銅を含まない高温酸化物超伝導体の探索

寻找无铜高温氧化物超导体

基本信息

  • 批准号:
    03211221
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

銅以外の酸化物超伝導体としてMnとNbの層状ペロブスカイト物質に注目し,その超伝導性を検討した。これまで,MnO_2層を1層含むBiPbSrMnOxとMnO_22層を含むBi_2PbSr_2MnOxの合成を検討したところ,いづれも酸素分圧が低いアルゴン雰囲気中で,単相の合成に成功した。この物質は格子定数が,a=b=5.30A^^○,C=25.6A^^○(MnO_21層),としてa=b=5.30A^^○,C=30.2A^^○ MnO_22層と見積ることができました。MnO_2一層についてはTarascon等が詳しく研究を行こなっているが,MnO_22層については我々が始めて合成に成功した。しかしながら,この物質は電気伝導度の温度依存性から半導体的挙動を示し,帯磁率の温度依存性から50kで常磁性体から反強磁性体に転移しており,超伝導性を見い出すことはできませんでした。更にキヤリヤ-をド-プする必要があると考えられます。一方,Nb系の層状ペロブスカイト構造としてはKCa_2Nb_3O_<10>に注目した。この物質は白色で電気的に絶縁体である。そこでCaの一部をYに置換し電子ド-ピングを検討した。Yの添加量が0.4程度までは不純物相の生成は余り観測されなかったものの,Y>0.6以上では多量のYNbO_4の生成が認められた。一方,格子定数,特にC軸長はY〜0.4近傍までは急激に増加するものの,Y>0.6では極だった変化は起こりませんでした。Y【approximately equal】0.4での試料を水準還元処理すると、青色に変化し,粉体の拡散反射スペクトルから低波長(2400nm)に大きな吸収が観測されました。これは伝導電子の吸収によるものであり,実際ペレットは数100kr程度の電気抵抗を示しました。しかし,超伝導性を示すには余りにもキヤリヤ-の濃度が低く,更にYをド-プする工夫が必要と考えられた。以上、Cu以外の層状ペロブスカイト物質として、Mu,Mb系を検討したが,良好な超伝導性は見い出せませんでした。
Outside の acidification for copper conductor 伝 と し て Mn と Nb の layered ペ ロ ブ ス カ イ ト material に attention し そ の super 伝 conductivity を beg し 検 た. こ れ ま で, MnO_2 を 1 layer contain む BiPbSrMnOx と MnO_22 layer contains を む Bi_2PbSr_2MnOx の synthetic を beg し 検 た と こ ろ, い づ れ も acid element points 圧 が low い ア ル ゴ ン 雰 囲 気 で, 単 phase の synthesis に successful し た. Destiny が こ の material は grid, a = b = 5.30 a ^ ^ ", C = 25.6 a ^ ^ (MnO_21 layer), と し て a = b = 5.30 a ^ ^ ", C = 30.2 a ^ ^ a. MnO_22 layer と see product る こ と が で き ま し た. MnO_2 layer に つ い て は Tarascon が such as detailed し く を line こ な っ て い る が, MnO_22 layer に つ い て は I 々 が beginning め て synthetic に successful し た. し か し な が ら, こ の matter は 気 伝 conductance の temperature dependency か ら semiconductor 挙 move を し, 帯 magnetic rate の temperature dependency か ら 50 k で often magnetic body か ら against strong magnetic body に planning move し て お り, super 伝 conductivity を see い out す こ と は で き ま せ ん で し た. And にキヤリヤ-をド-プする must があると test えられます. On one side, the Nb series <s:1> layered ペロブスカ ト ト ト structure と ト て ト KCa_2Nb_3O_<10>に focuses on た た. The で で substance is a に insulator of white で electricity である. Youdaoplaceholder0 ピ でCa た a をYに perreplace an <s:1> electron ド-ピ ピ グを検 グを検 ask for た. Y の が amount 0.4 degree ま で は impurity phase の generated more than は り 観 measuring さ れ な か っ た も の の, Y > 0.6 above で は の abundant YNbO_4 の generated が recognize め ら れ た. Side, lattice constant, axial length は に C Y ~ 0.4 nearly alongside ま で は nasty shock に raised plus す る も の の, Y > 0.6 で は extremely だ っ た variations change は up こ り ま せ ん で し た. Y [approximately equal 】 0.4 で の sample を standards yuan 処 Richard す る と, cyan に - し, powder の company, scattered reflection ス ペ ク ト ル か ら low wavelength (2400 nm) に き な suction 収 が 観 measuring さ れ ま し た. The <s:1> れ 伝 伝 伝 伝 conducts electrons, the <s:1> is absorbed by the による <s:1> であ, and the actual ペレット <e:1> shows that at 100kr, the <s:1> electrical resistance を indicates the ま た た. し か し, super 伝 conductivity を shown す に は yu り に も キ ヤ リ ヤ - の low concentration が く, more に Y を ド - プ す る time が と necessary test え ら れ た. Above, Cu の layered ペ ロ ブ ス カ イ ト material と し て, Mu, Mb series を beg し 検 た が, good な super 伝 conductivity は see い out せ ま せ ん で し た.

