分子メモリー機能要素としての半導体-有機分子接合界面の研究
半导体-有机分子结界面作为分子记忆功能元件的研究
基本信息
- 批准号:18656207
- 负责人:
- 金额:$ 2.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2007
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
電子集積回路の加工線幅が10nmを切るシングルナノ世代では、材料工学的微細化の限界の存在が、強く懸念されている。例えば、メモリーデバイスは、キャパシターに電荷を蓄積することで情報ビットを記録するが、キャパシターのサイズが極微化すると、金属酸化物誘電体では必要な電荷量を必要な時間保持することが困難になる。そこで、有機分子の可逆的な酸か還元反応を電荷蓄積の原理として用いる新しいメモリーデバイスを提案した。本研究では、可逆的な電気化学的酸化還元応答を示す有機金属錯体分子をその機能を保持したままシリコン表面へ接合するプロセスを確立し、さらにその接合界面の電子物性(特に、半導体バルクと有機分子間の電子移動特性)を明らかにし、Redox分子メモリー実現のためのさらなる研究指針を確定することを目的とする。可視光励起法によるシリコン表面へのビニルフェロセン(VFc)分子接合について研究をおこなった。可視光励起法は、熱励起法と比較するとVFcが重合することが少ないマイルドな接合プロセスであることがわかった。さらに、反応溶媒をメシチレンからデカンへと変えることで、ほとんど重合副生物のないVFc単分子膜を形成することに成功した。これによって真のVFc単分子膜Si接合試料の電気化学応答を計測し、そのメモリー機能をしらべることができるようになった。基板シリコンの不純物濃度や導電性タイプの違いに依存したVFc単分子膜の電気化学応答データを集積した。
The processing line width of electronic integrated circuits is 10nm, the cutting is not limited to the generation, the miniaturization of materials engineering is the existence of the limit, and the suspense is strong. Example: えば, メモリーデバイスは, キャパシターにchargeをAccumulating information and recording informationーのサイズがMiniaturizationすると、Metal acid dielectric requires a necessary amount of charge and a necessary time to maintain it. It is difficult to maintain it for a long time. The principle of reversible acid reduction and reverse charge accumulation of organic molecules is proposed by the new principle of いる新しいメモリーデバイスを. This study demonstrates the functional properties of organometallic complex molecules through reversible electrochemical acidification and reduction.したままシリコンsurfaceへjointするプロセスをestablishedし、さらにそのjoining interfaceのElectronic physical properties (special properties of semiconductors, electron movement characteristics between organic molecules), Re dox molecule メモリー実appears のためのさらなる research pointer をdetermine することをpurpose とする. Visible light excitation method へのビニルフェロセン (VFc) molecular bonding について research をおこなった. The visual light excitation method and the thermal excitation method are compared, and the VFc overlap is less and the ないマイルドな joint is the ロセスであることがわかった.さらに、Reaction solvent をメシチレンからデカンへと変えることで、ほとThe formation of a single molecular membrane of VFc by coincidence with the secondary organism was successful.これによって真のVFc Single Molecular Film Si Bonding Sample のElectrochemical Chemical Test をMeasurement and measurement functions. The impurity concentration of the substrate is determined by the electrical conductivity of the VFc single molecular film and the concentration of the impurities in the film.
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
水素終端化シリコン基板上へのビニルフェロセン分子の固定化
乙烯基二茂铁分子在氢封端硅基底上的固定化
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:笠原大爾;佐野光;一井 崇;邑瀬邦明;杉村博之
- 通讯作者:杉村博之
Multicycle Desorption-Adsorption Voltammetry for Self-Assembled Mixed Monolayer Containing Ferrocenylthiol Molecules: A Discussion on Molecular Interaction in the Mixed Layer
- DOI:10.5796/electrochemistry.75.523
- 发表时间:2007-07
- 期刊:
- 影响因子:2.5
- 作者:Sho Fujii;K. Murase;H. Sugimura
- 通讯作者:Sho Fujii;K. Murase;H. Sugimura
Thermal Immobilization of Ferrocene Derivatives on (III) Surface of n-Type Silicon-Parallel between Vinylferrocene and Ferrocenecarboxaldehyde
二茂铁衍生物在乙烯基二茂铁和二茂铁甲醛之间的n型硅平行表面上的热固定化
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N.Tajimi;H.Sano;K.Murase;K.-H.Lee;H.Sugimura
- 通讯作者:H.Sugimura
Self-assembled mixed monolayer containing ferrocenylthiol molecules : STM observations and electrochemical investigations
- DOI:10.1016/j.electacta.2006.12.026
- 发表时间:2007-03
- 期刊:
- 影响因子:6.6
- 作者:Sho Fujii;S. Kurokawa;K. Murase;Kyunghwang Lee;A. Sakai;H. Sugimura
- 通讯作者:Sho Fujii;S. Kurokawa;K. Murase;Kyunghwang Lee;A. Sakai;H. Sugimura
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杉村 博之
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