Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
纳米光子结构控制发光强度分布的照明用发光二极管研究
基本信息
- 批准号:18360008
- 负责人:
- 金额:$ 9.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究ではLEDが真に照明デバイスとして用いられるために必要な配光制御を検討し、照明に適したLEDの実現を目指す。その結果、選択成長技術を利用して、高品質なAlGaNエピタキシャル層やAlNバルク単結晶を得ることができ、高い発光効率を有する照明用LEDを作製するために必要な基板結晶を得るための見通しを得ることができた。また、LEDの取り出し効率の改善や配光制御を行うためにAlGaNのフォトニック結晶や光学フィルムを用いた回折レンズを作製し、これらの光学素子が照明用LEDの高性能化のために有効な技術であることを示した。
In this study, we discussed the necessary lighting control and lighting conditions of LED. As a result, selective growth technology is used to obtain high-quality AlGaN crystals and high-brightness LEDs. LED's performance improvement, light distribution control, AlGaN's crystal optics, high performance LED's for lighting
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
High temperature growth of AlN film by LP-HVPE
- DOI:10.1002/pssc.200674814
- 发表时间:2007-06
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka
- 通讯作者:K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka
High temperature growth of AIN film by LP-HVPE
LP-HVPE 高温生长 AIN 薄膜
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Tsujisawa;S. Kishino;Y.H. Liu;H.Miyake;K. Hiramatsu;T. shibata;M. tanaka
- 通讯作者:M. tanaka
Optical characterization of Japanese papers for application to theLEDlightning system wit hhuman sensitivity
日本论文的光学特性应用于具有人类敏感性的 LED 照明系统
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.Motogaito;K.Manabe;Y.Yamanaka;N.Machida;H.Miyake and K.Hiramatsu
- 通讯作者:H.Miyake and K.Hiramatsu
Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2009.01.040
- 发表时间:2009-05
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
- 通讯作者:B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets
InGaN 中 In 摩尔分数对 GaN 晶面的依赖性
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Nakao;D. Li;Y.H. Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu
- 通讯作者:K. Hiramatsu
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Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region
深紫外区III族氮化物半导体局域表面等离子体共振研究
- 批准号:
25600090 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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III族氮化物半导体纳米空隙外延及深紫外光发光特性控制
- 批准号:
24360008 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
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- 批准号:
21360007 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
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- 批准号:
15360008 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号:
11555094 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号:
11450012 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
強発光する無毒なペロブスカイト量子ドットの低コスト合成と発光ダイオードへの応用
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- 批准号:
24K01278 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
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- 批准号:
21K04153 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
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- 批准号:
20K15170 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 批准号:
15K19858 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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- 批准号:
25861157 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
透明フレキシブル発光ダイオード(LED)の開発
开发透明柔性发光二极管(LED)
- 批准号:
11F01050 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
界面ダイポールを利用した酸化物半導体のP型化による青色・紫外発光ダイオードの作製
利用界面偶极子将氧化物半导体转化为 P 型制造蓝光/紫外发光二极管
- 批准号:
11J01162 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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利用氮化物半导体微结构控制开发无荧光粉高效多波长发光二极管
- 批准号:
08J08293 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による酸化ガリウム系深紫外発光ダイオードの作製と評価
分子束外延法制备氧化镓基深紫外发光二极管并对其进行评价
- 批准号:
08J06591 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
発光ダイオードを用いた実践的技術者育成のための教材開発に関する研究
发光二极管应用工程师培训教材开发研究
- 批准号:
19918036 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists














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