权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

無触媒窒化物系ナノワイヤの有機金属化合物気相成長と太陽光発電素子応用

非催化氮化物纳米线有机金属化合物气相生长及其在太阳能发电装置中的应用

基本信息

批准号：
14F04366
负责人：
天野浩
金额：
$ 0.77万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-25 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-14F04366/
关键词：
Gallium Nitride nanowire nanorod solar cells core-shell MOCVD nonpolar Si substrate InGaN ナノワイヤ太陽電池

项目摘要

The main purpose of this research is to study the photovoltaic effect of InGaN/GaN-based nanowire solar cells. To grow GaN core nanostructures, selective area growth was used, thereby resulting in GaN nanowires with high aspect ratio and high quality. Afterwards, the research has been focused on the growth of InGaN shell structures acting as an light absorption layer. To characterize the emission properties of grown core-shell InGaN nanowires, several kinds of spacial high-resolution methods have been used such as TEM and CL. Based-on these results, we have reported five joural papers and six international conferences. These publications cover the advanced growth technology to obtain high quality of GaN nanorods not only with MOCVD but also with other epitaxy tools such as MBE and HVPE. Indeed, extensive trials have been made to find the appropriate growth condition for growing uniform GaN nanowire. To find the feasiblity of the growth on novel materials, several kinds of substancs were attempted such as sapphire, silicon, and silica substrates. The emission characteristics of InGaN shells indirectly reflected the absorption properties of InGaN core-shell nanowires. Furthermore, a simulation based on the experimental resutls showed more promise potential of InGaN core-shell nanowwire solar cells. Thus, we believe that this study will really contribute to the development of high effiecicy nanowire solar cell in the near future.

本研究的主要目的是研究InGaN/ gan基纳米线太阳能电池的光伏效应。为了生长GaN核心纳米结构，采用了选择性区域生长，从而获得高纵横比和高质量的GaN纳米线。随后，研究重点是InGaN壳结构作为光吸收层的生长。为了表征生长的InGaN核壳纳米线的发射特性，使用了几种空间高分辨率方法，如TEM和CL。基于这些结果，我们已经发表了5篇期刊论文和6次国际会议。这些出版物涵盖了先进的生长技术，不仅可以通过MOCVD，还可以通过MBE和HVPE等其他外延工具获得高质量的GaN纳米棒。事实上，已经进行了大量的试验，以找到生长均匀氮化镓纳米线的适当生长条件。为了寻找在新材料上生长的可行性，我们尝试了蓝宝石、硅和二氧化硅等材料作为衬底。InGaN壳层的发射特性间接反映了InGaN核壳纳米线的吸收特性。此外，基于实验结果的模拟表明，InGaN核壳纳米线太阳能电池具有更广阔的应用前景。因此，我们相信这项研究将在不久的将来为高效纳米线太阳能电池的发展做出真正的贡献。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Compatibility of hydride vapor phase epitaxy process with synthesis of horizontal and vertical GaN nanowires

氢化物气相外延工艺与水平和垂直GaN纳米线合成的兼容性

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Lekhal;S. Y. Bae;H. J. Lee;Z. Sun;M. Deki;Y. Honda;and H. Amano
通讯作者：
and H. Amano

Structural and optical study of core-shell InGaN layers of GaN nanorods on Si substrates via pulsed-mode MOCVD

通过脉冲模式 MOCVD 对 Si 衬底上 GaN 纳米棒核壳 InGaN 层进行结构和光学研究

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Si-Young Bae;Byung Oh Jung;Kaddour Lekhal Dong-Seon Lee;Manato Deki;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano
通讯作者：
and Hiroshi Amano

Growth of Highly Ordered GaN Nanorod Light-Emitting Didoes on Si-Based AlN Template for Epitaxial Transfer

用于外延转移的硅基 AlN 模板上高度有序 GaN 纳米棒发光二极管的生长

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Si-Young Bae;Byuong Oh Jung;Ho-Jun Lee;Kaddour Lekhal;Dong-Seon Lee;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano
通讯作者：
and Hiroshi Amano

SELECTIVE GaN GROWTH ON AMORPHOUS LAYER BY COMBINED EPITAXY WITH MBE AND MOCVD

通过结合 MBE 和 MOCVD 外延在非晶层上选择性生长 GaN

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Si-Young Bae;Jung-Wook Min;Byung Oh Jung;Kaddour Lekhal;Dong-Seon Lee;Yong-Tak Lee;Yoshio Honda;and Hiroshi
通讯作者：
and Hiroshi

Highly ordered catalyst-free InGaN/GaN core-shell architecture arrays with expanded active area region