Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
批准号:
18360008
负责人:
HIRAMATSU Kazumasa
金额:
$9.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008
中文摘要
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英文摘要
本研究ではLEDが真に照明デバイスとして用いられるために必要な配光制御を検討し、照明に適したLEDの実現を目指す。その結果、選択成長技術を利用して、高品質なAlGaNエピタキシャル層やAlNバルク単結晶を得ることができ、高い発光効率を有する照明用LEDを作製するために必要な基板結晶を得るための見通しを得ることができた。また、LEDの取り出し効率の改善や配光制御を行うためにAlGaNのフォトニック結晶や光学フィルムを用いた回折レンズを作製し、これらの光学素子が照明用LEDの高性能化のために有効な技術であることを示した。
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DOI:
10.1002/pssc.200674814
发表时间:
2007-06
期刊:
Physica Status Solidi (c)
影响因子:
--
作者:
[K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka]
通讯作者:
K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka
High temperature growth of AIN film by LP-HVPE
LP-HVPE 高温生长 AIN 薄膜
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Physica Status Solidi (c)4,(7)
影响因子:
--
作者:
[K. Tsujisawa, S. Kishino, Y.H. Liu, H.Miyake, K. Hiramatsu, T. shibata, M. tanaka]
通讯作者:
M. tanaka
Optical characterization of Japanese papers for application to theLEDlightning system wit hhuman sensitivity
日本论文的光学特性应用于具有人类敏感性的 LED 照明系统
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Proc.1st International Confernce on White LEDsand Solid State Lighting
影响因子:
--
作者:
[A.Motogaito, K.Manabe, Y.Yamanaka, N.Machida, H.Miyake and K.Hiramatsu]
通讯作者:
H.Miyake and K.Hiramatsu
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.040
发表时间:
2009-05
期刊:
Journal of Crystal Growth
影响因子:
1.8
作者:
[B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu]
通讯作者:
B. Ma;Reina Miyagawa;Weiguo Hu;Dabing Li;H. Miyake;K. Hiramatsu
Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets
InGaN 中 In 摩尔分数对 GaN 晶面的依赖性
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Physica Status Solidi (c)4,(7)
影响因子:
--
作者:
[K. Nakao, D. Li, Y.H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu]
通讯作者:
K. Hiramatsu
共 40 条
Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region
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批准号:25600090
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2013
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负责人:HIRAMATSU Kazumasa
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依托单位:
Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light
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批准号:24360008
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.4万
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财政年份:2012
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负责人:HIRAMATSU Kazumasa
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依托单位:
Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra
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批准号:21360007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.65万
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财政年份:2009
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负责人:HIRAMATSU Kazumasa
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依托单位:
Controlling of UV light by using III-nitride based photonic crystals with nano-antenna
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批准号:15360008
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.58万
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财政年份:2003
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负责人:HIRAMATSU Kazumasa
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依托单位:
Development of New Electronic Emitters using GaN/AIN Super Lattice Structures with Negative Electron Affinity
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批准号:11555094
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$4.35万
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财政年份:1999
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负责人:HIRAMATSU Kazumasa
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依托单位:
Fabrication of Buried Metal Structure and Reduction of Dislocation Density for Nitride Semiconductors by Selective Area Growth Technique
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批准号:11450012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.02万
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财政年份:1999
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负责人:HIRAMATSU Kazumasa
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依托单位:
海外基金