酸化ガリウムの表面および界面処理技術の研究
氧化镓表面及界面处理技术研究
基本信息
- 批准号:22K04047
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
2022年度はドライエッチング後の酸化ガリウム(Ga2O3)試料に水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を用いてウエットエッチングを施し,表面平坦化に効果があるか走査電子顕微鏡(SEM)および走査プローブ顕微鏡(SPM)を用いて調べることを予定していた.しかしながら,走査プローブ顕微鏡(SPM)の故障により表面平坦性効果を評価することができなくなってしまったため,2023年度に実施予定であったトレンチ構造の作製を前倒しして行った.はじめに,プラズマCVD(P-CVD)法で酸化ガリウム上にSiO2膜を堆積した.そして,リソグラフィーによるパターニングを施し,ドライエッチングを施すことでSiO2マスクを作製した.次に,Cl2ガスおよびBCl3ガスを用いた誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング(ICP-RIE)にて酸化ガリウムにトレンチ構造を作製した.ドライエッチング条件はガス種,ICP電力,そしてBias電力を変化させた.その結果,酸化ガリウムはICP電力に大きく影響を受け,いずれのガスにおいても高いICP電力値ではサブトレンチ(マイクロトレンチ)が形成されることが明らかになった.サブトレンチが形成したトレンチではトレンチ底部で電解集中が発生する.そのため,ドライエッチングにてトレンチ構造を作製する段階で,ドライエッチングの条件を最適化させる必要があることがわかった.また,Cl2ガスはエッチングレートが遅く,選択比も悪いため,Cl2ガスで深いトレンチ構造を作製することは困難であることが明らかとなった.今年度は走査プローブ顕微鏡(SPM)の使用が可能となったため,昨年度実施する予定であった表面平坦性効果を明らかにしながら,トレンチ形状の変化に及ぼすウエットエッチングの効果を明らかにする予定である.
In the year 2022, the raw materials were used to acidify the raw materials (Ga2O3). The water was acidified, and the TMAH was used. The surface was flattened. As a result, the computer micro-meter (SEM) was used to determine the temperature. The SPM was used to predict the temperature of the device. In the year of 2023, the performance of the SiO2 film was determined by the method of CVD (P-CVD) acidification of the SiO2 film. In the second time, Cl2 was used to use the combination of SiO2 devices with the combination of chemical guidance and guidance. (ICP-RIE) the chemical reaction equipment (ICP-RIE) was used to make the equipment, and the ICP electric power was used to make the equipment. The results show that the acidified Bias power plant is affected by the impact of the ICP power plant, and the high-level ICP power plant is formed as a result of the failure of the ICP power plant. The accident is caused by the formation of a thermal cycle. Please do not know if it is necessary to optimize the conditions. Please do not know if it is necessary to do so. If you want to do so, please do not know if it is necessary to do so. If you do not need to do so, please do not know if it is necessary to do so. If you want to do so, then select Cl2. Cl2 said that it is possible to use a micro-meter (SPM) for this year. Last year, it was predicted that the surface flatness would be smooth. The shape is changed and the shape is changed. The results show that the shape is determined.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
新海 聡子其他文献
低バイアスICP-RIEによるn-GaN表面粗さ評価
通过低偏压 ICP-RIE 评估 n-GaN 表面粗糙度
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
宇﨑 滉太;新海 聡子;大槻 秀夫 - 通讯作者:
大槻 秀夫
新海 聡子的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('新海 聡子', 18)}}的其他基金
銅単結晶配線技術の実現による次世代ULSIの高性能化に関する研究
通过实现铜单晶互连技术提高下一代ULSI性能的研究
- 批准号:
01J06912 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
LSIアルミメタライゼーション技術へのハフニウム膜の適用に関する基礎的研究
铪膜在LSI铝金属化技术中应用的基础研究
- 批准号:
98J01327 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
トライボプラズマを援用したダイヤモンド基板の高能率ドライエッチング法の開発
利用摩擦等离子体开发金刚石基底的高效干法蚀刻方法
- 批准号:
23K03621 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代CMB偏光観測衛星の高感度化を目的とした広帯域シリコンレンズの開発
开发宽带硅透镜旨在提高下一代CMB偏振观测卫星的灵敏度
- 批准号:
22K14052 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Development of silicon optical device for sensitivity improvement of the next generation CMB space mission
开发硅光学器件以提高下一代CMB太空任务的灵敏度
- 批准号:
20K14506 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
通过结构和工艺实现高度稳定的常关型 GaN 晶体管
- 批准号:
19K04528 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Establishment of gallium oxide manufacturing process for trench
沟槽用氧化镓制造工艺的建立
- 批准号:
18K04239 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of metal wiring process with low environmental load using high-density hydrogen radicals
利用高密度氢自由基开发环境负荷低的金属配线工艺
- 批准号:
18K18809 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Leveling nanometer-scale mechanical properties of photopolymerized monomer ultrathin films
光聚合单体超薄膜的纳米级力学性能均化
- 批准号:
15H03860 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Elucidation of UV irradiation effect in plasma etching process of wide gap semiconductors
宽带隙半导体等离子刻蚀过程中紫外辐射效应的阐明
- 批准号:
26390066 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Intrinsic-stress-induced elastic instability of microscopic patterned materials and their morphology control
微观图案材料的内应力引起的弹性不稳定性及其形貌控制
- 批准号:
25630006 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
広視野・超軽量X線望遠鏡とマイクロカロリメータを用いた電荷交換反応の開拓
使用宽视场超轻 X 射线望远镜和微量热计开发电荷交换反应
- 批准号:
13J05865 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows














{{item.name}}会员




