongzhao, Sugawara Yoshihiro, Ishikawa Yukari, Hirano Keiichi]
通讯作者: Hirano Keiichi
Observation of dislocations in thick β-Ga2O3 single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron X-ray topography
使用博尔曼效应同步加速器 X 射线形貌观察厚 β-Ga2O3 单晶基板中的位错
DOI: 10.1063/5.0088701
发表时间: 2022
期刊: APL Materials
影响因子: 6.1
作者: [Yao Yongzhao, Hirano Keiichi, Sugawara Yoshihiro, Sasaki Kohei, Kuramata Akito, Ishikawa Yukari]
通讯作者: Ishikawa Yukari
16
    海外基金