Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures

纳米光子结构控制发光强度分布的照明用发光二极管研究

基本信息

  • 批准号:
    18360008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 9.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究ではLEDが真に照明デバイスとして用いられるために必要な配光制御を検討し、照明に適したLEDの実現を目指す。その結果、選択成長技術を利用して、高品質なAlGaNエピタキシャル層やAlNバルク単結晶を得ることができ、高い発光効率を有する照明用LEDを作製するために必要な基板結晶を得るための見通しを得ることができた。また、LEDの取り出し効率の改善や配光制御を行うためにAlGaNのフォトニック結晶や光学フィルムを用いた回折レンズを作製し、これらの光学素子が照明用LEDの高性能化のために有効な技術であることを示した。
In this study, we discussed the necessary lighting control and lighting conditions of LED. As a result, selective growth technology is used to obtain high-quality AlGaN crystals and high-brightness LEDs. LED's performance improvement, light distribution control, AlGaN's crystal optics, high performance LED's for lighting

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
High temperature growth of AlN film by LP-HVPE
  • DOI:
    10.1002/pssc.200674814
  • 发表时间:
    2007-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka
  • 通讯作者:
    K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka
High temperature growth of AIN film by LP-HVPE
LP-HVPE 高温生长 AIN 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Tsujisawa;S. Kishino;Y.H. Liu;H.Miyake;K. Hiramatsu;T. shibata;M. tanaka
  • 通讯作者:
    M. tanaka
Optical characterization of Japanese papers for application to theLEDlightning system wit hhuman sensitivity
日本论文的光学特性应用于具有人类敏感性的 LED 照明系统
Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2009.01.040
  • 发表时间:
    2009-05
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
  • 通讯作者:
    B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets
InGaN 中 In 摩尔分数对 GaN 晶面的依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Nakao;D. Li;Y.H. Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu
  • 通讯作者:
    K. Hiramatsu
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    $ 9.15万
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  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    2003
  • 资助金额:
    $ 9.15万
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    1999
  • 资助金额:
    $ 9.15万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    1999
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    $ 9.15万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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    2013
  • 资助金额:
    $ 9.15万
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  • 资助金额:
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  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 9.15万
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  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 9.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    08J06591
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 9.15万
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  • 批准号:
    19918036
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 9.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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