強誘電体薄膜のエレクトロンエミッションに関する研究

铁电薄膜电子发射研究

基本信息

  • 批准号:
    14655238
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.05万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 2003
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

強誘電体からの電子放射(エレクトロンエミッション)は、基本的には強誘電体の本質である電界の印可による分極反転を利用した現象であると認識されるが、電子の供給源など不明な点も少なくない。しかも、実質的に蛍光体を光らせることができる強誘電体薄膜の報告はなされていない。これは、高性能強誘電体薄膜の低温形成とマイクロパターニングが困難であること及び電子放射の本質的な原理が完全には解明されていないことに帰因する。本研究では強誘電体薄膜からの電子放射を実現するために、強誘電体薄膜の特性改善と電子放射特性との関係を明らかにすることを目的とした。前者については、PZT系について研究を行った。その結果、独自のゾルゲル法による強誘電体薄膜の低温形成技術を開発し、成膜したPZT系薄膜について電子放射特性の基礎となる分域構造を分析し、優れた電子放射特性を実現する薄膜の形成方法の基盤研究を行った。後者については、湿式法をベースとした安価なマイクロパターン形成法による強誘電体薄膜形成技術を開発した。湿式法による強誘電体薄膜マイクロパターン形成法は、実際に中小のメーカーで製造する上で非常に大きな利点となる。すなわち、本研究は工学的であるとともに非常に先駆的であり、国内での草分け的存在となる独創的なマイクロパターン形成法を開発できた。一方、強誘電体薄膜の電子放射の原理に関する研究は、現在までのところ解明できていない。この様な研究は海外を含めて報告されておらず萌芽研究で申請した所以であるが、残念ながら本研究でも本質は解明できなかった。さらなる研究が期待される。
The electron emission of strong inducers is the basic phenomenon of strong inducers, and the electron supply source is unknown. The high dielectric thin film is a thin film that has a high dielectric constant and a high dielectric constant. The low temperature formation of high performance ferroelectric thin films is difficult and the principle of electron emission is completely explained. The purpose of this study is to clarify the relationship between electron emission characteristics of ferroelectric thin films and their improvement. The former is a research topic, and PZT is a research topic. As a result, the low temperature formation technology of ferroelectric thin films was developed by independent research methods, and the basic electron emission characteristics of PZT thin films were analyzed and optimized. The latter is the development of ferroelectric thin film formation technology by wet method. The wet method is to form a dielectric thin film. This study is based on the development of a very advanced method for the formation of plants in China. A study on the principle of electron emission from dielectric thin films has been carried out. This study includes overseas reports, budding studies, applications, and research. This year's research is expected.

项目成果

期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Ohno, H.suzuki, J.Takahashi, T.Ota, M.Takahashi, Y.Hikichi: "Effect of Excess Lead on Dielectric and Ferroelectric Properties of Alkoxide-derived Lead Titanate Thin Film"Ferroelectrics. 271. 309-314 (2002)
T.Ohno、H.suzuki、J.Takahashi、T.Ota、M.Takahashi、Y.Hikichi:“过量铅对醇盐衍生钛酸铅薄膜的介电和铁电性能的影响”铁电体。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
D.S.Fu, K.Suzuki, K.Kato, M.Minakata, K.i Kodaira, H.Suzuki: "Investigation of Domain Switching and Retention in Oriented Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 Thin Film by Scanning Force Microscopy"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.41, Part1 No.11B. 6985-6988 (2002)
D.S.Fu、K.Suzuki、K.Kato、M.Minakata、K.i Kodaira、H.Suzuki:“通过扫描力显微镜研究定向 Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 薄膜中的域切换和保留”Jpn。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Desheng Fu, Kazuyuki Suzuki, Kazumi Kato, Hisao Suzuki: "Dynamics of nanoscale polarization backswitching in tetragonal lead zirconate titanate thin film"Appl. Phys. Lett.. 82. 2130-2132 (2003)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Suzuki, T.Mori, T.Fujinami, T.Ota, M.Fuji, M.Takahashi: "Micro-patterning of Sol-Gel-derived PZT Thin Film with SAM"J.Ceram.International. in press.
H.Suzuki、T.Mori、T.Fujinami、T.Ota、M.Fuji、M.Takahashi:“利用 SAM 对溶胶-凝胶衍生的 PZT 薄膜进行微图案化”J.Ceram.International。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Nakayama, M.shouichi, S.Suzuki, H.Suzuki: "Influence of Electric-Field-Assisted Annealing on Orientation of PZT Thin Films"Jpn.J.Appl.Phys. 43. 242-246 (2004)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 作者:
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  • DOI:
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