光エネルギーの高品位化を目指した人工Zスキームの構築
光エネルギーの高品位化を目指した人工Zスキームの構築
批准号:
14654119
负责人:
石谷 治
金额:
$1.86万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 2003
中文摘要
レニウムビピリジン錯体fac-[Re^I(bpy)(CO)_3L]^<n+>は、単独でCO_2還元の光触媒として働くことが知られている。しかし、これらの錯体は可視部の吸収が弱く、太陽光を有効に利用できない、また触媒の耐久性が低いという欠点がある。本研究では、可視光を効率良く吸収できるレニウムビピリジン錯体とルテニウム錯体を連結した種々の多核錯体を合成し、その光触媒特性を調べた。その結果、各錯体ユニット間の相互作用の弱い架橋配位子を用いた場合(Fig.1)、高いCO_2還元の光触媒能を示した。ルテニウム錯体とレニウム錯体を相互作用のほとんどないbpy-C_3H_6-bpy(C_3OH)配位子で連結した系を用いることにより、COの生成量は、二核錯体[Ru-C_3OH-Re]^<2+>では、そのモデルになる単核錯体混合系の2倍、四核錯体[RU-Re_3]^<2+>では3倍になることが分かった。一方、Ru部とRe部の相互作用が比較的強い架橋配位子を用いると光触媒能は大幅に低下した。[Ru-C_3OH-Re]^<2+>の本光触媒反応は、Fig.2に示す機構で進行していると考えられる。すなわち、(1)Ru部が光励起されることによる架橋配位子への電子移動(MLCT状態の生成)と、(2)そのBNAHによる還元的消光により反応は開始する。その結果Ru部の一電子還元体ができ、次に(3)ゆっくりとしたRe部への分子内電子移動が起こる。(4)Re部の一電子還元体がCO_2を還元する。このように、光捕集機能を有するルテニウム錯体と、二酸化炭素還元触媒能を持つレニウム錯体を連結し、有機的に働かすことのできる条件が明らかになった。これは、本研究計画の目標である人工zスキームの構築に重要な情報を与えてくれる。ルテニウムサイトを、半導体に化学結合させることにより、半導体の光励起状態とルテニウム錯体の光励起状態を順次的に発生させ、電子を半導体からレニウム触媒部に流し込むことができると予想される。今後この知見を基に、水を還元剤とした二酸化炭素の光還元が可能な人工Zスキームの構築を目指す。
英文摘要
レニウムビピリジン錯体fac-[Re^I(bpy)(CO)_3L]^<n+>は、単独でCO_2還元の光触媒として働くことが知られている。しかし、これらの錯体は可視部の吸収が弱く、太陽光を有効に利用できない、また触媒の耐久性が低いという欠点がある。本研究では、可視光を効率良く吸収できるレニウムビピリジン錯体とルテニウム錯体を連結した種々の多核錯体を合成し、その光触媒特性を調べた。その結果、各錯体ユニット間の相互作用の弱い架橋配位子を用いた場合(Fig.1)、高いCO_2還元の光触媒能を示した。ルテニウム錯体とレニウム錯体を相互作用のほとんどないbpy-C_3H_6-bpy(C_3OH)配位子で連結した系を用いることにより、COの生成量は、二核錯体[Ru-C_3OH-Re]^<2+>では、そのモデルになる単核錯体混合系の2倍、四核錯体[RU-Re_3]^<2+>では3倍になることが分かった。一方、Ru部とRe部の相互作用が比較的強い架橋配位子を用いると光触媒能は大幅に低下した。[Ru-C_3OH-Re]^<2+>の本光触媒反応は、Fig.2に示す機構で進行していると考えられる。すなわち、(1)Ru部が光励起されることによる架橋配位子への電子移動(MLCT状態の生成)と、(2)そのBNAHによる還元的消光により反応は開始する。その結果Ru部の一電子還元体ができ、次に(3)ゆっくりとしたRe部への分子内電子移動が起こる。(4)Re部の一電子還元体がCO_2を還元する。このように、光捕集機能を有するルテニウム錯体と、二酸化炭素還元触媒能を持つレニウム錯体を連結し、有機的に働かすことのできる条件が明らかになった。これは、本研究計画の目標である人工zスキームの構築に重要な情報を与えてくれる。ルテニウムサイトを、半導体に化学結合させることにより、半導体の光励起状態とルテニウム錯体の光励起状態を順次的に発生させ、電子を半導体からレニウム触媒部に流し込むことができると予想される。今後この知見を基に、水を還元剤とした二酸化炭素の光還元が可能な人工Zスキームの構築を目指す。
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熱活性化遅延蛍光有機分子と金属錯体の協奏的機能開発:CO2還元光触媒への新展開
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批准号:22K19081
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2022
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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批准号:20H00396
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.7万
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财政年份:2020
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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批准号:16F16336
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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财政年份:2016
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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批准号:11F01031
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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财政年份:2011
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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批准号:18033014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.43万
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财政年份:2006
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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批准号:17029019
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.69万
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财政年份:2005
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负责人:石谷 治
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依托单位:
配位空間で働く配位子間相互作用を用いた金属錯体の光機能性制御
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批准号:17036015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:2005
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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批准号:17635002
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:石谷 治
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依托单位:
金属錯体を含む複合系の光機能制御
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批准号:16635003
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2004
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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批准号:15033223
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.2万
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财政年份:2003
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负责人:石谷 治
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依托单位:
ヒドリド還元を選択的に駆動する光触媒の高機能化―反応機構の解明と金属錯体・半導体ハイブリッド化―
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批准号:14050020
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2002
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负责人:石谷 治
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依托单位:
還元された金属錯体の光化学と光エネルギーの高品位化を行う人工Zスキームへの展開
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批准号:10875170
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.32万
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财政年份:1998
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负责人:石谷 治
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依托单位:
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胶体量子点的激子过程调控策略与光化学应用研究
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批准号:JCZRLH202600137
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批准号:2026JJ50117
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