In-Ba-Ca-Cu-O系の超伝導体の研究

In-Ba-Ca-Cu-O超导体的研究

基本信息

  • 批准号:
    01645514
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.92万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.高温超伝導体の発現機構は現在のところ解明されていないが、少なくとも2次元伝導面が重要な因子であることは共通した意見である。またスピン1/2の量子効果が本質的な役割をしているとの指摘もある。こうした背景から本研究ではNd-Ni-O、Nd-Ba(Sr)-Fe-O系を固相法により合成し、その物性を検討し超伝導発現に寄与している因子を解明した。一方、従来の固相法では熱力学的に安定なものしか合成できず新規の超伝導体の合成の変化が限定されてしまう。そこで、低温で反応が起こるプラズマ有機金属化学気相法(POMCVO)法を開発し、この方法による超伝導体の合成を検討した。2.表題のIn-Ba-Ca-Cu-O系は残念ながら単相化しなかった。この理由は反応性の高いInがCaと反応してIn_2Ca_2O_5を合成し、ペロブスカイト(Caを含む)に寄与しないためである。しかし、In-Ba-Cu-O系は二重ペロブスカイト構造を有する結晶を形成し、電気伝導性も認められた。しかし、キャリヤ濃度が低く半導体的であり超伝導性は見い出せなかった。キャリヤド-ピングをLa、あるいはKを用いて行なったが成功しなかった。この原因については現在検討中である。一方、Cuを含まないNi、Fe系のペロブスカイト構造の結晶を合成し、その超伝導性を調べたが、残念ながら超伝導性は見い出せなかった。Ni^+(スピン1/2)を含む系は絶縁体でありこの系の3d軌道エネルギ-が極めて高いことを示唆している。一方、Fe^<4+>、Fe^<3+>を含むペロブスカイトは100K程度でキャリヤ-の凍結が起こる。これは2Fe^<4+>→Fe^<3+>+Fe^<5+>の不均化反応によるものと解釈されており、正孔のカップリングは起こるものの局在性が強いためにCooper対にはならなかったものと考えられる。POMCVDではBi-Sr-Ca-Cu-O系でBi_2Sr_2CaCu_2Oxの超伝導薄膜の合成に成功した。この膜はポストアニ-ルをせずに60Kの超伝導Tcを示し、他の方法に比較して優れた合成方法である。
1. The high temperature super conductor 伝 の 発 institutions now は now の と こ ろ interpret さ れ て い な い が, less な く と も 2 dimensional 伝 guide face が important factor な で あ る こ と は common し た opinion で あ る. Youdaoplaceholder0 <e:1> 1/2 the な labor of the が nature of the <s:1> quantum effect が を て て ると ると を criticism ある ある. こ う し た background か ら this study で は Nd - Ni - O, Nd - Ba (Sr) - Fe - O を solid-phase method に よ り synthetic し, そ の property を beg し 検 super 伝 guide 発 に send and し て い る factor を interpret し た. One party, the 従 の solid-phase method で は に of thermodynamic stability な も の し か synthetic で き ず new rules の super 伝 conductor の synthesis の variations change が qualified さ れ て し ま う. そ こ で, low-temperature で 応 が up こ る プ ラ ズ マ organometallic chemistry 気 phase method (POMCVO) method を open 発 し, こ の way に よ る super 伝 conductor の synthesis を beg し 検 た. 2. Title of the table: In the in-ba-ca-cu-o system, <s:1> residual ながら単, phase transformation, な った, った. こ の reason は high anti 応 sex の い が In Ca と anti 応 し て In_2Ca_2O_5 を synthetic し, ペ ロ ブ ス カ イ ト (Ca を む) に send し な い た め で あ る. し か し, In - Ba - Cu - O は double ペ ロ ブ ス カ イ ト a す を construction る crystallization を form し, electricity 気 伝 conductivity も recognize め ら れ た. The であ super伝 conductivity of <s:1>, キャリヤ concentration が low く semiconductors is shown in せな せな った った. キ ャ リ ヤ ド - ピ ン グ を La, あ る い は K を with い て line な っ た が successful し な か っ た. The reason is に, に, て, て and is currently being discussed at 検 and である. Party, Cu を containing ま な い Ni, Fe の ペ ロ ブ ス カ イ ト crystallization structure の を synthetic し, そ の super 伝 conductivity を adjustable べ た が, residual な が ら super 伝 conductivity は see い out せ な か っ た. Ni ^ + (ス ピ ン 1/2) を containing む は never try body で あ り こ の is の 3 d orbital エ ネ ル ギ - が め extremely high て い こ と を in stopping し て い る. One party, Fe^<4+>, Fe^<3+>を contains むペロブスカ ト ト <s:1> 100K degree でキャリヤ- <s:1> freeze が from る る. こ れ は Fe 2 ^ 4 + > < - > Fe ^ > < 3 + + Fe ^ < 5 + > の uneven turn against 応 に よ る も の と solution 釈 さ れ て お り, is の カ ッ プ リ ン グ は up こ る も の の bureau in sexual が い た め に Cooper に seaborne は な ら な か っ た も の と exam え ら れ る. POMCVDで で the Bi-Sr-Ca-Cu-O series でBi_2Sr_2CaCu_2Ox <s:1> super-伝 conductive thin film <e:1> synthesis に successful た た The <s:1> <s:1> membrane ポストアニ ポストアニ- をせずに をせずに60K <s:1> super伝 conduction Tcを shows that the <s:1> and other <s:1> methods に are て て superior to the れた synthesis method である.

