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Development and understanding of vertical Ge/TMDC TFET
垂直Ge/TMDC TFET的开发和理解
基本信息
- 批准号：23K13361
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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柯 夢南其他文献
走査ゲート顕微法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ接合における輸送特性の評価
使用扫描门显微镜评估过渡金属二硫属化物异质结的传输特性
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
酒井 歩峻,渡邊 賢治;谷口 尚;柯 夢南;青木 伸之 - 通讯作者：
青木 伸之
柯 夢南的其他文献
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- DOI：
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相似国自然基金
基于高k复合栅介质增强的不同晶向β-Ga2O3 MOS界面调控机理研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于热氧化“Si/AlN叠层”的SiC MOS界面态抑制方法研究
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象，并基于该理解控制MOS界面特性
- 批准号：
24H00308 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
- 批准号：
24KJ0142 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
極低温環境下におけるSi-MOS界面散乱体の起源解明に向けた定量化手法の確立
建立定量方法来阐明低温环境中 Si-MOS 界面散射体的起源
- 批准号：
23K13379 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築
重构碳化硅半导体MOS接口科学及接口设计指南
- 批准号：
21K18170 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減
验证SiC-MOS界面特有的散射体的来源，并通过抑制它们来降低沟道电阻
- 批准号：
21K04166 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
截面阐明宽禁带半导体MOS界面缺陷的真实本质
- 批准号：
20H00340 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
SiC MOS界面準位の低減および新チャネル構造MOSFETの動作実証
SiC MOS界面态的还原及新型沟道结构MOSFET的运行演示
- 批准号：
19J23422 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation
SiC-MOSFET 及其与沟道迁移率下降相关的 MOS 界面缺陷的电子自旋共振研究
- 批准号：
25286054 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Application research for high mobility Ge MOSFET by charge compensation at MOS interface
MOS接口电荷补偿高迁移率Ge MOSFET的应用研究
- 批准号：
25886010 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
高移動度チャネル材料MOSFETのMOS界面とキャリア輸送特性に関する研究
高迁移率沟道材料MOSFET的MOS界面及载流子传输特性研究
- 批准号：
08F08069 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows