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窒化物半導体の異種接合界面制御とトランジスタ応用

氮化物半导体和晶体管应用的异质结界面控制

基本信息

批准号：
11J02074
负责人：
堀祐臣
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2013
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11J02074/
关键词：
GaN AlGaN ALD Al203 MOS 絶縁ゲートトランジスタパワーデバイス界面電子準位 C-V

项目摘要

GaN系ヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)を次世代電力変換システムに応用するには、絶縁膜/半導体接合を有する絶縁ゲート構造の形成が必要である。これまでに、絶縁膜/GaN系半導体界面には高密度な電子準位が存在することが明らかとなり、電子準位によってGaN系絶縁ゲートトランジスタの動作安定性・信頼性の問題が引き起こされることが示唆されてきた。これまでの研究成果では、絶縁ゲートHEMT内の界面電子準位評価手法の確立と、電子準位制御プロセスの開発に成功してきたが、最終年度では、Al203/AlGaN/GaN絶縁ゲートHEMTにおけるAl203/AlGaN界面電子準位密度の詳細な評価を行い、電子準位としきい値電圧安定性の関係を明らかにした。その結果、電子準位が低密度に制御された界面を有する絶縁ゲートHEMTは、高温動作時にも安定したしきい値電圧を示すことを見出した。電子準位評価は、「周波数分散容量電圧(C-V)解析法」と「光支援C-V法」を組み合わせることで行った。N20ラジカル処理による制御プロセスを行ったAl203/AlGaN界面では、電子準位密度は伝導帯近傍において8x10^12cm^-2eV^-1程度、禁制帯中央近傍において1x10^12cm^-2eV^-1未満とそれぞれ見積もられた。界面制御を行わなかった界面と比較すると、禁制帯内のアクセプタ型電子準位は40%程度に減少していると予想された。続いて、絶縁ゲートHEMTの伝達特性評価によるしきい値電圧安定性評価を行った。N2Oラジカル処理によって低密度に制御されたHEMTでは、160度の高温下においても負ゲート電圧ストレス印加前後のしきい値電圧変動が0.6V未満に抑制された。GaN系絶縁ゲートHEMtにおける電子準位密度と電気特性向上の関係を示した初めての報告例となった。

GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) for next-generation power conversion applications and insulating film/semiconductor junctions are essential for the formation of insulating transistor structures. The high density electron level exists at the interface between the insulating film and GaN semiconductor, and the operation stability and reliability of the GaN semiconductor interface are discussed. The results of this research include the establishment of an interface electron level evaluation method in an insulating HEMT, the successful development of an electron level control system, and the detailed evaluation of the electron level density at the Al203/AlGaN interface in an Al2O3/GaN insulating HEMT. As a result, the electron level is low and the interface is stable. Electronic level evaluation,"Frequency dispersion capacity voltage (C-V) analysis method" and "Optical support C-V method" are combined. The Al203/AlGaN interface has an electron quasi-potential density of 8x10^12cm^-2eV^-1 near the conduction band and an electron quasi-potential density of 1x10^12cm ^-2eV ^-1 near the inhibition band. The interface control method reduces the electron level of the interface by 40%. In addition, the evaluation of the characteristics of HEMT and the evaluation of voltage stability are carried out. N2O high voltage treatment for low density control HEMT, 160 degrees high temperature, high voltage before and after the start of the voltage change to 0.6V high temperature control The relationship between electron potential density and electrical properties of GaN system is reported.