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Molecular layer heteroepitaxial growth for fabricating high performance organic photovoltaic devices
用于制造高性能有机光伏器件的分子层异质外延生长
基本信息
- 批准号：16K12649
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Preferred orientation of 2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene molecules on inorganic single-crystal substrates with various orientations
- DOI：10.7567/jjap.57.08re04
- 发表时间：2018-07
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：A. Moh;K. Sasaki;T. Shinagawa;Seiji Watase;M. Izaki
- 通讯作者：A. Moh;K. Sasaki;T. Shinagawa;Seiji Watase;M. Izaki
Preferred orientation and morphology of C8-BTBT layer prepared on C-sapphire substrate by thermal evaporation
C-蓝宝石衬底上热蒸发制备C8-BTBT层的优选取向和形貌
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Aye Myint Moh;kimihiro Sasaki;Seiji Watase;Tsutomu Shinagawa;Masanobu Izaki
- 通讯作者：Masanobu Izaki
Surface state of thermally evaporated PTCDI-C8/C8-BTBT bi-layer
热蒸发 PTCDI-C8/C8-BTBT 双层的表面状态
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Aye Myint Moh;Seiji Watase;Masanobu Izaki
- 通讯作者：Masanobu Izaki
preferred orientation of C8-BTBT molecules on inorganic single crystal substrates with various orientations
C8-BTBT分子在不同取向的无机单晶基底上的择优取向
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takamasa Mori;Shyogo Sase;Kenta Kitamura;辻 雅晴;A.M.Moh,K,Sasaki,T.Shinagawa,S.Watase,M.Izaki
- 通讯作者：A.M.Moh,K,Sasaki,T.Shinagawa,S.Watase,M.Izaki
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Izaki Masanobu其他文献
Structural and Magnetic Characteristics of Hematite and Magnetite Films Prepared by Electrodeposition and Heating
电沉积加热制备赤铁矿和磁铁矿薄膜的结构和磁性特性
- DOI：
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- 影响因子：3.9
- 作者：
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Izaki Masanobu
Review-Solution Electrochemical Process for Fabricating Metal Oxides and the Thermodynamic Design
金属氧化物制造电化学工艺及热力学设计综述
- DOI：
10.1149/1945-7111/ac371a - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：3.9
- 作者：
Izaki Masanobu;Khoo Pei Loon;Shinagawa Tsutomu - 通讯作者：
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Thermodynamic Design of the Solution Electrochemical Process for Fabricating Smart Oxide and Compound Layers
制造智能氧化物和化合物层的溶液电化学过程的热力学设计
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- 影响因子：0.5
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Izaki Masanobu
Template-free formation of oriented oxide nanowalls <i>via</i> topotactic-like pseudomorphic transformation: [110]-MgO(111) nanowall arrays
<i>通过</i>类拓扑假晶转变无模板形成定向氧化物纳米墙：[110]-MgO(111)纳米墙阵列
- DOI：
10.1039/d2ma00493c - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：5
- 作者：
Shinagawa Tsutomu;Izaki Masanobu - 通讯作者：
Izaki Masanobu
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{{ truncateString('Izaki Masanobu', 18)}}的其他基金
Preferred orientation and energy state of the heterointerface of organic and inorganic hybrid photovoltaic devices
有机和无机杂化光伏器件异质界面的优选取向和能态
- 批准号：
26550095 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Preparation of high-performance oxide photovoltaic devices with electrochemical reactions
电化学反应制备高性能氧化物光伏器件
- 批准号：
25281062 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理
不同晶格基底上英寸直径金刚石异质外延生长机理理论
- 批准号：
23K23242 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
使用石墨烯改善异质外延生长
- 批准号：
24K01365 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
立方晶窒化ホウ素のヘテロエピタキシャル成長を目指した新規プラズマプロセシング開発
开发针对立方氮化硼异质外延生长的新型等离子体处理技术
- 批准号：
03F00055 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ゼオライト薄膜のヘテロエピタキシャル成長による特殊反応場の構築
沸石薄膜异质外延生长构建特殊反应场
- 批准号：
08232223 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ファンデアワールス相互作用によるヘテロエピタキシャル成長と界面構造の解明
阐明范德华相互作用引起的异质外延生长和界面结构
- 批准号：
05211206 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
顕微ラマン分光によるヘテロエピタキシャル成長層の歪緩和の研究
使用显微拉曼光谱研究异质外延生长层的应变弛豫
- 批准号：
04227217 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
シリコン基板上への不整合界面を制御した誘電体のヘテロエピタキシャル成長
硅衬底上具有受控失配界面的电介质的异质外延生长
- 批准号：
04750246 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ACプラズマアシストCVDによるβ-SiCのSiへのヘテロエピタキシャル成長
通过 AC 等离子体辅助 CVD 在 Si 上异质外延生长 β-SiC
- 批准号：
04650016 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
MBE法によるカルコパイライト型I-III-VI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
MBE法异质外延生长黄铜矿I-III-VI_2族化合物
- 批准号：
04205118 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
MBE法によるカルコパライト型IーIIIーVI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
MBE法异质外延生长I-III-VI_2型黄铜矿化合物
- 批准号：
02205105 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas