Study on Properties of Quantum Heterostructures by Using High Quality alpha-type Gallium Oxide Thin Films
Study on Properties of Quantum Heterostructures by Using High Quality alpha-type Gallium Oxide Thin Films
利用高质量α型氧化镓薄膜研究量子异质结构特性
批准号：
18K04958
负责人：
Uno Kazuyuki
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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成膜方法及び成膜装置
成膜方法及成膜设备
成膜方法及成膜设备
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
ミストCVD法によるα型AlGaO混晶組成制御とAl原子の再脱離
雾气CVD法α型AlGaO混晶成分控制及Al原子的再脱附
雾气CVD法α型AlGaO混晶成分控制及Al原子的再脱附
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Ogawa, T. Shibuya, Y. Moriai, D. Satoh, H. Ikeura-Sekiguchi, E. Terasawa, M. Tanaka, R. Kuroda, 太田茉莉香，田中一郎，宇野和行]
通讯作者：
太田茉莉香，田中一郎，宇野和行
塩化物系ガリウム希薄水溶液によるa型酸化ガリウム薄膜のミストCVD成長
使用氯化镓稀水溶液雾气CVD生长a型氧化镓薄膜
使用氯化镓稀水溶液雾气CVD生长a型氧化镓薄膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松本一寿, 中村 幸, 田中 一郎, 宇野和行]
通讯作者：
宇野和行
Alイオン錯化時間とミストCVD成長によるAlGaO混晶成長
通过 Al 离子络合时间和雾气 CVD 生长进行 AlGaO 混合晶体生长
通过 Al 离子络合时间和雾气 CVD 生长进行 AlGaO 混合晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Yokoyama, N. Hirata, H. Tsunoyama, T. Eguchi, Y. Negishi, A. Nakajima, Hiroyuki Odagawa, 太田茉莉香，宇野和行，田中一郎, 飯島智徳，江上喜幸，明楽浩史, 太田茉莉香，宇野和行，田中一郎]
通讯作者：
太田茉莉香，宇野和行，田中一郎
Growth Control of α-Ga2O3 Thin Films using Chloride-Based Gallium Source Solutions in Mist Chemical Vapor Deposition
在雾化学气相沉积中使用氯化镓源溶液控制 α-Ga2O3 薄膜的生长
在雾化学气相沉积中使用氯化镓源溶液控制 α-Ga2O3 薄膜的生长
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kazuyuki Uno, Kazutoshi Matsumoto, and Ichiro Tanaka]
通讯作者：
and Ichiro Tanaka
共 18 条
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