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Dopant-atom-controlled tunnel diodes using Si nano-pn junctions
使用硅纳米 pn 结的掺杂原子控制隧道二极管
基本信息
- 批准号：25630144
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（74）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Single-dopant Atom Devices for The Future of Nanoelectronics
纳米电子学未来的单掺杂原子器件
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Michiharu Tabe;Daniel Moraru;Earfan Hamid;Takeshi Mizuno
- 通讯作者：Takeshi Mizuno
KPFM observation of donors in transistor channels doped with different concentrations
不同浓度掺杂晶体管沟道中施主的KPFM观察
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Krzysztof Tyszka;Daniel Moraru;Takeshi Mizuno;Ryszard Jablonski;Michiharu Tabe
- 通讯作者：Michiharu Tabe
Impact of Doping Concentration Regimes on Low-Temperature Tunneling in Nanoscale SOI-FETs
掺杂浓度制度对纳米级 SOI-FET 低温隧道效应的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Daniel Moraru;Yuuki Takasu;Takahiro Tsutaya;Arup Samanta;Le The Anh;Muruganathan Manoharan;Takeshi Mizuno;Hiroshi Mizuta;Michiharu Tabe
- 通讯作者：Michiharu Tabe
Experimental and ab initio study of donor state deepening in nanoscale SOI-MOSFETs
纳米级 SOI-MOSFET 施主态加深的实验和从头开始研究
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Daniel Moraru;Earfan Hamid;Youhei Kuzuya;Takeshi Mizuno;Le The Anh;Hiroshi Mizuta;Michiharu Tabe
- 通讯作者：Michiharu Tabe
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Toward room temperature operation of Si single-dopant devices by P and B codoping techniques
通过 P 和 B 共掺杂技术实现 Si 单掺杂器件的室温运行
- 批准号：
22656082 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Si single-electron transfer devices using potential fluctuation by a few dopants
利用少量掺杂剂引起的电势波动的硅单电子转移器件
- 批准号：
20246060 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Nanoscale-multiple-junctions : Transport control and development of new functions
纳米级多结：传输控制和新功能的开发
- 批准号：
18063010 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Silicon single-electron devices : Time-space control of transport and development of new functions
硅单电子器件：传输的时空控制和新功能的开发
- 批准号：
16106006 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Development of thermally-stable structures of thin SOI active layers
薄 SOI 有源层热稳定结构的开发
- 批准号：
12555087 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication and electron transport properties of two-dimensionally-coupled dots of single crystalline Si
单晶硅二维耦合点的制备及其电子传输特性
- 批准号：
12450125 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ULTRA-SMALL LOCOS PROCESS FOR Si QUANTUM DOT FORMATION
用于硅量子点形成的超小型 LOCOS 工艺
- 批准号：
07455137 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)