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Creation of tensile-strained Ge high-mobility-channel by thermal nonequilibrium process

Creation of tensile-strained Ge high-mobility-channel by thermal nonequilibrium process
通过热非平衡过程创建拉伸应变Ge高迁移率通道
批准号：
18206005
负责人：
ZAIMA Shigeaki
金额：
$32.2万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206005/
关键词：
ゲルマニウム錫水素表面・界面物理走査トンネル顕微鏡エピタキシャル成長酸化現象ひずみ半導体工学結晶工学格子欠陥IV族半導体

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
LSI用高移動度材料として期待されるGeおよび伸長歪Geチャネルの実現に向けて、Ge表面処理技術、および高品質Ge_(1-x)Sn_xバッファ層形成の基礎的指針となる、Ge表面初期酸化過程、およびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造を、主に走査トンネル顕微鏡を用いて観察評価した。酸素分圧に対する表面酸化とエッチングモードの競合、Ge表面へのSn導入による異方性再構成構造の形成を見出した。さらに、水素・重水素照射によるSnおよびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造の制御を実証し、Ge_(1-x)Sn_x層成長技術の構築に貢献する知見を得た。
英文摘要
LSI用高移動度材料として期待されるGeおよび伸長歪Geチャネルの実現に向けて、Ge表面処理技術、および高品質Ge_(1-x)Sn_xバッファ層形成の基礎的指針となる、Ge表面初期酸化過程、およびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造を、主に走査トンネル顕微鏡を用いて観察評価した。酸素分圧に対する表面酸化とエッチングモードの競合、Ge表面へのSn導入による異方性再構成構造の形成を見出した。さらに、水素・重水素照射によるSnおよびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造の制御を実証し、Ge_(1-x)Sn_x層成長技術の構築に貢献する知見を得た。
期刊论文(19)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Ge(001)表面の初期酸化およびエッチング過程の走査トンネル顕微鏡評価
Ge(001)表面初始氧化和刻蚀过程的扫描隧道显微镜评估
DOI： --
发表时间： 2006
期刊：
影响因子： --
作者： [若園恭伸, 山崎理弘, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明]
通讯作者： 財満鎭明
Design of Electronic Properties and Development of High-Mobility Channel Technology for Low Power/High-Speed Nano-CMOS Devices
  • 批准号：
    22000011
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 资助金额：
    $286.71万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    ZAIMA Shigeaki
  • 依托单位：
    Nagoya University
Construction of High-k Gate/Strain-engineered Germanium channel Structures with Functional Nano-system
  • 批准号：
    18063012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $124.74万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    ZAIMA Shigeaki
  • 依托单位：
    Nagoya University
Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
  • 批准号：
    18063013
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $32.51万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    ZAIMA Shigeaki
  • 依托单位：
    Nagoya University
Control of solid-phase reaction dynamics and carbon engineering for nanofabrication of group-IV
  • 批准号：
    15206004
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $29.54万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    ZAIMA Shigeaki
  • 依托单位：
    Nagoya University
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