Study on Properties of Quantum Heterostructures by Using High Quality alpha-type Gallium Oxide Thin Films

利用高质量α型氧化镓薄膜研究量子异质结构特性

基本信息

  • 批准号:
    18K04958
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(19)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
成膜方法及び成膜装置
成膜方法及成膜设备
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
ミストCVD法によるα型AlGaO混晶組成制御とAl原子の再脱離
雾气CVD法α型AlGaO混晶成分控制及Al原子的再脱附
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Ogawa;T. Shibuya;Y. Moriai;D. Satoh;H. Ikeura-Sekiguchi;E. Terasawa; M. Tanaka;R. Kuroda;太田茉莉香,田中一郎,宇野和行
  • 通讯作者:
    太田茉莉香,田中一郎,宇野和行
塩化物系ガリウム希薄水溶液によるa型酸化ガリウム薄膜のミストCVD成長
使用氯化镓稀水溶液雾气CVD生长a型氧化镓薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松本一寿;中村 幸;田中 一郎;宇野和行
  • 通讯作者:
    宇野和行
Growth Control of α-Ga2O3 Thin Films using Chloride-Based Gallium Source Solutions in Mist Chemical Vapor Deposition
在雾化学气相沉积中使用氯化镓源溶液控制 α-Ga2O3 薄膜的生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kazuyuki Uno;Kazutoshi Matsumoto;and Ichiro Tanaka
  • 通讯作者:
    and Ichiro Tanaka
Mist CVD法を用いたα-(AlGa)2O3混晶成長におけるアセチルアセトナート錯化の影響
乙酰丙酮络合对雾化 CVD 法生长 α-(AlGa)2O3 混晶的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Yokoyama;N. Hirata;H. Tsunoyama;T. Eguchi;Y. Negishi;A. Nakajima;Hiroyuki Odagawa;太田茉莉香,宇野和行,田中一郎
  • 通讯作者:
    太田茉莉香,宇野和行,田中一郎
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  • DOI:
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  • 通讯作者:
    宇野和行
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调节激励电路控制纵向激励CO2激光器激光脉冲波形
  • DOI:
    10.1016/j.optlastec.2017.11.020
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5
  • 作者:
    Uno Kazuyuki;Jitsuno Takahisa
  • 通讯作者:
    Jitsuno Takahisa
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利用纵向激发 CO2 激光进行牙科硬组织钻孔
  • DOI:
    10.1117/12.2284944
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    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Uno Kazuyuki;Yamamoto Takuya;Akitsu Tetsuya;Jitsuno Takahisa
  • 通讯作者:
    Jitsuno Takahisa
軸方向放電励起CO2レーザーの開発と応用
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Uno Kazuyuki;Yamamoto Takuya;Akitsu Tetsuya;Jitsuno Takahisa;宇野和行,實野孝久
  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
    $ 2.83万
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