全固体式真空紫外レーザーの実現

全固态真空紫外激光器的实现

• 批准号: 09875083
• 负责人: 天野 浩
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09875083/
• 关键词: III族窒化物半導体; レーザーダイオード; 真空紫外; 二次高調波; アップコンバージョン; 混晶; FIB加工; SHG; ハイパワーレーザー

二次高調波結晶、アップコンバージョン結晶等による固体式真空紫外レーザーダイオード実現のため、III族窒化物半導体レーザーダイオードの高性能化について検討した。AlInNはInNモル分率0.17でGaNと格子整合するため、新しいヘテロ接合用混晶として有望である。本研究では、組成の異なるAlInNをGaN上に成長し、格子整合する付近でモザイク性が最も減少し、高い結晶品質を有するAlInNの成長が可能であることをはじめて見出した。また、同混晶系からの室温でのフォトルミネッセンスを始めて観測した。活性層として用いられるGaInNの組成とバンド構造の関係を変調反射分光法を用いて精密に測定した。III族窒化物半導体レーザーダイオードは、通常サファイア上に作製されており、壁開性がないため、他の化合物半導体と同様の方法では共振器ミラー面を作製することは出来ない。本研究では、集束イオンビーム(FIB)加工装置を用いて共振器ミラーの作製を行った。その結果、FIBは有用であり、またミラー同士の回転角依存性やあおり角依存性に関して、新たな知見を得ることが出来た。また従来、光閉じ込め不足によるビームの多峰性が大きな問題であったが、AlGaNn型導電層を用いた新しい構造により単峰性ビームを実現した。現在、高出力化について検討を進めている。更に、二次高調波結晶やアップコンバージョン結晶とのカップリングについては今後の課題である。

Secondary high modulation wave crystallization, アップコバージョン crystallization and other solid-type vacuum ultraviolet rays High-performance semiconductors of Group III sulfide semiconductors have been developed. AlInN's InN material has a fraction of 0.17, GaN's lattice integration is possible, and new hybrid crystals are expected to be used for bonding. This research is about the growth of AlInN and GaN and the closeness of the lattice integration. The best way to reduce the risk and improve the crystal quality is because of the growth of AlInN.また, the same mixed crystal system からのroom temperature でのフォトルミネッセンスをstart めて観measurement した. The active layer was composed of GaInN and its structure was measured using precision modulated reflection spectroscopy. Group III sulfide semiconductor semiconductors, usually manufactured by Semiconductor Semiconductor, wall-opening properties It's a compound semiconductor and it's the same method as the resonator. In this study, the FIB processing device was fabricated using a resonator module. The result of その, FIB は useful であり, またミラー同士の回転 Corner dependency やあおりcorner dependency に关して, 新たな知见を got ることが出た.また従来、光closureじ込め不了によるビームの大きなISSUEであったが、 The AlGaNn type conductive layer is constructed with a new structure and a new structure. Now, it's a high-effort change. Update, the second high-pitched wave crystallization of the crystallization of the second high-pitched wave is a future issue.

项目成果

天野浩、 竹内哲也、 山口栄雄、 Christian Wetzel、 赤〓 勇: "サファイア上GaNの成長過程と結晶学的特性およびGaN上AlGaN、GaInNの結晶学的特性" 電子情報通信学会論文誌. C-II. 65-71 (1998)

Hiroshi Amano、Tetsuya Takeuchi、Hideo Yamaguchi、Christian Wetzel、Isamu Aka：“蓝宝石上 GaN 的生长过程和晶体学特性以及 GaN 上 AlGaN 和 GaInN 的晶体学特性”电子、信息和通信工程师协会学报 C-II。 .65-71 (1998)

H.Kato, T.Takeuchi, R.Mizuhoto, S.Yamaguchi, C.Wetzel, H.Amano, L.Akasaki, Y,Kaneko and N.Yamada: "GaN Based Laser Diode with Focused Ion Beams Etched Mirrors" Jpn.J.Appl.Phys.37. L444-L446 (1998)

H.Kato、T.Takeuchi、R​​.Mizuhoto、S.Yamaguchi、C.Wetzel、H.Amano、L.Akasaki、Y、Kaneko 和 N.Yamada：“具有聚焦离子束蚀刻镜的基于 GaN 的激光二极管”Jpn。

:M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Yamaguchi, C.Wetzel, H.Amano and I.Akasaki: "Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN" Jpn

：M.Iwaya、T.Takeuchi、S.Yamaguchi、C.Wetzel、H.Amano 和 I.Akasaki：“通过插入低温沉积层来降低蓝宝石上有机金属气相外延生长 GaN 中的蚀刻坑密度

C.Wetzel, T.Takeuchi, S.Yamaguchi, H.Katoh, H.Amano and I.Akasaki: "Optical bandgap in Ga_<1-x>In_xN (0<x<0.2) on GaN by photoreflection spectorscopy" Appl.Phys.Lett. 73. 1994-1996 (1998)

C.Wetzel、T.Takeuchi、S.Yamaguchi、H.Katoh、H.Amano 和 I.Akasaki：“通过光反射光谱法观察 GaN 上 Ga_<1-x>In_xN (0<x<0.2) 的光学带隙”

酒井浩光、 竹内哲也、 天野浩、 赤〓勇: "GaNの誘導放出機構と混晶効果" レーザー研究. 25. 510-513 (1997)

Hiromitsu Sakai、Tetsuya Takeuchi、Hiroshi Amano、Isamu Aka：“GaN 中的受激发射机制和混合晶体效应”激光研究 25. 510-513 (1997)。