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AFMリソグラフィによる集積型超微小電極の作製とその分子修飾

AFM光刻技术制备集成超微电极及其分子修饰

基本信息

批准号：
10131233
负责人：
杉村博之
金额：
$ 1.02万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は下記の3つの研究項目について研究を行った。(1) 有機シラン系単分子膜レジストの気相成長気相法により有機シラン単分子膜を作製した。光洗浄したシリコン基板と原料である有機シランを密閉容器に入れ全体を加熱し、基板表面を有機シラン蒸気にさらすことによって単分子膜を作製した。原料分子としてoctadecyltrimethoxysilaneを用い、処理温度150℃・処理時間3時間で作製した、炭素数18個のアルキル基からなる単分子膜(octadecylsilyl,ODS,膜厚約2nm)が、化学エッチングに対する良好な耐久性を示したので、このODS膜をレジストとして用いた。(2) AFMによるOD3単分子膜のパターニングODS単分子膜へのパターン描画は、導電性AFMプローブの先端から単分子膜へと局所的に電流を注入することによって行われる。注入する電流をpAからnAレベルで一定に制御できる定電流制御AFMリソグラフィ技術を開発し、パターニングの再現性を向上させることができた。(3) 選択無電解めっきによる金微細構造の作製ODS膜上へ描画したパターンを、金の微細構造へと転写するプロセスを開発した。まず、描画したサンプルをフッ酸によってエッチングする。電流を注入しODS膜を分解した領域では、フッ酸により酸化膜がエッチングされシリコン基板が露出する。それに対し、電流を注入していない領域ではODS膜によって酸化膜はエッチングから保護される。次に、フッ酸処理した試料を置換型金無電解めっき液に浸漬する。シリコン基板が露出している領域では、シリコンと金イオンが反応し金が堆積するが、ODSに覆われている領域では置換反応は起こらないため、プローブ走査した領域だけが金めっきされる。その結果、プローブ走査パターンに対してポジ型の金微細パターンが形成される。線幅200nm弱の金ラインをシリコン基板上に作製することができた。

The next three research projects will be completed this year. The main results are as follows: (1) the long phase method is used to detect the molecular membrane of the molecular membrane. The light washing machine is used to clean the raw materials of the substrate, the local machine, the airtight container is put into the whole machine, and the surface of the substrate is processed by steaming and heating. The molecular weight of raw materials was used as octadecyltrimethoxysilane, the temperature was 150C and the temperature was 150C, the temperature was 3T, the carbon number was 18, the thickness of the membrane was about 2nm, the durability of the film was good, the durability of the ODS film was good, and the ODS film was used in the vacuum test. (2) the current generated by AFM, OD3, ODS, and electrical AFM devices is injected into the local office of the molecular membrane. The injection of pA current into the nA system must ensure that the current control system is used to control the operation of the AFM system. (3) Select the electronic micrometer to make the ODS film to draw the micrometer, and the micrometer to make the device to start the computer. Paint, draw, draw, paint, paint, paint, The current is injected into the ODS film, the decomposition field is affected, the acidified film is acidified, and the substrate is exposed. The injection of electricity and current into the ODS film, the acidizing film, the acidizing film, the protection, the protection and the protection of the film. The second and the second part of the paper is used to immerse the metal in the solution of the metal alloy. The system base plate shows that the field is sensitive, the metal is sensitive, the ODSs is sensitive to the field, and the field is sensitive to the field. The results showed that the results were different. On the 200nm weak gold plate, there is a picture on the substrate.