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AFMリソグラフィによる集積型超微小電極の作製とその分子修飾

AFM光刻技术制备集成超微电极及其分子修饰

基本信息

批准号：
11118234
负责人：
杉村博之
金额：
$ 1.02万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は下記の2つの研究項目について研究を行った。(1)選択無電解めっきによる金属微細構造の作製炭素数18個のアルキル基からなる単分子膜(octadecylsilyl,ODS,膜厚約2nm)をレジストに用いる単分子膜リソグラフィ技術による電極表面の微細構造化表面修飾について研究を行い、ODS膜上へ描画したパターンを、金属の微細構造へと転写するプロセスを開発した。本プロセスは、昨年度の研究によって開発されたプロセスを発展させたプロセスで、昨年度の研究では金の選択無電解めっきしかできなかったが、パラジウム触媒のマイクロパターンによって、金以外の金属マイクロパターンを無電解めっきによって作製することが可能になった。実際にニッケルの選択堆積を行った。(2)金微細構造電極の分子修飾単分子膜リソグラフィ〜選択無電解メッキによって作製した金微細構造を選択的に表面修飾する実験を行った。硫黄化合物有機分子を金表面だけに吸着させ、金表面に自己組織化単分子膜を形成できることを実証した。(3)半導体ナノ電極の作製ODS膜をレジストに、AFMリソグラフィ技術によってシリコンのナノ構造を作製した。SOI基板を微細加工することによって、絶縁体基板上に孤立したシリコンナノ構造を作製することに成功した。以上の研究結果により、単分子膜リソグラフィによってマイクロからナノメートルスケールの微細構造をもった電極を作製することができるようになった。

This year, we will record 2 research projects. (1)18 octadecylsilyl (ODS, film thickness about 2 nm) were selected for the preparation of electrolysis-free metal fine structures. The research on fine structure surface modification of electrode surface was carried out in the process of ODS film drawing and metal fine structure writing. The research of this year has been carried out in the field of non-electrolytic metal selection, non-electrolytic metal selection and non-electrolytic metal selection. In the meantime, the selection process is still in progress. (2)Molecular modification of gold fine structure electrode Sulfur compounds are adsorbed on gold surfaces and self-organized on gold surfaces. (3)Semiconductor electrode manufacturing ODS film manufacturing technology, AFM technology, semiconductor electrode manufacturing technology SOI substrate microfabrication The results of the above study show that the micro-structure of the polymer film can be used to make the electrode.