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
小林健吉郎: "Drastic Changes in Electronic Propertios of a ZnO-SiO_2-Au device by ultraviolet illumination" Journal of Materials Science Letters. 8. 967-968 (1989)
Kenkichiro Kobayashi:“紫外线照射下 ZnO-SiO_2-Au 器件电子特性的巨大变化”《材料科学快报》杂志 8. 967-968 (1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林健吉郎: "Preparation of Superconducting Bi-Sr-Ca-Cu-O films by plasma Assisted organomettallic chemical Vapor Oepositon" Japanese Journal of Applied Physics. 28. L2165-L2167 (1989)
Kenkichiro Kobayashi:“通过等离子体辅助有机金属化学蒸气沉积法制备超导 Bi-Sr-Ca-Cu-O 薄膜”,《日本应用物理学杂志》28。L2165-L2167 (1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林健吉郎: "Formation and Characterization of Bi-Sr-Ca-Cu-O films prepared by POMCVD Merhod" Journal of Materials Science Letters. (1990)
Kenkichiro Kobayashi:“POMCVD Merhod 制备的 Bi-Sr-Ca-Cu-O 薄膜的形成和表征”材料科学快报杂志(1990 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林健吉郎: "Formation of Single phase of Bi_2Sr_2CaCu_2Ox Film by Plasma assisted Organometallic Chemical Vapor Deposition Method" Chemistry Lettars. 1989. 1415-1418 (1989)
Kenkichiro Kobayashi:“通过等离子体辅助有机金属化学气相沉积方法形成单相 Bi_2Sr_2CaCu_2Ox 薄膜”,化学快报 1989。1415-1418 (1989)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小林健吉郎: "An Oxygen Sensitive ZnO-SiO_2-Au Oevice uoing photodesorption of Oxygen" Journal of Materials Science Letters. (1990)
Kenkichiro Kobayashi:“一种氧敏感的 ZnO-SiO_2-Au 装置,用于氧气的光解吸”《材料科学快报》杂志 (1990)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

小林 健吉郎其他文献

LiF-遷移金属酸化物正極の開発と電池特性評価
LiF-过渡金属氧化物正极的研制及电池特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨田 靖正;和泉 佑甫;那須 大将;新井 寿一;小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    小林 健吉郎
Stabilization of Flavylium Dye by Incorporation into Bentonite Clay
通过掺入膨润土来稳定 Flavylium 染料
  • DOI:
    10.4011/shikizai.83.103
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河野 芳海;星野 亮;生駒 修治;柴田 雅史;松島 良華;冨田 靖正;前田 康久;小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    小林 健吉郎
LiF-NiO 正極活物質の開発と電池特性評価
LiF-NiO正极活性材料的开发及电池特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    那須 大将;和泉 佑甫;新井 寿一;小林 健吉郎;冨田 靖正
  • 通讯作者:
    冨田 靖正
LiF-MO(M=Ni,Mn)コンポジットにおける構造と充放電特性
LiF-MO(M=Ni,Mn)复合材料的结构及充放电特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨田 靖正;和泉 佑甫;那須 大将;新井 寿一;小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    小林 健吉郎
LiF-NiOコンポジット正極の作製と充放電特性
LiF-NiO复合正极的制备及充放电特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨田 靖正;和泉 佑甫;那須 大将;新井 寿一;小林 健吉郎;冨田 靖正,和泉 佑甫,那須 大将,新井 寿一,小林 健吉郎
  • 通讯作者:
    冨田 靖正,和泉 佑甫,那須 大将,新井 寿一,小林 健吉郎

小林 健吉郎的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('小林 健吉郎', 18)}}的其他基金

光触媒ナノリソグラフィの開発
光催化纳米光刻技术的发展
  • 批准号:
    17029027
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物ドーピング法による酸化亜鉛のpn制御と紫外線発光デバイスの開発
复合掺杂法氧化锌的PN控制及紫外发光器件的研制
  • 批准号:
    15655068
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
金属クラスターを堆積させたメゾスコピック半導体電極の設計とCO_2還元反応への応用
金属簇沉积介观半导体电极设计及其在CO_2还原反应中的应用
  • 批准号:
    07215263
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
金属原子を単分子層以下吸着させたメゾスコピック半導体電極の創製
创建吸附有少于单分子层金属原子的介观半导体电极
  • 批准号:
    06226261
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
フォトクロシズムの動的機構の解明。
阐明光致变色的动力学机制。
  • 批准号:
    04805083
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
銅を含まない高温酸化物超伝導体の探索
寻找无铜高温氧化物超导体
  • 批准号:
    03211221
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
POMCVD及び固相法による新超伝導体の合成と評価
POMCVD和固相法新型超导体的合成与评价
  • 批准号:
    02227213
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
セラミックスの光誘起電荷移動過程の研究
陶瓷中光致电荷转移过程的研究
  • 批准号:
    63750779
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
セラミックスのバンドギャップ中に存在する局在準位の研究
陶瓷带隙中存在的局域能级的研究
  • 批准号:
    60750739
  • 财政年份:
    1985
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
半導体‐液体界面における表面準位の研究
半导体-液体界面表面态的研究
  • 批准号:
    58750656
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜のサブナノ細孔構造制御と超薄膜製膜技術の確立
常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
  • 批准号:
    23K23119
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
マイクロ波プラズマCVD法によるハイパワーナノダイヤモンドダイオードの作製
微波等离子体CVD法制备高功率纳米金刚石二极管
  • 批准号:
    07J10950
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高強度レーザー誘起プラズマCVD法によるセラミックス膜の超高速合成とナノ構造制御
高强度激光诱导等离子体CVD法陶瓷薄膜的超快合成和纳米结构控制
  • 批准号:
    17686055
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
プラズマCVD法によるシリコン結晶成長過程における水素原子の動力学に関する研究
等离子体CVD法硅晶体生长过程中氢原子动力学研究
  • 批准号:
    13750033
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
変調RFプラズマCVD法によるアモルファス炭化シリコン薄膜の作製
调制射频等离子体CVD法制备非晶碳化硅薄膜
  • 批准号:
    08750361
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
プラズマCVD法による銅薄膜の選択形成に関する研究
等离子体CVD法选择性形成铜薄膜的研究
  • 批准号:
    07750360
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
プラズマCVD法による微細トレンチ内壁へのTiN膜低温形成基礎研究
等离子体CVD法在细沟槽内壁低温形成TiN薄膜的基础研究
  • 批准号:
    07650351
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
ミストを原料とするマイクロ波プラズマCVD法による超伝導薄膜の作製
以雾为原料的微波等离子体CVD法制备超导薄膜
  • 批准号:
    07650357
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
プラズマCVD法による平坦膜の作製と広帯域積層形偏光分離素子への応用
等离子体CVD法制备平面薄膜及其在宽带堆叠偏振分光器件中的应用
  • 批准号:
    07750397
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
プラズマCVD法による銅薄膜形成機構に関する研究
等离子体CVD法铜薄膜形成机理研究
  • 批准号:
    06750325
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了