权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

低速イオンとファンデルワールス薄膜固体の衝突反応に関する基礎的研究

慢离子与范德华薄膜固体碰撞反应的基础研究

基本信息

批准号：
09740422
负责人：
佐藤哲也
金额：
$ 1.28万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

项目摘要

衝突エネルギーが数100eV以下の低エネルギー領域における低速イオンと固体表面の相互作用に関して、総合的かつ基礎的な知見を得るための方法論の開発を行った。7.6Kに冷却した清浄なSi基坂上に、0.1〜数分子層で制御された原子・分子薄膜を真空蒸着法で形成し、400eVのHe^+イオンで衝撃した。二次イオン強度の膜厚依存性、衝突エネルギー依存性などを検討し、1) スパイク領域における電荷移行反応と二次イオン収率・脱離収率の相関、2) エネルギー緩和過程と薄膜固体のV_0値(固体の電子親和力)の相関、などに関する知見を得た。薄膜固体としては、希ガスRg(Ar,Kr,Xe)、窒素、酸素、および一酸化炭素などの単一種薄膜や、これらの積層膜および任意の割合で混合した混合薄膜を用いた。「垂直イオン入射、垂直イオン引き出し法」が可能な、飛行時間型質量分析計で質量分析した。希ガス薄膜固体中のホールやエキシトンの拡散長は、Ar<Kr<Xeの順に長い傾向があり、二次イオン生成において、多価イオン(Rg^<2+>)や励起種(Rg^*、Rg^<+*>)の寄与が大きい事が分かった。また、負のV_0値を持つ酸素薄膜の方が窒素薄膜(V_0>0)に比べ二次イオンの生成のスパイク領域が大きいことが分かった。

The development of a methodology for the investigation of the interaction between solid surfaces and low speed environments with a collision frequency of less than 100eV Cooling at 7.6 K to clear Si substrate, 0.1 to several molecular layers to control atomic and molecular thin film formation by vacuum evaporation, 400eV and He^+3 impact. The dependence of film thickness and collision generation on the second-order electron intensity is discussed. 1) The correlation between charge transfer reaction, second-order electron recovery rate and desorption rate in the field of electron absorption is obtained. 2) The correlation between the electron absorption relaxation process and the V0 value of thin film solid (electron affinity of solid) is obtained. Thin film solid state, such as Rg(Ar,Kr,Xe), element, acid, and acid carbon, a thin film, a laminated film, and an arbitrary mixture of thin films. "Vertical incidence, vertical incidence and exit method" is possible, time of flight type mass analyzer is mass analysis. The dispersion length of Ar <Kr<Xe in the solid state of the thin film, the tendency of Ar<Kr<Xe to be long, the formation of secondary elements, and the formation of multiple elements (Rg^<2+>) and excited species (Rg^*, Rg^<+*>). For example, if V_0>0, the film thickness of the acid film is larger than that of the secondary film thickness.