極短波長半導体レーザダイオードに関する基礎研究

超短波长半导体激光二极管基础研究

基本信息

  • 批准号:
    04855048
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1992
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1992 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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BGaN半導体中性子検出器のチップサイズ小型化
BGaN半导体中子探测器芯片尺寸小型化
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  • 作者:
    山田 夏暉;太田 悠斗;高橋 祐吏;丸山 貴之;中川 央也;川崎 晟也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;井上 翼;青木 徹;中野 貴之
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  • 通讯作者:
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High-Power Coherent THz Source Based on GaN IMPATTs
基于 GaN IMPATT 的高功率相干太赫兹源
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    17650155
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    2005
  • 资助金额:
    $ 0.58万
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    Grant-in-Aid for Exploratory Research
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  • 批准号:
    15656008
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 0.58万
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  • 批准号:
    09875083
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 0.58万
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  • 批准号:
    05805031
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 0.58万
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    03855054
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

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    2027
  • 资助金额:
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    2027
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    $ 0.58万
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CDT 第 1 年,预计 2024 年 10 月
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  • 资助金额:
    $ 0.58万
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    $ 0.58万
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知道了