Toward room temperature operation of Si single-dopant devices by P and B codoping techniques
通过 P 和 B 共掺杂技术实现 Si 单掺杂器件的室温运行
基本信息
- 批准号:22656082
- 负责人:
- 金额:$ 2.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In this work, the following results have been obtained. When the size of Si channel is within the order of nanometers, P donor has larger ionization energy than its value in Si bulk. Then, it is shown that the energy depth of quantum well for electrons can be further deepened, as a result of appropriate configuration of B and P atoms.
在这项工作中,已经获得了以下结果。当硅沟道尺寸在纳米量级时,P施主的电离能大于其在体硅中的电离能。结果表明,适当的B和P原子的配置可以进一步加深电子量子阱的能量深度。
项目成果
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures.
基于硅纳米结构中的单个掺杂剂的原子设备。
- DOI:10.1186/1556-276x-6-479
- 发表时间:2011-07-29
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Moraru D;Udhiarto A;Anwar M;Nowak R;Jablonski R;Hamid E;Tarido JC;Mizuno T;Tabe M
- 通讯作者:Tabe M
Single-electron charging in phosphorous donors in silicon observed by low-temperature Kelvin probe force microscope
低温开尔文探针力显微镜观察硅中磷供体的单电子充电
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Anwar;Y. Kawai;D. Moraru;R. Nowak;R. Jablonski;T. Mizuno;and M. Tabe
- 通讯作者:and M. Tabe
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硅基单掺杂原子器件,先进材料研究
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Tabe;D. Moraru;A. Udhiarto;S. Miki;M. Anwar;Y. Kawai and T. Mizuno
- 通讯作者:Y. Kawai and T. Mizuno
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:湯川博喜;廣瀬浩次;吉村武;芦田淳;藤村紀文;R. Nowak
- 通讯作者:R. Nowak
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- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Yamada;T.Fukushima;S.Sakamoto;K.Masuko;T.Yoshimura;N.Fujunura;D.Moraru;田部道晴
- 通讯作者:田部道晴
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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