Development and understanding of vertical Ge/TMDC TFET
Development and understanding of vertical Ge/TMDC TFET
垂直Ge/TMDC TFET的开发和理解
批准号：
23K13361
负责人：
柯 夢南
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2025-03-31
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国内基金
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基于高k复合栅介质增强的不同晶向β-Ga2O3 MOS界面调控机理研究
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批准号：--
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：30万元
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批准年份：2022
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负责人：贾一凡
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依托单位：
基于热氧化“Si/AlN叠层”的SiC MOS界面态抑制方法研究
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批准号：52107190
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项目类别：青年科学基金项目（C类）
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资助金额：30.0万元
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批准年份：2021
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负责人：王雨薇
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依托单位：
