フォトクロシズムの動的機構の解明。

阐明光致变色的动力学机制。

• 批准号: 04805083
• 负责人: 小林 健吉郎
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Ehime University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1992
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1992 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04805083/
• 关键词: フォトクロミック; ZnO; スパッタリング薄膜; Co不純物準住

酸化亜鉛にCo及びCaをドープした薄膜をスパツタソング法により作製し,これをGaをドープしたZnO及びAu薄膜電極ではさんだ三層構造素子を設計した。この3層構造素子を用いて光電流を測定し,分光特性及び時間依存性から光誘起電筒移動過程に関する情報を得た。CoをドープしたZnOでは光電流は710nmよりも短波長側で観測され,600〜650nmの光電流スペクトルは吸収スペクトルと一致していた。この結果は光電流発生過程にα‐α吸収による励起状態が関与していることを示唆している。実際この領域での光電流の時間依存生は時間と共に増加し 一定値に近づくという挙動を示す。理論的は考察からこの光電流の経時変化は初期状態が空の状態であることを意味しており,光励起状態の濃度が七二0(初期状態)では空である事と一致している。一方,500近くでの光電流は時間と共に減少し,初期濃度が空全に充満している状態から光電流が発生している事を示唆している,Co^<2+>の不純物準位からZnOの伝導帯への直接の光励起イオン過程が対応してると考えられる。CuをドープしたZnOは400nmでピークを与える光電流スペクトルを与えるが,それ以外特徴的なピークは存在しない,バンドギャップ励起を行ないながら光電流を測定すると600nmでのみ、光電流は増大し、400nm700nmで大きな減少が認められた。これより,600nmでの光電流はZnOの価電子帯からCu^<2+>のEg状態への電筒移動過程であり、400nmは価電子帯からCa^<2+>のT_2g状態への光電筒移動過程であろうと帰属できた。また500nm700mnはCa^<2+>の光イオン化であり,Ca^<2+>のT_2g状態からの光イオン化が観測できない理由が明確になった。

Acidification 亜 lead に Co and び Ca を ド ー プ し た film を ス パ ツ タ ソ ン グ method に よ り as し, こ れ を Ga を ド ー プ し た ZnO and び Au thin film electrode で は さ ん だ three layers of structure element child を design し た. こ の three layer structure element child を use い て photocurrent を し, spectral characteristics and び time dependency か ら light induced the torch movement に masato す る intelligence を た. Co を ド ー プ し た ZnO で は photocurrent は 710 nm よ り も short wavelength side で 観 measuring さ れ, 600 ~ 650 nm の photocurrent ス ペ ク ト ル は suction 収 ス ペ ク ト ル と consistent し て い た. The <s:1> <s:1> result of <s:1> the photocurrent generation process にα - α absorption による excitation state が is related to <s:1> て る る とを とを prompts て る る る る. In the real world, the で <s:1> photocurrent <e:1> in the <s:1> field is time-dependent, generating a <s:1> time と that co-に increases by a <s:1> certain value に and then nearly づくと う挙 う挙 to を show す. は investigation of the theory of か ら こ の photocurrent の 経 variations change when は initial state が empty の で あ る こ と を mean し て お り, light excitation state の concentration が righties 0 (initial state) で は empty で あ と る things consistent し て い る. Side, nearly 500 く で の photocurrent は time と に reduce し, initial concentration of が empty all に charge against し て い る state か ら photocurrent が 発 raw し て い を る things in business し て い る, Co ^ 2 + > < の impurity content must a か ら ZnO の 伝 guide 帯 へ の の excitation light directly イ オ ン process が 応 seaborne し て る と exam え ら れ る. Cu を ド ー プ し た ZnO は 400 nm で ピ ー ク を and え る photocurrent ス ペ ク ト ル を and え る が, そ れ outside of 徴 な ピ ー ク は exist し な い, バ ン ド ギ ャ ッ プ wound up line を な い な が ら photocurrent を determination す る と 600 nm で の み, photocurrent は raised large し, 400 nm700nm で big き な reduce が recognize め ら れ Youdaoplaceholder0. こ れ よ り, 600 nm で の photocurrent は ZnO の 価 electronic 帯 か ら Cu ^ 2 + < > の Eg state へ の torch movement で あ り, 400 nm は 価 electronic 帯 か ら Ca ^ 2 + < > の T_2g state へ の light the torch movement で あ ろ う と 帰 genus で き た. ま た 500 nm700mn は Ca ^ 2 + > < の light イ オ ン change で あ り, Ca ^ 2 + > < の T_2g state か ら の light イ オ ン change が 観 measuring で き な い reason が clear に な っ た.

项目成果

小林 健吉郎: "Mechanism of photoinduced charge transfer in Co(Li)-doped ZnO film" Jpn. J. Appl. Phys.31. L1079-L1082 (1992)

Kenkichiro Kobayashi：“Co(Li) 掺杂 ZnO 薄膜中的光致电荷转移机制”J. Appl.31 (1992)。

小林 健吉郎: "Thearetical consideration on photochromism of an oxide doped with transition metel ions in strong electric field" Chem. Lett. 1992. 515-518 (1992)

Kenkichiro Kobayashi：“强电场中掺杂过渡金属离子的氧化物的光致变色的理论考虑”Chem. 1992。 515-518 (1992)

小林 健吉郎: "Optical and electronic properties of Co-doped ZnO films prepared by sputteing method." J. Materials Science. 27. 5953-5957 (1992)

Kenkichiro Kobayashi：“溅射法制备的 Co 掺杂 ZnO 薄膜的光学和电子特性。”J. Materials Science 27. 5953-5957 (1992)

松嶋 茂憲: "No_2 sensitive Ge-doped ZwD thin film" Chem. Lett. 1992. 323-326 (1992)

Shigenori Matsushima：“No_2 敏感 Ge 掺杂 ZwD 薄膜”Chem. 1992。323-326 (1992)

小林 健吉郎: "Valence state of Co ions in a sputtering ZnO film" J. Materials Science Lett.12. 168-169 (1993)

Kenkichiro Kobayashi：“溅射 ZnO 薄膜中 Co 离子的价态”J. Materials Science Lett.168-169 (1993)。