金属クラスターを堆積させたメゾスコピック半導体電極の設計とCO_2還元反応への応用
金属クラスターを堆積させたメゾスコピック半導体電極の設計とCO_2還元反応への応用
批准号:
07215263
负责人:
小林 健吉郎
金额:
$0.96万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
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電極表面での新しい反応場の設計として直流高電圧パルスを印加して電極近傍に高温プラズマを発生させ、溶液内での高温熱反応、溶液イオン種の分析等を検討した。NH4NO3溶液で、Pdをカソードにした場合の発光スペクトルでは、6560Aと4860A近傍にブロードなピークが観測される。6563Aでのピークは水素原子の主量子数n=3からn=2への遷移によるものである。発光はPd近傍で観測された。この分極状態ではPd表面では水素発生が起こっている。発光がPd電極表面で発生するガスと関係があるかを確かめるために、Pdをアノードに分極して発光を測定した。NH4NO3溶液中で、Pdをアノードにした場合の発光スペクトルから6563Aに水素原子の主量子数n=3からn=2への遷移による発光が観測される。アノード分極状態ではPd表面では酸素ガスの発生が起こっている。しかしながら、Pd電極表面でのガス発生とは無関係に水素原子からの発光が認められる。そこで酸素からの発光を観測するため、6000-8000Aの波長領域での発光スペクトルを測定した(印加電圧2000V、溶液:NH4NO3)。7771Aに酸素原子(3pから3sへの遷移)による発光ピークが観測される。LiNO3溶液での発光スペクトルにおいて、6708A、6104A、4603AにLi原子の発光ピークが明確に観測される。このLiの発光と同時に6563Aには水素の発光も重なっている。Pdの分極は強度には影響を与えるもののLiの発光は観測できる。Liは水溶液中ではLi+イオンとして存在しているにもかかわらず中性原子Liとしての発光が起こっている。本研究では発光がH,O,Liの原子に対応していることから発光は気相状態でのアークによると推測される。気相の存在はPd電極表面で発生した水素あるいは酸素ガスの中か、あるいは高電流による溶液内部での小さな泡が考えられる。
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Kenkichiro Kobayashi: "Spectroscopic investrgatron of hot plasma generated by electrochemically" Asia Conference on Electrochemistry. 176-177 (1995)
Kenkichiro Kobayashi:“电化学产生的热等离子体的光谱研究”亚洲电化学会议。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kenkichiro Kobayashi: "Effect if Ultraviolet irradiation on adsorption and desorption of oxygen at Z_nO surface" J.Phys.Chem.99. 999 (1995)
Kenkichiro Kobayashi:“紫外线照射对 Z_nO 表面氧吸附和解吸的影响”J.Phys.Chem.99。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kenkichiro Kobayashi: "Effect of Electric field on transmission spectra of a four-layer film." Denki Kagaku. 63. 527 (1995)
Kenkichiro Kobayashi:“电场对四层薄膜透射光谱的影响。”
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Kenkichiro Kobayashi: "Characterization of Z_nO films prepared by low pressure OMCVD" Thin Solid Films. 266. 106 (1995)
Kenkichiro Kobayashi:“低压 OMCVD 制备的 Z_nO 薄膜的表征”固体薄膜。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Shigenori Matsushima: "NO_2 sensing properties of thick Z_<n2>S_nO_4 film" J.Ceram.Soc.Jpn. 103. 103 (1995)
Shigenori Matsushima:“Z_<n2>S_nO_4 厚膜的 NO_2 传感特性”J.Ceram.Soc.Jpn。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
光触媒ナノリソグラフィの開発
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批准号:17029027
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2005
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
化合物ドーピング法による酸化亜鉛のpn制御と紫外線発光デバイスの開発
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批准号:15655068
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2003
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
金属原子を単分子層以下吸着させたメゾスコピック半導体電極の創製
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批准号:06226261
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1994
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
フォトクロシズムの動的機構の解明。
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批准号:04805083
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1992
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
銅を含まない高温酸化物超伝導体の探索
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批准号:03211221
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
POMCVD及び固相法による新超伝導体の合成と評価
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批准号:02227213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1990
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
In-Ba-Ca-Cu-O系の超伝導体の研究
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批准号:01645514
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1989
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
セラミックスの光誘起電荷移動過程の研究
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批准号:63750779
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1988
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
セラミックスのバンドギャップ中に存在する局在準位の研究
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批准号:60750739
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
半導体‐液体界面における表面準位の研究
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批准号:58750656
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1983
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负责人:小林 健吉郎
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依托单位:
国内基金
海外基金
CNTs/ La^3+掺杂TiO_2纳米纤维的制备及对重金属去除机理研究
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批准号:51403106
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2014
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负责人:王芳芳
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依托单位:
吸附—光催化双功能活性炭吸附材料的C/TiO_2协同作用机制
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批准号:30400339
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:23.0万元
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批准年份:2004
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负责人:刘守新
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依托单位: