刷新
{{item.name}}会员
Preparation of high durable super-hydrophobic composite films by microwave plasma CVD
微波等离子体CVD制备高耐久超疏水复合薄膜
基本信息
- 批准号：19K05037
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Takai Osamu其他文献
めっき法によるPEEK樹脂樹脂上への銅皮膜パターン形成およびYBCO上への銅皮膜形成
通过电镀法在 PEEK 树脂和 YBCO 上形成铜膜图案
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sasaki Minoru;Noh Joo-Hyong;Takai Osamu;Motohiro Tomoyoshi;信夫勇佑 - 通讯作者：
信夫勇佑
100 m-level Spiral Silicon Micro-Trenches with 3-Step Smooth Sidewalls to Deposit Superconducting Material for Miniaturized Magnetic Energy Storage
具有三级光滑侧壁的 100 米级螺旋硅微沟槽可沉积用于小型化磁能存储的超导材料
- DOI：
10.1541/ieejsmas.142.78 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sasaki Minoru;Noh Joo-Hyong;Takai Osamu;Motohiro Tomoyoshi - 通讯作者：
Motohiro Tomoyoshi
Takai Osamu的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Takai Osamu', 18)}}的其他基金
Synthesis of beta-C3N4 by the dual-microwave plasma
双微波等离子体合成β-C3N4
- 批准号：
15K14186 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
Realization of oxide power device using Li-doped NiMgO single crystal grown by mist CVD method
雾气CVD法生长掺锂NiMgO单晶氧化物功率器件的实现
- 批准号：
21KK0260 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
Development of power device with rock salt structure wide bandgap semiconductor grown by mist CVD method
雾气CVD法生长岩盐结构宽带隙半导体功率器件的研制
- 批准号：
20K04580 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Surface passivation and insulated gate structures for nitride-based semiconductor devices using mist-CVD method
使用雾气CVD法的氮化物基半导体器件的表面钝化和绝缘栅结构
- 批准号：
19K04473 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Realization of wide bandgap p-type oxide semiconductor by mist CVD method and device application
雾气CVD法实现宽带隙p型氧化物半导体及器件应用
- 批准号：
18K13788 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Control and evaluation of conformation of graphene in nano-scale by templating CVD method
模板CVD法对纳米级石墨烯构象的控制与评价
- 批准号：
17K05011 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Synthesis of large graphene grain by CVD method using waste plastics and development of transparent conductive film
利用废塑料CVD法合成大石墨烯颗粒及透明导电薄膜的开发
- 批准号：
15K21076 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Thin film formation of refractory metals using mist CVD method
使用雾气 CVD 法形成难熔金属薄膜
- 批准号：
15K14181 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Mist CVD method for inorganic-organic perovskites solar-cell
无机-有机钙钛矿太阳能电池的雾气CVD法
- 批准号：
15H06343 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Development of an innovative atmospheric-pressure CVD method for the synthesis of graphene films
开发用于合成石墨烯薄膜的创新常压CVD方法
- 批准号：
25800309 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
CVD method diverted from hydrazine thruster technique for the growth of gallium nitride thin film
CVD法从肼推进器技术转向生长氮化镓薄膜
- 批准号：
24656032 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research