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Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light

Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light
III族氮化物半导体纳米空隙外延及深紫外光发光特性控制
批准号:
24360008
负责人:
HIRAMATSU Kazumasa
金额:
$12.4万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31

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Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer
具有晶格弛豫层的蓝宝石上 AlGaN 多量子阱的制备
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [Kazuhiro Nakahama, Fumitsugu Fukuyo, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, Yuji Kobayashi]
通讯作者: Yuji Kobayashi
Selective Area Growth of Semipolar (20-21) and (20-2-1) GaN substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
通过金属有机气相外延选择性区域生长半极性 (20-21) 和 (20-2-1) GaN 衬底
DOI: 10.7567/jjap.52.08jc06
发表时间: 2013
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [Daiki Jinno, Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yuuki Enatsu, and Satoru Nagao]
通讯作者: and Satoru Nagao
±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究
±c面GaN表面热稳定性研究
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政, 逢坂崇, 谷川智之, 松岡隆志]
通讯作者: 松岡隆志
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価
使用薄膜 3C-SiC 缓冲层进行 GaN 生长和评估
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [片桐正義, 方  浩, 三宅秀人, 平松和政, 奥 秀彦, 浅村英俊,川村啓介]
通讯作者: 浅村英俊,川村啓介
共 88 条
    Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region
    • 批准号:
      25600090
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.58万
    • 财政年份:
      2013
    • 负责人:
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位:
    Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra
    • 批准号:
      21360007
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.65万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位:
    Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
    • 批准号:
      18360008
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $9.15万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位:
    Controlling of UV light by using III-nitride based photonic crystals with nano-antenna
    • 批准号:
      15360008
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $8.58万
    • 财政年份:
      2003
    • 负责人:
      HIRAMATSU Kazumasa
    • 依托单位: