Development of graphite intercalation compound integration technology on insulating substrate and its device applications.

绝缘基材石墨插层复合集成技术及其器件应用研究进展

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Improvement of Electron Emission Efficiency of Graphene-Oxide-Semiconductor Planar-Type Electron Sources for Nanosatellite Neutralizers
纳米卫星中和器用氧化石墨烯半导体平面型电子源电子发射效率的提高
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryo Furuya;Katsuhisa Murakami;Masayoshi Nagao;and Yoshinori Takao
  • 通讯作者：
    and Yoshinori Takao
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Murakami Katsuhisa其他文献

Fabrication of nano-capillary emitter arrays for ionic liquid electrospray thrusters
用于离子液体电喷雾推进器的纳米毛细管发射器阵列的制造
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/abf2d5
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Suzuki Kanta;Nagao Masayoshi;Liu Yongxun;Murakami Katsuhisa;Khumpuang Sommawan;Hara Shiro;Takao Yoshinori
  • 通讯作者：
    Takao Yoshinori
Microscope equipped with graphene-oxide-semiconductor electron source
配备氧化石墨烯半导体电子源的显微镜
Process technology for volcano-structured double-gate Spindt-type field emitter arrays
火山结构双栅Spindt型场发射体阵列工艺技术
Planar type electron emission device using atomic layered materials and its applications
使用原子层状材料的平面型电子发射器件及其应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Murakami Katsuhisa;Matsumoto Naoyuki;Kameda Yukino;Takao Yoshinori;Neo Yoichiro;Yamada Yoichi;Mitsuishi Kazutaka;Sasaki Masahiro;Mimura Hidenori;Nagao Masayoshi
  • 通讯作者：
    Nagao Masayoshi
Electron Emission Study of Planar-Type Electron Emission Devices Based on Nanocrystalline Silicon
基于纳米晶硅的平面型电子发射器件的电子发射研究
  • DOI：
    10.1149/09204.0223ecst
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shimawaki Hidetaka;Mimura Hidenori;Murakami Katsuhisa;Nagao Masayoshi
  • 通讯作者：
    Nagao Masayoshi

Murakami Katsuhisa的其他文献

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Development of ultrahigh efficiency planer-type electron emission devices using a stacked structure of atomic layer materials
使用原子层材料堆叠结构开发超高效率平面型电子发射器件
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  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
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  • 项目类别：
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Direct synthesis of graphene on an insulator substrate by chemical vapor deposition using metal vapor catalysts and development of high efficiency MOS type electron emission devices
使用金属蒸气催化剂通过化学气相沉积在绝缘体基板上直接合成石墨烯并开发高效MOS型电子发射器件
  • 批准号：
    15H05522
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 2.41万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Development of conductive scanning probe microscopy system for highly sensitive current-voltage measurement at nanoscale
开发用于纳米级高灵敏度电流电压测量的导电扫描探针显微镜系统
  • 批准号：
    25630168
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 2.41万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

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半导体化学气相沉积科学
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等离子体化学气相沉积碳纳米管的生长控制及电子发射特性
  • 批准号：
    13750273
  • 财政年份：
    2001
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触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
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    11895001
  • 财政年份：
    1999
  • 资助金额：
    $ 2.41万
  • 项目类别：
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化学気相成長法による珪素包含炭素繊維の高速製造と電極材料への応用
化学气相沉积法高速生产含硅碳纤维及其在电极材料中的应用
  • 批准号：
    08750887
  • 财政年份：
    1996
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化学気相成長法による超高温領域で使用する高性能酸素分離膜の作製
采用化学气相沉积法制备超高温区高性能氧气分离膜
  • 批准号：
    08750773
  • 财政年份：
    1996
  • 资助金额：
    $ 2.41万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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    06650035
  • 财政年份：
    1994
  • 资助金额：
    $ 2.41万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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