紫外発光ダイオードを用いた皮膚病治療システム
紫外発光ダイオードを用いた皮膚病治療システム
批准号:
17650155
负责人:
天野 浩
金额:
$2.11万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 --
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英文摘要
光線治療の光源として、中波長紫外線(UV-B)や長波長紫外線(UV-A)を波長域に持つ蛍光管が用いられ、紫外線治療は皮膚疾患の治療として一般化している。様々な皮膚疾患に対して、それぞれある特定の波長の光線を用いることが治療に必要である。名古屋市立大学病院では、現在、波長311-313nmのUV-B波により乾癬の治療を実施している。その光源として用いられているのが、オランダのフィリップス社が開発した蛍光管である。蛍光管を用いた光線治療システムは、大面積での照射が可能であり、また311-313nmのみであるがスペクトル線幅の非常に細い紫外光を得られる特徴がある。しかし、(1)装置が大掛かりで持ち運びできない。(2)装置の設置に数m^2程度の大きな面積が必要である。(3)大面積照射のため正常部位にも照射してしまう。(4)医療従事者の被爆の可能性がある。更に、(5)現在では、スペクトル線幅の非常に細い紫外光は311-313nmのみであり、利用可能な波長が蛍光管によって限定されて波長選択性に乏しい、などの問題点があった。これらを解決する方法として、小型UV光源である半導体発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)が注目される。III族窒化物半導体を用いたUV LEDは急速に開発が進んではいるものの、360nm以下の短波長では、現在も効率は数%程度である。本研究では、市販のUV LEDによる紫外線照射装置を用い、健全細胞よりもUV光に対する感度が高い腫瘍細胞のうち、ヒト急性T細胞性白血病細胞株であるJurkat細胞に対してUV照射を行い、細胞の自発的な死である、いわゆる細胞のアポトーシス、および壊死の状態であるネクローシスが観測されるかどうかを確認することを目的とした。その結果、従来の大型蛍光管を用いたものと同等のアポトーシス及びネクローシスを確認した。
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会议论文
Growth of high-quality AlN with high growth rate by high-temperature MOVPE
利用高温MOVPE高生长率生长高质量AlN
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Physica.Status Solidi (c) 3
影响因子:
--
作者:
[N.Fujimoto, T.Kitano, G.Narita, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, K.Shimono, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh]
通讯作者:
A.Bandoh
DOI:
10.1143/jjap.45.2502
发表时间:
2006-04
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[N. Okada;Naoki Fujimoto;T. Kitano;G. Narita;M. Imura;K. Balakrishnan;M. Iwaya;S. Kamiyama;H. Amano;I. Akasaki;Kenji Shimono;T. Noro;T. Takagi;A. Bandoh]
通讯作者:
N. Okada;Naoki Fujimoto;T. Kitano;G. Narita;M. Imura;K. Balakrishnan;M. Iwaya;S. Kamiyama;H. Amano;I. Akasaki;Kenji Shimono;T. Noro;T. Takagi;A. Bandoh
High-Power Coherent THz Source Based on GaN IMPATTs
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批准号:22H00213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.46万
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财政年份:2022
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负责人:天野 浩
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依托单位:
Growth of high-quality bulk GaN substrate by ammonothermal method
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批准号:19F19752
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.7万
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财政年份:2019
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负责人:天野 浩
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依托单位:
nGaN nanorod-based energy-harvesting/energy-saving devices/systems
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批准号:18F18347
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.7万
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财政年份:2018
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负责人:天野 浩
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依托单位:
無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用
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批准号:16F14366
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2016
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负责人:天野 浩
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依托单位:
無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用
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批准号:14F04366
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2014
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负责人:天野 浩
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依托单位:
サファイア基板上へのレーザアシスト超高品質AlNエピタキシャル成長
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批准号:15656008
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2003
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负责人:天野 浩
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依托单位:
全固体式真空紫外レーザーの実現
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批准号:09875083
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1997
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负责人:天野 浩
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依托单位:
窒化物半導体極短波長面発光レーザの研究
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批准号:05805031
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1993
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负责人:天野 浩
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依托单位:
極短波長半導体レーザダイオードに関する基礎研究
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批准号:04855048
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:天野 浩
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依托单位:
炭化珪素を中間層として用いた珪素基板上への窒化物単結晶薄膜育成に関する研究
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批准号:03855054
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:天野 浩
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依托单位:
窒化物系ワイドギャップ半導体に於ける低加速電子線照射効果に関する研究
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批准号:02855067
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:天野 浩
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依托单位:
海外基金