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Development of quantitative analysis of defects in wide bandgap materials

Development of quantitative analysis of defects in wide bandgap materials
宽带隙材料缺陷定量分析的进展
批准号：
15K13351
负责人：
Kakimoto Koichi
金额：
$2.58万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13351/
关键词：
SiCGaNAｌ203転位結晶成長Al203Al2O3

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Effect of oxygen atoms on dislocation multiplication in a silicon crystal
氧原子对硅晶体位错倍增的影响
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [W. Fukushima, B. Gao, S. Nakano, H. Harada, Y. Miyamura, and K. Kakimoto]
通讯作者： and K. Kakimoto
EFFECT OF COOLING RATE ON GROWN-IN DISLOCATION MULTIPLICATION ON PRISMATIC SLIP PLANES FOR GAN SINGLE CRYSTAL
冷却速率对GAN单晶棱柱滑移面生长位错倍增的影响
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Satoshi Nakano, Bing Gao, Koichi Kakimoto]
通讯作者： Koichi Kakimoto
Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics
DOI： 10.7567/jjap.55.031301
发表时间： 2016-01
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [T. Kawamura;Mitsutoshi Mizutani;Yasuyuki Suzuki;Y. Kangawa;K. Kakimoto]
通讯作者： T. Kawamura;Mitsutoshi Mizutani;Yasuyuki Suzuki;Y. Kangawa;K. Kakimoto
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DOI： 10.1002/pssb.201600706
发表时间： 2017
期刊： Physica Status Solidi B
影响因子： --
作者： [T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto]
通讯作者： and K. Kakimoto
共 9 条
    国内基金
    海外基金
    垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘梦涵
    • 依托单位：
      南京信息职业技术学院
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
    复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      10.0万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      戴厚富
    • 依托单位：
      汕头大学