Silicon single-electron devices : Time-space control of transport and development of new functions
Silicon single-electron devices : Time-space control of transport and development of new functions
批准号:
16106006
负责人:
TABE Michiharu
金额:
$61.82万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2007
中文摘要
本研究においては、これまで(1)ランダム多重トンネル接合系における単電子転送の実証とそのシミュレーション解析、(2)マルチドット型単電子FET 特性の可視域光子との相互作用解明、(3)極低温KFM によるチャネル内の単一リン・ボロンドーパントの検出、(4)転位網利用周期ポテンシャルを利用した単電子特性の実現、を行った。これらを総合することにより、ランダム系シリコン多重ドット単電子デバイスの輸送制御に見通しが得られた。
英文摘要
本研究においては、これまで(1)ランダム多重トンネル接合系における単電子転送の実証とそのシミュレーション解析、(2)マルチドット型単電子FET 特性の可視域光子との相互作用解明、(3)極低温KFM によるチャネル内の単一リン・ボロンドーパントの検出、(4)転位網利用周期ポテンシャルを利用した単電子特性の実現、を行った。これらを総合することにより、ランダム系シリコン多重ドット単電子デバイスの輸送制御に見通しが得られた。
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Diffusion of Li in the silicon oxide films and evaluation of Li-induced surface potential
Li在氧化硅膜中的扩散以及Li诱导表面电位的评估
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Applied Surface Science (掲載決定)
影响因子:
--
作者:
[Masahiko Maeda, Teruyoshi Watanabe, Yasuhiro Imai, Yasuhiko Ishikawa, Michiharu Tabe]
通讯作者:
Michiharu Tabe
Single-electron transfer through purposely designed dopant arrays in silicon
通过专门设计的硅掺杂剂阵列进行单电子转移
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Naka, H. Yu, A. Shishido, T. Ikeda, Koki Makabe, 木下 充, Daniel Moraru]
通讯作者:
Daniel Moraru
Silicon Nanoelectronics, chap.6 Resonant tunneling in Si nanodevices(edited by Shunri Oda and David Ferry)
硅纳米电子学,第 6 章硅纳米器件中的谐振隧道(由 Shunri Oda 和 David Ferry 编辑)
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Michiharu Tabe, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者:
Yasuhiko Ishikawa
Single-Electron Devices:Interaction with Individual Dopants
单电子器件:与单个掺杂剂的相互作用
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[八木 岐諭・木下 基・宍戸 厚・山口 仁宏・吉田 善一・池田 富樹, Hideki Watanabe, 妹尾 達彦〔共著〕, Ayaho MIYAMOTO, K. Asakura, D. Moraru, 新宮 学〔共著〕, Ayaho MIYAMOTO, Kouhei Tsumoto, 樋口 直之・宍戸 厚・池田 富樹, 阪東恭子, Michiharu Tabe]
通讯作者:
Michiharu Tabe
Effects of parameter randomness on quantized-electron transfer in 1D multiple-tunnel-junction arrays
参数随机性对一维多隧道结阵列中量子化电子转移的影响
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, H. Ikeda, and M. Tabe]
通讯作者:
and M. Tabe
共 64 条
Dopant-atom-controlled tunnel diodes using Si nano-pn junctions
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批准号:25630144
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2013
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负责人:TABE Michiharu
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依托单位:
Toward room temperature operation of Si single-dopant devices by P and B codoping techniques
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批准号:22656082
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.34万
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财政年份:2010
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负责人:TABE Michiharu
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依托单位:
Si single-electron transfer devices using potential fluctuation by a few dopants
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批准号:20246060
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.87万
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财政年份:2008
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负责人:TABE Michiharu
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依托单位:
Nanoscale-multiple-junctions : Transport control and development of new functions
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批准号:18063010
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$30.46万
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财政年份:2006
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负责人:TABE Michiharu
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依托单位:
Development of thermally-stable structures of thin SOI active layers
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批准号:12555087
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$6.27万
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财政年份:2000
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负责人:TABE Michiharu
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依托单位:
Fabrication and electron transport properties of two-dimensionally-coupled dots of single crystalline Si
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批准号:12450125
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$6.98万
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财政年份:2000
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负责人:TABE Michiharu
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依托单位:
ULTRA-SMALL LOCOS PROCESS FOR Si QUANTUM DOT FORMATION
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批准号:07455137
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1995
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负责人:TABE Michiharu
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依托单位:
海外基金