Toward room temperature operation of Si single-dopant devices by P and B codoping techniques

通过 P 和 B 共掺杂技术实现 Si 单掺杂器件的室温运行

基本信息

  • 批准号:
    22656082
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In this work, the following results have been obtained. When the size of Si channel is within the order of nanometers, P donor has larger ionization energy than its value in Si bulk. Then, it is shown that the energy depth of quantum well for electrons can be further deepened, as a result of appropriate configuration of B and P atoms.
在这项工作中,已经获得了以下结果。当硅沟道尺寸在纳米量级时,P施主的电离能大于其在体硅中的电离能。结果表明,适当的B和P原子的配置可以进一步加深电子量子阱的能量深度。

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Atom devices based on single dopants in silicon nanostructures.
基于硅纳米结构中的单个掺杂剂的原子设备。
  • DOI:
    10.1186/1556-276x-6-479
  • 发表时间:
    2011-07-29
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Moraru D;Udhiarto A;Anwar M;Nowak R;Jablonski R;Hamid E;Tarido JC;Mizuno T;Tabe M
  • 通讯作者:
    Tabe M
Single-electron charging in phosphorous donors in silicon observed by low-temperature Kelvin probe force microscope
低温开尔文探针力显微镜观察硅中磷供体的单电子充电
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Anwar;Y. Kawai;D. Moraru;R. Nowak;R. Jablonski;T. Mizuno;and M. Tabe
  • 通讯作者:
    and M. Tabe
Si-based single-dopant atom devices, Advanced Materials Research
硅基单掺杂原子器件,先进材料研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Tabe;D. Moraru;A. Udhiarto;S. Miki;M. Anwar;Y. Kawai and T. Mizuno
  • 通讯作者:
    Y. Kawai and T. Mizuno
Electronic potential of lateral nanoscale Si pn junctions observed by KFM technique
KFM技术观察横向纳米级Si pn结的电子势
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    湯川博喜;廣瀬浩次;吉村武;芦田淳;藤村紀文;R. Nowak
  • 通讯作者:
    R. Nowak
シリコンナノ構造を用いたドーパント原子デバイスとフォトン検出
使用硅纳米结构的掺杂原子装置和光子检测
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Yamada;T.Fukushima;S.Sakamoto;K.Masuko;T.Yoshimura;N.Fujunura;D.Moraru;田部道晴
  • 通讯作者:
    田部道晴
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  • 资助金额:
    $ 2.34万
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