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Development of quantitative analysis of defects in wide bandgap materials

宽带隙材料缺陷定量分析的进展

基本信息

批准号：
15K13351
负责人：
Kakimoto Koichi
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13351/
关键词：
SiC GaN Aｌ203 転位結晶成長 Al203 Al2O3

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Effect of oxygen atoms on dislocation multiplication in a silicon crystal

氧原子对硅晶体位错倍增的影响

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
W. Fukushima;B. Gao;S. Nakano;H. Harada;Y. Miyamura;and K. Kakimoto
通讯作者：
and K. Kakimoto

EFFECT OF COOLING RATE ON GROWN-IN DISLOCATION MULTIPLICATION ON PRISMATIC SLIP PLANES FOR GAN SINGLE CRYSTAL

冷却速率对GAN单晶棱柱滑移面生长位错倍增的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Satoshi Nakano;Bing Gao;Koichi Kakimoto
通讯作者：
Koichi Kakimoto

Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics

DOI：
10.7567/jjap.55.031301
发表时间：
2016-01
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
T. Kawamura;Mitsutoshi Mizutani;Yasuyuki Suzuki;Y. Kangawa;K. Kakimoto
通讯作者：
T. Kawamura;Mitsutoshi Mizutani;Yasuyuki Suzuki;Y. Kangawa;K. Kakimoto

First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the oxide vapor phase epitaxy growth conditions

氧化物气相外延生长条件下GaN(0001)和(000-1)表面相图的第一性原理研究

DOI：
10.1002/pssb.201600706
发表时间：
2017
期刊：
Physica Status Solidi B
影响因子：
0
作者：
T. Kawamura;A. Kitamoto;M. Imade;M. Yoshimura;Y. Mori;Y. Morikawa;Y. Kangawa;and K. Kakimoto
通讯作者：
and K. Kakimoto

ATOMIC AND MACRO SCALE CALCULATIONS ON CRYSTAL GROWTH OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS

宽带隙半导体晶体生长的原子和宏观尺度计算

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Koichi Kakimoto;Shin-ichi NIshizawa;Bing Gao;Satoshi Nakano;Hirofumi Harada;Yoshiji Miyamura;Takashi Sekiguchi
通讯作者：
Takashi Sekiguchi

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Kakimoto Koichi其他文献

Modeling of the 3D Unsteady Melt Flow in an Industrial-Scale Cz-Si Crystal Growth Using LES Method

使用 LES 方法对工业规模 Cz-Si 晶体生长中的 3D 非稳态熔体流动进行建模

DOI：
发表时间：
2010-11
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Liu Xin;Wang Yuan;Liu Lijun;Kakimoto Koichi
通讯作者：
Kakimoto Koichi

Water-stable high lithium-ion conducting Li1.4Al0.4Ge0.2Ti1.4(PO4)3-TiO2-LiCl?H2O?epoxy resin composite film with high mechanical strength as separator for Li-air batteries

水稳定性高锂离子导电Li1.4Al0.4Ge0.2Ti1.4(PO4)3-TiO2-LiCl·H2O·环氧树脂复合薄膜具有高机械强度作为锂空气电池隔膜

DOI：
10.1007/s10008-022-05173-3
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Solid State Electrochemistry
影响因子：
2.5
作者：
Kakimoto Koichi;Bai Fan;Mori Daisuke;Taminato Sou;Takeda Yasuo;Yamamoto Osamu;Izumi Hiroaki;Minami Hironari;Imanishi Nobuyuki
通讯作者：
Imanishi Nobuyuki

Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in Czochralski silicon crystal growth

直拉硅晶体生长中碳传输和控制的数值分析和实验验证

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.07.020
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Liu Xin;Harada Hirofumi;Miyamura Yoshiji;Han Xue-feng;Nakano Satoshi;Nishizawa Shin-ichi;Kakimoto Koichi
通讯作者：
Kakimoto Koichi

Dependence of growth conditions on b-Ga2O3 crystal quality grown by OCCC method

生长条件对 OCCC 方法生长的 b-Ga2O3 晶体质量的依赖性

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Isao Takahashi;Kochurikhin Vladimir;Tomida Taketoshi;Yao Yongzhao;Sato Koji;Ishikawa Yukari;Sugawara Takamasa;Shoji Yasuhiro;Kamada Kei;Kakimoto Koichi;Yoshikawa Akira
通讯作者：
Yoshikawa Akira

Cu担持WO3光触媒上におけるVOCの完全光分解反応：TiO2との物理混合による複合効果

VOC在Cu负载WO3光催化剂上的完全光分解反应：与TiO2物理混合的综合作用

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kakimoto Koichi;Bai Fan;Mori Daisuke;Taminato Sou;Takeda Yasuo;Yamamoto Osamu;Izumi Hiroaki;Minami Hironari;Imanishi Nobuyuki;奈須　滉・作田　敦・土本晃久・大久保將史・山田淳夫・辰巳砂昌弘・林　晃敏;今井康介・東本慎也
通讯作者：
今井康介・東本慎也