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Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra
III族氮化物半导体调制面结构的创建以及具有宽且连续波长光谱的白光LED的开发
基本信息
- 批准号：21360007
- 负责人：
- 金额：$ 11.65万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In this study, in order to solve the fluctuation of the light emitting wave length and color rendering properties, the selective area growth on a plane GaN and the fabrication of the flat m-plane GaN are carried out aiming at the development of the white LED with continuous and wide wavelength range. By controlling growth temperature and growth pressure, the facet controlled structures can be fabricated. Also by using this technique, the flat m-plane GaN can be obtained. From these results, The development of the white LED with continuous and wide wavelength range can be realized.
本研究以开发连续且宽波长范围的白色LED为目标，针对发光波长及显色性的波动问题，进行平面GaN上的选择性区域生长及平坦m面GaN的制备。通过控制生长温度和生长压力，可以制备面控结构。同样通过使用该技术，可以获得平坦的m面GaN。这些结果为研制连续宽波长范围的白色LED奠定了基础。
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth
- DOI：10.1002/pssc.201001186
- 发表时间：2011-07
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Reina Miyagawa;Shibo Yang;H. Miyake;K. Hiramatsu
- 通讯作者：Reina Miyagawa;Shibo Yang;H. Miyake;K. Hiramatsu
Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN
- DOI：10.1143/apex.4.042103
- 发表时间：2011-03
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida
- 通讯作者：Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida
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- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Miyake;Y. Shimahara;S. Ochiai;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;T. Okada;H. Takaoka and H. Yoshida
- 通讯作者：H. Takaoka and H. Yoshida
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- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：藤田浩平;三宅秀人;平松和政;乗松潤;平山秀樹
- 通讯作者：平山秀樹
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