Nanoscale-multiple-junctions : Transport control and development of new functions

纳米级多结：传输控制和新功能的开发

• 批准号: 18063010
• 负责人: TABE Michiharu
• 金额: $ 30.46万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063010/
• 关键词: 電子デバイス・機器; 電子・電気材料; トンネル現象; シリコンナノデバイス

We have fabricated and studied multi-tunnel junctions SOI-MOSFETs by using donor potentials as quantum dots. As a result, 1) photons are detected as current level switching in random telegraph signal, 2) single-electron transfer in random potential landscape is realized, and 3) single dopant potentials in channel are detected by low-temperature Kelvin Probe Force Microscope.

我们利用施主势作为量子点，制备并研究了多隧道结SOI-MOSFET。结果表明：1）在随机电报信号中，光子作为电流电平切换被探测到; 2）在随机势场中实现了单电子转移; 3）在低温开尔文探针力显微镜中探测到了沟道中的单掺杂势。

项目成果

Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer

用于单电子转移的硅纳米结构中掺杂剂诱导的量子点阵列的设计

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Hiramatsu;M. Hori;Daniel Moraru
• 通讯作者: Daniel Moraru

Single-Electron Devices:Interaction with Individual Dopants

单电子器件：与单个掺杂剂的相互作用

• 发表时间: 2007
• 作者: 八木 岐諭・木下 基・宍戸 厚・山口 仁宏・吉田 善一・池田 富樹;Hideki Watanabe;妹尾 達彦〔共著〕;Ayaho MIYAMOTO;K. Asakura;D. Moraru;新宮 学〔共著〕;Ayaho MIYAMOTO;Kouhei Tsumoto;樋口 直之・宍戸 厚・池田 富樹;阪東恭子;Michiharu Tabe
• 通讯作者: Michiharu Tabe

Effects of parameter randomness on quantized-electron transfer in 1D multiple-tunnel-junction arrays

参数随机性对一维多隧道结阵列中量子化电子转移的影响

• 发表时间: 2007
• 作者: D. Moraru;Y. Ono;H. Inokawa;K. Yokoi;H. Ikeda;and M. Tabe
• 通讯作者: and M. Tabe

Inter-Dopant Coupling Tuning for Single-Electron Transfer

单电子转移的掺杂剂间耦合调谐

• 发表时间: 2009
• 作者: 山崎謙治;山口浩司;D.Moraru
• 通讯作者: D.Moraru

シングルドーパントデバイスの現状と課題

单掺杂器件的现状与挑战

• 发表时间: 2010
• 作者: I.Mahboob;H.Yamaguchi.;田部道晴
• 通讯作者: 田部道晴