Si single-electron transfer devices using potential fluctuation by a few dopants

利用少量掺杂剂引起的电势波动的硅单电子转移器件

• 批准号: 20246060
• 负责人: TABE Michiharu
• 金额: $ 28.87万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20246060/
• 关键词: 少数電子素子; 電子デバイス・機器; 半導体超微細化; シリコン

In this work, the following results have been obtained.(1) Even under existence of many phosphorous donors, a single donor determines sub-threshold characteristics.(2) In a device, where three phosphorous atoms determine the sub-threshold characteristics, single-electron transfer has been demonstrated.(3) By low-temperature Kelvin probe force microscopy, individual charged donors and acceptors were observed, and then potential change due to electron injection into the dopant was observed.

在这项工作中，我们得到了以下结果：(1)即使在存在多个磷施主的情况下，单个施主也决定了亚阈值特性。(2)在一个由三个磷原子决定亚阈值特性的器件中，证实了单电子转移。(3)通过低温开尔文探针力显微镜，观察到单个带电的施主和受主，然后观察到电子注入到掺杂剂中所引起的电势变化。

项目成果

Inter-Dopant Coupling Tuning for Single-Electron Transfer

单电子转移的掺杂剂间耦合调谐

• 发表时间: 2009
• 作者: 山崎謙治;山口浩司;D.Moraru
• 通讯作者: D.Moraru

Siナノワイヤp-nダイオードの作製と評価

硅纳米线p-n二极管的制备与评估

• 发表时间: 2010
• 作者: 大城朝是;田村武史;景山弘;城田靖彦;梶井博武;大森裕;小竹直樹;三木早樹人
• 通讯作者: 三木早樹人

Single-photon detection by Si single-electron FETs

Si 单电子 FET 的单光子检测

• 发表时间: 2010
• 作者: Dewi Larasati ZR;Tsunemi Watanabe;H.Kobayashi;光武和典;M. Tabe
• 通讯作者: M. Tabe

シングルドーパントデバイスの現状と課題

单掺杂器件的现状与挑战

• 发表时间: 2010
• 作者: I.Mahboob;H.Yamaguchi.;田部道晴
• 通讯作者: 田部道晴

低温 Kelvin Probe Force 顕微鏡によるイオン注入効果の観察

使用低温开尔文探针力显微镜观察离子注入效果

• 发表时间: 2009
• 作者: 藤山知加子;池野誠司;小林薫;前川宏一;Satoshi Suzuki;川合雄也
• 通讯作者: 川合雄也