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Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light

Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light
III族氮化物半导体纳米空隙外延及深紫外光发光特性控制
批准号：
24360008
负责人：
HIRAMATSU Kazumasa
金额：
$12.4万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360008/
关键词：
窒化物半導体ナノボイドエピタキシー窒化アルミニウム量子井戸構造紫外線発光素子光取り出し効率配光制御結晶成長ナノボイド回折レンズ選択横方向成長AlN導電性カソードルミネッセンス紫外線発光AINAlGaN選択成長電子線励起量子井戸

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Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer
具有晶格弛豫层的蓝宝石上 AlGaN 多量子阱的制备
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Kazuhiro Nakahama, Fumitsugu Fukuyo, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, Yuji Kobayashi]
通讯作者： Yuji Kobayashi
Selective Area Growth of Semipolar (20-21) and (20-2-1) GaN substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
通过金属有机气相外延选择性区域生长半极性 (20-21) 和 (20-2-1) GaN 衬底
DOI： 10.7567/jjap.52.08jc06
发表时间： 2013
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Daiki Jinno, Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yuuki Enatsu, and Satoru Nagao]
通讯作者： and Satoru Nagao
±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究
±c面GaN表面热稳定性研究
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政, 逢坂崇, 谷川智之, 松岡隆志]
通讯作者： 松岡隆志
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価
使用薄膜 3C-SiC 缓冲层进行 GaN 生长和评估
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [片桐正義, 方　　浩, 三宅秀人, 平松和政, 奥　秀彦, 浅村英俊，川村啓介]
通讯作者： 浅村英俊，川村啓介
共 88 条
    Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region
    • 批准号：
      25600090
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位：
      Mie University
    Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra
    • 批准号：
      21360007
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.65万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位：
      Mie University
    Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
    • 批准号：
      18360008
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.15万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位：
      Mie University
    Controlling of UV light by using III-nitride based photonic crystals with nano-antenna
    • 批准号：
      15360008
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.58万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位：
      Mie University