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
小林 健吉郎: "Formation of the pseudoーtetragonal phase by hydrogenation of Nd_2 CuO_4 at a olw temperature" J. Materials Science Letters. 10. 1386-1388 (1991)
Kenkichiro Kobayashi:“在低温度下氢化 Nd_2 CuO_4 形成伪四方相”J. 材料科学快报 10. 1386-1388 (1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
松嶋 成憲: "NO_2 sensitive Gaーdoped ZnO thin film" Chemistry Letters. 1992. 323-326 (1992)
Shigenori Matsushima:“NO_2 敏感的掺杂 ZnO 薄膜”,化学快报 1992。323-326 (1992)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林 健吉郎: "Structure and copper valence of hydrogenーdopes Nd_2CuO_4." J. Material Science Lethers. 10. 523-525 (1991)
Kenkichiro Kobayashi:“氢掺杂 Nd_2CuO_4 的结构和铜价。”J. 材料科学皮革。10. 523-525 (1991)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林 健吉郎: "Electrical and optical propenties of Ca_<1ーx>SrxCuO_2 films prepared by Organometallic Chamical Vapor deposition meshid" Japanese Journal Applied Physics. 30. L1931-L1934 (1991)
Kenkichiro Kobayashi:“有机金属化学气相沉积网格制备的 Ca_<1-x>SrxCuO_2 薄膜的电学和光学性质”日本应用物理杂志 30。L1931-L1934(1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林 健吉郎: "Superconductirity in Hydrogenーbeped NC1.85 Ce0.15 CuO_4" Japanese Journal Applied Physics. 30. L1106-L1109 (1991)
Kenkichiro Kobayashi:“Hydrogen-beped NC1.85 Ce0.15 CuO_4 中的超导”日本应用物理学杂志 30。L1106-L1109 (1991)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

小林 健吉郎其他文献

LiF-遷移金属酸化物正極の開発と電池特性評価
LiF-过渡金属氧化物正极的研制及电池特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨田 靖正;和泉 佑甫;那須 大将;新井 寿一;小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    小林 健吉郎
Stabilization of Flavylium Dye by Incorporation into Bentonite Clay
通过掺入膨润土来稳定 Flavylium 染料
  • DOI:
    10.4011/shikizai.83.103
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河野 芳海;星野 亮;生駒 修治;柴田 雅史;松島 良華;冨田 靖正;前田 康久;小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    小林 健吉郎
LiF-NiO 正極活物質の開発と電池特性評価
LiF-NiO正极活性材料的开发及电池特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    那須 大将;和泉 佑甫;新井 寿一;小林 健吉郎;冨田 靖正
  • 通讯作者:
    冨田 靖正
LiF-MO(M=Ni,Mn)コンポジットにおける構造と充放電特性
LiF-MO(M=Ni,Mn)复合材料的结构及充放电特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨田 靖正;和泉 佑甫;那須 大将;新井 寿一;小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    小林 健吉郎
LiF-NiOコンポジット正極の作製と充放電特性
LiF-NiO复合正极的制备及充放电特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨田 靖正;和泉 佑甫;那須 大将;新井 寿一;小林 健吉郎;冨田 靖正,和泉 佑甫,那須 大将,新井 寿一,小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    冨田 靖正,和泉 佑甫,那須 大将,新井 寿一,小林 健吉郎

小林 健吉郎的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('小林 健吉郎', 18)}}的其他基金

光触媒ナノリソグラフィの開発
光催化纳米光刻技术的发展
  • 批准号:
    17029027
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物ドーピング法による酸化亜鉛のpn制御と紫外線発光デバイスの開発
复合掺杂法氧化锌的PN控制及紫外发光器件的研制
  • 批准号:
    15655068
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
金属クラスターを堆積させたメゾスコピック半導体電極の設計とCO_2還元反応への応用
金属簇沉积介观半导体电极设计及其在CO_2还原反应中的应用
  • 批准号:
    07215263
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属原子を単分子層以下吸着させたメゾスコピック半導体電極の創製
创建吸附有少于单分子层金属原子的介观半导体电极
  • 批准号:
    06226261
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
フォトクロシズムの動的機構の解明。
阐明光致变色的动力学机制。
  • 批准号:
    04805083
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
POMCVD及び固相法による新超伝導体の合成と評価
POMCVD和固相法新型超导体的合成与评价
  • 批准号:
    02227213
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
In-Ba-Ca-Cu-O系の超伝導体の研究
In-Ba-Ca-Cu-O超导体的研究
  • 批准号:
    01645514
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
セラミックスの光誘起電荷移動過程の研究
陶瓷中光致电荷转移过程的研究
  • 批准号:
    63750779
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
セラミックスのバンドギャップ中に存在する局在準位の研究
陶瓷带隙中存在的局域能级的研究
  • 批准号:
    60750739
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
半導体‐液体界面における表面準位の研究
半导体-液体界面表面态的研究
  • 批准号:
    58750656
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 1.41万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了