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nGaN nanorod-based energy-harvesting/energy-saving devices/systems

基于 nGaN 纳米棒的能量收集/节能设备/系统

基本信息

批准号：
18F18347
负责人：
天野浩
金额：
$ 0.7万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-11-09 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18F18347/
关键词：
InGaN ナノロッドトップダウン方式マイクロLEDディスプレイ

项目摘要

これまで、以前Geoffrey Avit氏が学生として所属していたフランスクレルモンオーベーニュ大学では、ハロゲン気相成長法を用いてInGaNナノロッドの成長を行ってきたが、pn接合が出来ないため、LED作製が出来なかった。当研究室が持つ有機金属化合物気相成長(MOVPE)法によるナノロッド成長ではLED作製は可能であるが、従来のボトムアップ的手法での作製では、ｃ面のほかに半極性面や無極性面にも成長する。それぞれの面で成長速度やInの取り込まれが変化することから発光波長が複数になり、ディスプレイに必要な単色性で半値幅の狭いナノロッドLEDができないという課題があった。同氏は当研究室のMOVPE装置を用いてｃ面上にInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を成長後、トップダウン的にエッチングすることにより、アキシャルタイプのナノロッドを作製する方法を用いた。エッチングパターンの作製には、従来の電子線描画に比べて圧倒的に生産性の高いナノインプリントを用いた。トップダウンで作製したMQWは(0001)面のみのため、幅の狭い単一ピークの発光が観察された。さらに興味深いことに、ナノロッド直径を1000 nmから100 nmと細くするにつれてブルーシフトし、例えば加工前の二次元のｃ面MQWの場合575 nmであったものが、200 nm径のナノロッドでは545 nmと30 nmもの短波長側へのシフトが観測された。この原因は、1．ナノロッド化による歪緩和の影響、あるいは、2．側壁部空乏層の広がりによる空乏化に基づくサイズ効果が考えられる。トップダウンによるナノロッド作製法は、応用上、ナノロッド径制御による簡易な発光波長制御が期待される。そのほか、下地のn-GaN層、上のp-GaN層、p+n+のトンネル接合、AlCを用いたSi基板上へのGaNの成長などを行った。

In the past, the students of Geoffrey Avit used to use the growth method of the InGaN joint, the pn joint, the LED joint, and the LED joint to make the growth process. When the laboratory is responsible for the growth of organic metal compounds (MOVPE), the growth of organic metal compounds (MOVPE), the growth of organic metal compounds, the growth of organic metal compounds The growth rate of the In is much higher than that of the optical wave length of the optical wave, and the color of the wave length of the optical wave is very high. The growth rate of the In is very fast. The optical wave length of the optical wave is complex, and it is necessary to change the color of the optical wave. In the same laboratory, the MOVPE device uses the InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) on the c-plane to grow up, and to make sure that the method is used. If you don't know what to do, you can use a computer to draw a picture that is higher than that of a normal person. The surface of the MQW (0001) is very thin, and the width of the surface is narrow. The diameters are 1000 nm, 100 nm, and the diameters are different. For example, before processing, the MQW of the second dimension is 575 nm, and the diameter is 30 nm. The cause, 1. The cause, 1. The cause, the cause, In order to improve the accuracy of the system, the system is used, and the path is used to control the light wavelength system. On the ground, the n-GaN, the upper p-GaN, the pendant, the GaN, the AlC, the growth of the GaN on the substrate of the Si.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Growth and properties of InGaN based nanorods for LEDs: comparison between core/shell and axial MQWs structures

用于 LED 的 InGaN 基纳米棒的生长和性能：核/壳结构与轴向 MQW 结构之间的比较

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Geoffrey Avit;Yoann Robin;Yaqiang Liao;Léo Mostépha;Boris Michalska;Agnès Trassoudaine;Shuggo Nitta and Hiroshi Amano
通讯作者：
Shuggo Nitta and Hiroshi Amano

Scalable fabrication of GaN on amorphous substrates via MOCVD on highly oriented silicon seed layers

通过 MOCVD 在高度取向的硅种子层上可扩展地在非晶衬底上制造 GaN

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125522
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Hainey Mel;Robin Yoann;Avit Geoffrey;Amano Hiroshi;Usami Noritaka
通讯作者：
Usami Noritaka

クレルモンオーベーニュ大学(フランス)

克莱蒙-欧拜涅大学（法国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Synthesis of InGaN nanowires and nanostructures to achieve high indium content and high crystal quality for optoelectronic devices

合成InGaN纳米线和纳米结构以实现光电器件的高铟含量和高晶体质量

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Geoffrey Avit;Yoann Robin;Mohammed Zeghouane;Léo Mostéfa;Boris Michalska;Yamina Andre;Dominique Castelluci;Agnès Trassoudaine;and Hiroshi Amano
通讯作者：
and Hiroshi Amano