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Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region
深紫外区III族氮化物半导体局域表面等离子体共振研究
基本信息
- 批准号：25600090
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（44）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
MOVPE growth of GaN on Si substrate with 3C-SiC buffer layer
- DOI：10.7567/jjap.53.05fl09
- 发表时间：2014-04
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：M. Katagiri;H. Fang;H. Miyake;K. Hiramatsu;H. Oku;H. Asamura;K. Kawamura
- 通讯作者：M. Katagiri;H. Fang;H. Miyake;K. Hiramatsu;H. Oku;H. Asamura;K. Kawamura
AlN Grown on a- and n-Plane Sapphire Substrates:by Low-Pressure Hydride Vapor Phase Epitaxy
在 a 面和 n 面蓝宝石衬底上生长 AlN：低压氢化物气相外延
- DOI：10.7567/jjap.52.08jb31
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Naoki Goriki;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Toru Akiyama;Tomonori Ito;and Osamu Eryu
- 通讯作者：and Osamu Eryu
光学フィルタへの応用に向けた金属２次元回折格子構造の作製と光学特性評価
二维金属衍射光栅结构的制作及其应用于滤光片的光学性能评估
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鬼頭壮宜;元垣内敦司;三宅秀人;平松和政
- 通讯作者：平松和政
Surface treatment of GaN substrates by thermal cleaning
GaN衬底的热清洗表面处理
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Okada;H. Miyake;K. Hiramatsu;R. Miyagawa;O. Eryu and T. Hashizume
- 通讯作者：O. Eryu and T. Hashizume
GaN growth on carbonized-Si substrate by MOVPE
通过 MOVPE 在碳化硅衬底上生长 GaN
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Izumi;H. Miyake;K. Hiramatsu;H. Oku;H. Asamura and K. Kawamura
- 通讯作者：H. Asamura and K. Kawamura
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HIRAMATSU Kazumasa其他文献
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Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light
III族氮化物半导体纳米空隙外延及深紫外光发光特性控制
- 批准号：
24360008 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra
III族氮化物半导体调制面结构的创建以及具有宽且连续波长光谱的白光LED的开发
- 批准号：
21360007 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
纳米光子结构控制发光强度分布的照明用发光二极管研究
- 批准号：
18360008 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Controlling of UV light by using III-nitride based photonic crystals with nano-antenna
使用带有纳米天线的III族氮化物光子晶体控制紫外光
- 批准号：
15360008 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of New Electronic Emitters using GaN/AIN Super Lattice Structures with Negative Electron Affinity
使用具有负电子亲和势的 GaN/AlN 超级晶格结构开发新型电子发射器
- 批准号：
11555094 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of Buried Metal Structure and Reduction of Dislocation Density for Nitride Semiconductors by Selective Area Growth Technique
选择性区域生长技术制备氮化物半导体埋入金属结构并降低位错密度
- 批准号：
11450012 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
二光子重合造形の深紫外領域への展開と応用
深紫外区双光子聚合模型的开发与应用
- 批准号：
20H00210 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)